ZHCSJO5D April 2020 – April 2021 DRV8889-Q1
PRODUCTION DATA
在 H 橋中接通電流后，在啟用電流檢測電路之前，電流檢測比較器被忽略一段時間 (tBLANK)。消隱時間還設定了 PWM 的最小驅動時間。
當器件在慢速衰減階段結束后進入驅動階段時，或在驅動階段結束后進入慢速衰減階段時，消隱時間如表 7-8 中所示。
| 器件 | EN_SR_BLANK | SLEW_RATE | 消隱時間 (tBLANK) |
|---|---|---|---|
| DRV8889A-Q1 | 0 | 全部 | 500ns |
| 1 | 00b | 5.6μs | |
| 01b | 2μs | ||
| 10b | 1.5μs | ||
| 11b | 860 ns | ||
| DRV8889-Q1 | 不適用 | 全部 | 500ns |
如果步進電機的寄生線圈電容過大，則額外的消隱時間是有益的。對于 DRV8889A-Q1，在以慢速-慢速或智能調優衰減模式操作器件時，建議將 EN_SR_BLANK 位設置為“1”。
如果器件在快速衰減階段結束后進入驅動階段，則消隱時間如表 7-9 中所示。
| SLEW_RATE | 消隱時間 (tBLANK) |
|---|---|
| 00b | 5.6μs |
| 01b | 2μs |
| 10b | 1.5μs |
| 11b | 860 ns |