ZHCSJO5D April 2020 – April 2021 DRV8889-Q1
PRODUCTION DATA
對于在全橋內連接的電機而言，電流路徑為通過一個半橋的高側 FET 和另一個半橋的低側 FET。導通損耗 (PCOND) 取決于電機的均方根電流 (IRMS) 以及高側 (RDS(ONH)) 和低側 (RDS(ONL)) 的導通電阻（如Equation4 所示）。
Equation5 中計算了Topic Link Label8.2.1 中顯示的典型應用的導通損耗。
這種計算方式高度依賴于器件的溫度，因為溫度會顯著影響高側和低側的 FET 導通電阻。為了更準確地計算該值，應考慮器件溫度對 FET 導通電阻的影響。