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LMG3527R030

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具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 650V 30m? GaN FET

產品詳情

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RQS) 52 144 mm2 12 x 12
  • 帶集成柵極驅動器的 650V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度柵極偏置電壓
    • 200V/ns FET 釋抑
    • 2MHz 開關頻率
    • 20V/ns 至 150V/ns 壓擺率，用于優化開關性能與緩解 EMI
    • 由 7.5V 至 18V 電源供電
  • 強大的保護
    • 響應時間 ＜ 100ns 的逐周期過流與鎖存短路保護
    • 硬開關時可承受 720V 浪涌
    • 針對內部過熱和 UVLO 監控的自我保護
  • 高級電源管理
    • 數字溫度 PWM 輸出
    • LMG3526R030 包括有助于實現軟開關轉換器的零電壓檢測功能 (ZVD)
    • LMG3527R030 包括有助于實現軟開關轉換器的零電流檢測功能（ZCD）
  • 頂部冷卻 12mm × 12mm VQFN 封裝將電氣路徑和散熱路徑分開，可實現超低的電源環路電感
  • 帶集成柵極驅動器的 650V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度柵極偏置電壓
    • 200V/ns FET 釋抑
    • 2MHz 開關頻率
    • 20V/ns 至 150V/ns 壓擺率，用于優化開關性能與緩解 EMI
    • 由 7.5V 至 18V 電源供電
  • 強大的保護
    • 響應時間 ＜ 100ns 的逐周期過流與鎖存短路保護
    • 硬開關時可承受 720V 浪涌
    • 針對內部過熱和 UVLO 監控的自我保護
  • 高級電源管理
    • 數字溫度 PWM 輸出
    • LMG3526R030 包括有助于實現軟開關轉換器的零電壓檢測功能 (ZVD)
    • LMG3527R030 包括有助于實現軟開關轉換器的零電流檢測功能（ZCD）
  • 頂部冷卻 12mm × 12mm VQFN 封裝將電氣路徑和散熱路徑分開，可實現超低的電源環路電感

LMG352xR030 GaN FET 具有集成式驅動器和保護功能，適用于開關模式電源轉換器，能夠讓設計人員實現更高水平的功率密度與效率。

LMG352xR030 集成了一個硅驅動器，可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立式硅柵極驅動器相比，TI 的集成式精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術相結合，可在硬開關電源拓撲中提供干凈的開關和超小的振鈴。可調柵極驅動強度允許將壓擺率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之間，這可用于主動控制 EMI 并優化開關性能。LMG3526R030包含零電壓檢測（ZVD）功能，能夠在實現零電壓開關時提供 ZVD 引腳脈沖輸出。LMG3527R030 包含零電流檢測（ZCD）功能，能夠在檢測到源極到漏極的正向電流時提供 ZCD 引腳脈沖輸出。

高級電源管理功能包括數字溫度報告和故障檢測。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出進行報告，這可簡化器件加載管理。報告的故障包括過流、短路、過熱、VDD UVLO 以及高阻抗 RDRV 引腳。

LMG352xR030 GaN FET 具有集成式驅動器和保護功能，適用于開關模式電源轉換器，能夠讓設計人員實現更高水平的功率密度與效率。

LMG352xR030 集成了一個硅驅動器，可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立式硅柵極驅動器相比，TI 的集成式精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術相結合，可在硬開關電源拓撲中提供干凈的開關和超小的振鈴。可調柵極驅動強度允許將壓擺率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之間，這可用于主動控制 EMI 并優化開關性能。LMG3526R030包含零電壓檢測（ZVD）功能，能夠在實現零電壓開關時提供 ZVD 引腳脈沖輸出。LMG3527R030 包含零電流檢測（ZCD）功能，能夠在檢測到源極到漏極的正向電流時提供 ZCD 引腳脈沖輸出。

高級電源管理功能包括數字溫度報告和故障檢測。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出進行報告，這可簡化器件加載管理。報告的故障包括過流、短路、過熱、VDD UVLO 以及高阻抗 RDRV 引腳。
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* 數據表 集成了驅動器、保護與溫度報告功能的 LMG352xR030 650 V 30 m? GaN FET 數據表 (Rev. B) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2025年 2月 13日

設計和開發

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計算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
支持的產品和硬件

支持的產品和硬件

產品
氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG2100R026 — 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 (GaN) 功率級 LMG2100R044 — 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET LMG2610 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能且適用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋 LMG2640 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V、105mΩ GaN 半橋 LMG2650 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V、95mΩ GaN 半橋 LMG2652 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V、140mΩ GaN 半橋 LMG2656 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V、230mΩ GaN 半橋 LMG3410R050 — 具有集成驅動器和保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有集成驅動器和保護功能的 600V 70m? GaN LMG3410R150 — 具有集成驅動器和過流保護功能的 600V 150mΩ GaN LMG3411R050 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 50m? GaN LMG3411R070 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 70m? GaN LMG3411R150 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 150mΩ GaN LMG3422R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 600V 30m? GaN FET LMG3422R050 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 600V 50m? GaN FET LMG3425R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能以及理想二極管模式的 600V 30m? GaN FET LMG3425R050 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能以及理想二極管模式的 600V 50m? GaN FET LMG3426R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 50m? GaN FET LMG3427R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3427R050 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 650V 30m? GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的汽車類 650V 30m? GaN FET LMG3522R050 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 650V 50m? GaN FET LMG3526R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 650V 30m? GaN FET LMG3526R050 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測報告功能的 650V 50m? GaN FET LMG3527R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 650V 30m? GaN FET LMG5200 — 80V GaN 半橋功率級
參考設計

PMP23475 — 具有零電流檢測功能、基于 GaN 的 5kW 兩相圖騰柱 PFC 參考設計

此參考設計是一款高密度、高效率的 5kW 功率因數校正 (PFC) 轉換器，采用了 TI 高性能氮化鎵 (GaN) 電源開關。峰值系統效率為 99.2%，該數值在 120W/in3 開放式框架功率密度下測得。該功率級在基于零電流檢測 (ZCD) 的全新控制機制中采用兩相圖騰柱 PFC。新的控制方法采用變頻工作，并在所有工作行條件下保持零電壓開關 (ZVS)。該控制通過 TMS320F280039C 高性能微控制器和集成了 ZCD 檢測感測功能的 LMG3527R030 GaN 場效應晶體管 (FET) 來實現。轉換器的工作頻率范圍約介于 100kHz 和 800kHz 之間。
測試報告: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
VQFN (RQS) 52 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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