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LMG3527R030

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具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電壓檢測功能的 650V 30m? GaN FET

產(chǎn)品詳情

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RQS) 52 144 mm2 12 x 12
  • 帶集成柵極驅(qū)動器的 650V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度柵極偏置電壓
    • 200V/ns FET 釋抑
    • 2MHz 開關(guān)頻率
    • 20V/ns 至 150V/ns 壓擺率，用于優(yōu)化開關(guān)性能與緩解 EMI
    • 由 7.5V 至 18V 電源供電
  • 強大的保護(hù)
    • 響應(yīng)時間 ＜ 100ns 的逐周期過流與鎖存短路保護(hù)
    • 硬開關(guān)時可承受 720V 浪涌
    • 針對內(nèi)部過熱和 UVLO 監(jiān)控的自我保護(hù)
  • 高級電源管理
    • 數(shù)字溫度 PWM 輸出
    • LMG3526R030 包括有助于實現(xiàn)軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器的零電壓檢測功能 (ZVD)
    • LMG3527R030 包括有助于實現(xiàn)軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器的零電流檢測功能（ZCD）
  • 頂部冷卻 12mm × 12mm VQFN 封裝將電氣路徑和散熱路徑分開，可實現(xiàn)超低的電源環(huán)路電感
  • 帶集成柵極驅(qū)動器的 650V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度柵極偏置電壓
    • 200V/ns FET 釋抑
    • 2MHz 開關(guān)頻率
    • 20V/ns 至 150V/ns 壓擺率，用于優(yōu)化開關(guān)性能與緩解 EMI
    • 由 7.5V 至 18V 電源供電
  • 強大的保護(hù)
    • 響應(yīng)時間 ＜ 100ns 的逐周期過流與鎖存短路保護(hù)
    • 硬開關(guān)時可承受 720V 浪涌
    • 針對內(nèi)部過熱和 UVLO 監(jiān)控的自我保護(hù)
  • 高級電源管理
    • 數(shù)字溫度 PWM 輸出
    • LMG3526R030 包括有助于實現(xiàn)軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器的零電壓檢測功能 (ZVD)
    • LMG3527R030 包括有助于實現(xiàn)軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器的零電流檢測功能（ZCD）
  • 頂部冷卻 12mm × 12mm VQFN 封裝將電氣路徑和散熱路徑分開，可實現(xiàn)超低的電源環(huán)路電感

LMG352xR030 GaN FET 具有集成式驅(qū)動器和保護(hù)功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，能夠讓設(shè)計人員實現(xiàn)更高水平的功率密度與效率。

LMG352xR030 集成了一個硅驅(qū)動器，可實現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動器相比，TI 的集成式精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關(guān) SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術(shù)相結(jié)合，可在硬開關(guān)電源拓?fù)渲刑峁└蓛舻拈_關(guān)和超小的振鈴?？烧{(diào)柵極驅(qū)動強度允許將壓擺率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之間，這可用于主動控制 EMI 并優(yōu)化開關(guān)性能。LMG3526R030包含零電壓檢測（ZVD）功能，能夠在實現(xiàn)零電壓開關(guān)時提供 ZVD 引腳脈沖輸出。LMG3527R030 包含零電流檢測（ZCD）功能，能夠在檢測到源極到漏極的正向電流時提供 ZCD 引腳脈沖輸出。

高級電源管理功能包括數(shù)字溫度報告和故障檢測。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出進(jìn)行報告，這可簡化器件加載管理。報告的故障包括過流、短路、過熱、VDD UVLO 以及高阻抗 RDRV 引腳。

LMG352xR030 GaN FET 具有集成式驅(qū)動器和保護(hù)功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，能夠讓設(shè)計人員實現(xiàn)更高水平的功率密度與效率。

LMG352xR030 集成了一個硅驅(qū)動器，可實現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動器相比，TI 的集成式精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關(guān) SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術(shù)相結(jié)合，可在硬開關(guān)電源拓?fù)渲刑峁└蓛舻拈_關(guān)和超小的振鈴?？烧{(diào)柵極驅(qū)動強度允許將壓擺率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之間，這可用于主動控制 EMI 并優(yōu)化開關(guān)性能。LMG3526R030包含零電壓檢測（ZVD）功能，能夠在實現(xiàn)零電壓開關(guān)時提供 ZVD 引腳脈沖輸出。LMG3527R030 包含零電流檢測（ZCD）功能，能夠在檢測到源極到漏極的正向電流時提供 ZCD 引腳脈沖輸出。

高級電源管理功能包括數(shù)字溫度報告和故障檢測。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出進(jìn)行報告，這可簡化器件加載管理。報告的故障包括過流、短路、過熱、VDD UVLO 以及高阻抗 RDRV 引腳。
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類型 標(biāo)題 下載最新的英語版本 日期
* 數(shù)據(jù)表 集成了驅(qū)動器、保護(hù)與溫度報告功能的 LMG352xR030 650 V 30 m? GaN FET 數(shù)據(jù)表 (Rev. B) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2025年 2月 13日

設(shè)計和開發(fā)

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計算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
支持的產(chǎn)品和硬件

支持的產(chǎn)品和硬件

產(chǎn)品
氮化鎵 (GaN) 功率級
  • LMG2100R026 — 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 (GaN) 功率級
  • LMG2100R044 — 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET
  • LMG2610 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和電流檢測功能且適用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋
  • LMG2640 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和電流檢測功能的 650V、105mΩ GaN 半橋
  • LMG2650 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和電流檢測功能的 650V、95mΩ GaN 半橋
  • LMG2652 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和電流檢測功能的 650V、140mΩ GaN 半橋
  • LMG2656 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和電流檢測功能的 650V、230mΩ GaN 半橋
  • LMG3410R050 — 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 600V 50mΩ GaN
  • LMG3410R070 — 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 600V 70m? GaN
  • LMG3410R150 — 具有集成驅(qū)動器和過流保護(hù)功能的 600V 150mΩ GaN
  • LMG3411R050 — 具有集成驅(qū)動器和逐周期過流保護(hù)功能的 600V 50m? GaN
  • LMG3411R070 — 具有集成驅(qū)動器和逐周期過流保護(hù)功能的 600V 70m? GaN
  • LMG3411R150 — 具有集成驅(qū)動器和逐周期過流保護(hù)功能的 600V 150mΩ GaN
  • LMG3422R030 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能的 600V 30m? GaN FET
  • LMG3422R050 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能的 600V 50m? GaN FET
  • LMG3425R030 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能以及理想二極管模式的 600V 30m? GaN FET
  • LMG3425R050 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能以及理想二極管模式的 600V 50m? GaN FET
  • LMG3426R030 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電壓檢測功能的 600V 30mΩ GaN FET
  • LMG3426R050 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電壓檢測功能的 600V 50m? GaN FET
  • LMG3427R030 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電壓檢測功能的 600V 30mΩ GaN FET
  • LMG3427R050 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電壓檢測功能的 600V 50mΩ GaN FET
  • LMG3522R030 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能的 650V 30m? GaN FET
  • LMG3522R030-Q1 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能的汽車類 650V 30m? GaN FET
  • LMG3522R050 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能的 650V 50m? GaN FET
  • LMG3526R030 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電壓檢測功能的 650V 30m? GaN FET
  • LMG3526R050 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電壓檢測報告功能的 650V 50m? GaN FET
  • LMG3527R030 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電壓檢測功能的 650V 30m? GaN FET
  • LMG5200 — 80V GaN 半橋功率級
參考設(shè)計

PMP23475 — 具有零電流檢測功能、基于 GaN 的 5kW 兩相圖騰柱 PFC 參考設(shè)計

此參考設(shè)計是一款高密度、高效率的 5kW 功率因數(shù)校正 (PFC) 轉(zhuǎn)換器，采用了 TI 高性能氮化鎵 (GaN) 電源開關(guān)。峰值系統(tǒng)效率為 99.2%，該數(shù)值在 120W/in3 開放式框架功率密度下測得。該功率級在基于零電流檢測 (ZCD) 的全新控制機(jī)制中采用兩相圖騰柱 PFC。新的控制方法采用變頻工作，并在所有工作行條件下保持零電壓開關(guān) (ZVS)。該控制通過 TMS320F280039C 高性能微控制器和集成了 ZCD 檢測感測功能的 LMG3527R030 GaN 場效應(yīng)晶體管 (FET) 來實現(xiàn)。轉(zhuǎn)換器的工作頻率范圍約介于 100kHz 和 800kHz 之間。
測試報告: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
VQFN (RQS) 52 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評估模塊或參考設(shè)計。

支持和培訓(xùn)

視頻