ZHCSJO5D April 2020 – April 2021 DRV8889-Q1
PRODUCTION DATA
每個 FET 上的模擬電流限制電路都將通過移除柵極驅動來限制流經 FET 的電流。如果此電流限制的持續時間超過 tOCP，則將會禁用相應 H 橋中的 FET 并將 nFAULT 引腳驅動為低電平。FAULT 和 OCP 位在 SPI 寄存器中被鎖存為高電平。對于 xOUTx 到 VM 短路，相應的 OCP_LSx_x 位在 DIAG 狀態 1 寄存器中變為高電平。同樣，對于 xOUTx 到接地短路，相應的 OCP_HSx_x 位會變為高電平。例如，對于 AOUT1 到 VM 短路，OCP_LS1_A 位會變為高電平；對于 BOUT2 到接地短路，OCP_HS2_B 位會變為高電平。在這種情況下，電荷泵仍保持激活狀態。過流保護可在兩種不同的模式下運行：鎖存關斷和自動重試。