LMG3410R070

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具有集成驅動器和保護功能的 600V 70m? GaN

產品詳情

VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 70 ID (max) (A) 12 Features Bottom-side cooled, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 70 ID (max) (A) 12 Features Bottom-side cooled, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RWH) 32 64 mm2 8 x 8
  • TI GaN 工藝通過了實際應用硬開關任務剖面可靠性加速測試
  • 支持高密度電源轉換設計
    • 與共源共柵或獨立 GaN FET 相比具有卓越的系統性能
    • 低電感 8mm x 8mm QFN 封裝簡化了設計和布局
    • 可調節驅動強度確保開關性能和 EMI 控制
    • 數字故障狀態輸出信號
    • 僅需 +12V 非穩壓電源
  • 集成柵極驅動器
    • 零共源電感
    • 20ns 傳播延遲確保 MHz 級工作頻率
    • 工藝經過調整的柵極偏置電壓確?？煽啃?/li>
    • 25 到 100V/ns 的用戶可調節壓擺率
  • 強大的保護
    • 無需外部保護組件
    • 過流保護，響應時間低于 100ns
    • 壓擺率抗擾性高于 150V/ns
    • 瞬態過壓抗擾度
    • 過熱保護
    • 針對所有電源軌的 UVLO 保護
  • 器件選項：
    • LMG3410R070：鎖存過流保護
    • LMG3411R070：逐周期過流保護
  • TI GaN 工藝通過了實際應用硬開關任務剖面可靠性加速測試
  • 支持高密度電源轉換設計
    • 與共源共柵或獨立 GaN FET 相比具有卓越的系統性能
    • 低電感 8mm x 8mm QFN 封裝簡化了設計和布局
    • 可調節驅動強度確保開關性能和 EMI 控制
    • 數字故障狀態輸出信號
    • 僅需 +12V 非穩壓電源
  • 集成柵極驅動器
    • 零共源電感
    • 20ns 傳播延遲確保 MHz 級工作頻率
    • 工藝經過調整的柵極偏置電壓確保可靠性
    • 25 到 100V/ns 的用戶可調節壓擺率
  • 強大的保護
    • 無需外部保護組件
    • 過流保護，響應時間低于 100ns
    • 壓擺率抗擾性高于 150V/ns
    • 瞬態過壓抗擾度
    • 過熱保護
    • 針對所有電源軌的 UVLO 保護
  • 器件選項：
    • LMG3410R070：鎖存過流保護
    • LMG3411R070：逐周期過流保護

LMG341xR070 GaN 功率級具有集成型驅動器和保護功能，可讓設計人員在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有優勢超越硅 MOSFET，包括超低輸入和輸出電容值、可將開關損耗降低 80% 的零反向恢復以及可降低 EMI 的低開關節點振鈴。這些優勢支持諸如圖騰柱 PFC 之類的密集高效拓撲。

LMG341xR070 通過集成一系列獨一無二的特性提供傳統共源共柵 GaN 和獨立 GaN FET 的 替代產品 ，以簡化設計，最大限度地提高可靠性并優化任何電源的性能。集成式柵極驅動器支持 100V/ns 開關（Vds 振鈴幾乎為零），低于 100ns 的限流可自行防止意外擊穿事件，過熱關斷可防止熱逃逸，而且系統接口信號可提供自監控功能。

LMG341xR070 GaN 功率級具有集成型驅動器和保護功能，可讓設計人員在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有優勢超越硅 MOSFET，包括超低輸入和輸出電容值、可將開關損耗降低 80% 的零反向恢復以及可降低 EMI 的低開關節點振鈴。這些優勢支持諸如圖騰柱 PFC 之類的密集高效拓撲。

LMG341xR070 通過集成一系列獨一無二的特性提供傳統共源共柵 GaN 和獨立 GaN FET 的 替代產品 ，以簡化設計，最大限度地提高可靠性并優化任何電源的性能。集成式柵極驅動器支持 100V/ns 開關（Vds 振鈴幾乎為零），低于 100ns 的限流可自行防止意外擊穿事件，過熱關斷可防止熱逃逸，而且系統接口信號可提供自監控功能。
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技術文檔

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設計和開發

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評估板

LMG34XX-BB-EVM — 適用于 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系統級評估主板

LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分線板，可將 LMG3410-HB-EVM 等任何 LMG341x 半橋板配置為同步降壓轉換器。通過提供功率級、偏置電源和邏輯電路，該 EVM 可用于快速測量 GaN 器件的開關速度。該 EVM 能夠在提供充分熱管理（強制通風、低頻運行等）的同時提供高達 8A 的輸出電流，從而確保不超出最大工作溫度。該 EVM 不適合用于瞬態測量，因為該板是開環板。

僅需要一個脈寬調制輸入，即可在電路板上生成互補的脈寬調制信號和相應的死區時間。提供了探測點，從而可使用具有短接地彈簧的示波器探針測量關鍵邏輯和功率級波形。

用戶指南: PDF
TI.com 上無現貨
子卡

LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70m? GaN 半橋子卡

LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分線板，可將 LMG3410-HB-EVM 等任何 LMG34XX 半橋板配置為同步降壓轉換器。 ?通過提供功率級、偏置電源和邏輯電路，該 EVM 可用于快速測量 GaN 器件的開關速度。 ?該 EVM 能夠在提供充分熱管理（強制通風、低頻運行等）的同時提供高達 8A 的輸出電流，從而確保不超出最大工作溫度。 ?該 EVM 不適合用于瞬態測量，因為該板是開環板。
僅需要一個脈寬調制輸入，即可在電路板上生成互補的脈寬調制信號和相應的死區時間。 ?提供了探測點，從而可使用具有短接地彈簧的示波器探針測量關鍵邏輯和功率級波形。
LMG3410-HB-EVM (...)
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仿真模型

LMG3410 TINA-TI Spice Model (Rev. B)

SNOM608B.TSC (158 KB) - TINA-TI Spice Model
下載
仿真模型

LMG3410R070 Unencrypted PSpice Model (Rev. D)

SNOM593D.ZIP (57 KB) - PSpice Model
下載
CAD/CAE 符號

LMG3410 Daughter Card EVM Design Files (Rev. A)

SNOR009A.ZIP (10151 KB)
下載
CAD/CAE 符號

LMG34xx Mother Board EVM Design Files

SNOR010.ZIP (4044 KB)
下載
計算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
支持的產品和硬件

支持的產品和硬件

產品
氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG2100R026 — 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 (GaN) 功率級 LMG2100R044 — 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET LMG2610 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能且適用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋 LMG2640 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V、105mΩ GaN 半橋 LMG2650 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V、95mΩ GaN 半橋 LMG2652 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V、140mΩ GaN 半橋 LMG2656 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V、230mΩ GaN 半橋 LMG3410R050 — 具有集成驅動器和保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有集成驅動器和保護功能的 600V 70m? GaN LMG3410R150 — 具有集成驅動器和過流保護功能的 600V 150mΩ GaN LMG3411R050 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 50m? GaN LMG3411R070 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 70m? GaN LMG3411R150 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 150mΩ GaN LMG3422R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 600V 30m? GaN FET LMG3422R050 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 600V 50m? GaN FET LMG3425R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能以及理想二極管模式的 600V 30m? GaN FET LMG3425R050 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能以及理想二極管模式的 600V 50m? GaN FET LMG3426R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 50m? GaN FET LMG3427R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3427R050 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 650V 30m? GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的汽車類 650V 30m? GaN FET LMG3522R050 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 650V 50m? GaN FET LMG3526R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 650V 30m? GaN FET LMG3526R050 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測報告功能的 650V 50m? GaN FET LMG3527R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 650V 30m? GaN FET LMG5200 — 80V GaN 半橋功率級
計算工具

SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

支持的產品和硬件

支持的產品和硬件

產品
氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG3410R050 — 具有集成驅動器和保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有集成驅動器和保護功能的 600V 70m? GaN LMG3410R150 — 具有集成驅動器和過流保護功能的 600V 150mΩ GaN LMG3411R050 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 50m? GaN LMG3411R070 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 70m? GaN LMG3411R150 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 150mΩ GaN LMG3422R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 600V 30m? GaN FET LMG3522R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 650V 30m? GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的汽車類 650V 30m? GaN FET LMG3526R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 650V 30m? GaN FET
計算工具

SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

支持的產品和硬件

支持的產品和硬件

產品
氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG3410R050 — 具有集成驅動器和保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有集成驅動器和保護功能的 600V 70m? GaN LMG3410R150 — 具有集成驅動器和過流保護功能的 600V 150mΩ GaN LMG3411R050 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 50m? GaN LMG3411R070 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 70m? GaN LMG3411R150 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 150mΩ GaN LMG3422R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 600V 30m? GaN FET LMG3422R050 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 600V 50m? GaN FET LMG3522R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 650V 30m? GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的汽車類 650V 30m? GaN FET LMG3526R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 650V 30m? GaN FET
參考設計

TIDA-010062 — 1kW、80+ titanium、GaN CCM 圖騰柱無橋 PFC 和半橋 LLC（具有 LFU）參考設計

此參考設計是一種數字控制的緊湊型 1kW 交流/直流電源設計，適用于服務器電源單元 (PSU) 和電信整流器應用。該高效設計支持兩個主要功率級，包括一個前端連續導通模式 (CCM) 圖騰柱無橋功率因數校正 (PFC) 功率級。PFC 級采用帶有集成驅動器的 LMG341x GaN FET，可在寬負載范圍內實現高效率，并且符合 80 Plus Titanium 要求。該參考設計還支持 LMG3422 GaN FET 半橋電感器-電感器-電容器 (LLC) 隔離式直流/直流級，以便在 1kW 功率下實現 +12V 直流輸出。兩個控制卡使用 C2000? Piccolo? 微控制器來控制兩個功率級。
設計指南: PDF
原理圖: PDF
參考設計

PMP20873 — 效率高達 99% 且基于 GaN 的 1kW CCM 圖騰柱功率因數校正 (PFC) 轉換器參考設計

連續導通模式 (CCM) 圖騰柱功率因數校正 (PFC) 是一款簡單高效的電源轉換器。? 為了實現 99% 的效率，需要考慮許多設計細節。? PMP20873 參考設計采用 TI 的 600V GaN 功率級，LMG3410 和 TI 的 UCD3138 數字控制器。? 設計概述詳細介紹了連續導通模式 (CCM) 圖騰柱拓撲的工作原理，給出了電路的詳細設計考慮考量因素，并提供了磁性元件和固件控制方面的設計考慮因素。此轉換器設計的工作頻率為 100KHz。在交流線路過零處軟啟動可最大限度地減小電流尖峰并降低 THD。? PFC 固件實時測量交流電流和 PFC (...)
測試報告: PDF
原理圖: PDF
參考設計

TIDM-1007 — 高效率 GaN CCM 圖騰柱無橋功率因數校正 (PFC) 參考設計

交錯式連續導通模式 (CCM) 圖騰柱 (TTPL) 無橋功率因數校正 (PFC) 采用高帶隙 GaN 器件，由于具有電源效率高和尺寸小的特點，因此是極具吸引力的電源拓撲。此設計說明了使用 C2000? MCU 和 LMG3410 GaN FET 模塊來控制此功率級的方法。采用自適應死區時間與切相方法提升效率。? 非線性電壓補償器旨在減少瞬態期間的過沖和下沖。此設計選擇基于軟件鎖相環 (SPLL) 的方案來精確地驅動圖騰柱電橋。供該設計使用的硬件和軟件可幫助您縮短產品上市時間。
設計指南: PDF
原理圖: PDF
參考設計

TIDM-02008 — 采用 C2000? MCU 的雙向高密度 GaN CCM 圖騰柱 PFC

此參考設計為 3kW 雙向交錯式連續導通模式 (CCM) 圖騰柱 (TTPL) 無橋功率因數校正 (PFC) 功率級，采用 C2000? 實時控制器和具有集成驅動器和保護功能的 LMG3410R070 氮化鎵 (GaN)。  此電源拓撲支持雙向潮流（PFC 和并網逆變器）且使用 LMG341x GaN 器件，可提高效率并減小電源尺寸。該設計可利用切相和自適應死區時間來提高效率，通過輸入電容補償方案提高輕負載下的功率因數，并借助非線性電壓環降低 PFC 模式下的瞬態電壓尖峰。此參考設計中的硬件和軟件可幫助您縮短產品上市時間。

 

設計指南: PDF
原理圖: PDF
參考設計

PMP41006 — 由 C2000? 和 GaN 實現 CCM 圖騰柱 PFC 和電流模式 LLC 的 1kW 參考設計

此參考設計在使用 C2000? F28004x 微控制器的半橋 LLC 級上演示了一種混合遲滯控制 (HHC) 方法，這是一種電流模式控制方法。該硬件基于 TIDA-010062 1kW、80 Plus 鈦金級、GaN CCM 圖騰柱無橋 PFC 和半橋 LLC 參考設計。通過另行添加感應卡實現了混合遲滯控制，從而在諧振電容器上重新生成電壓。與單環路電壓模式控制方法 (VMC) 相比，該 HHC LLC 級具有更好的瞬態響應和易于控制的環路設計。
測試報告: PDF
參考設計

PMP41043 — 由 C2000 和 GaN 實現 CCM 圖騰柱 PFC 和電流模式 LLC 的 1.6kW 參考設計

此參考設計在使用 C2000 F28004x 微控制器的半橋 LLC 級上演示了一種混合遲滯控制 (HHC) 方法，這是一種電流模式控制方法。該硬件基于 TIDA-010062 1kW、80 Plus 鈦金級、GaN CCM 圖騰柱無橋 PFC 和半橋 LLC 參考設計。通過另行添加感應卡實現了混合遲滯控制，從而在諧振電容器上重新生成電壓。

與單環路電壓模式控制方法 (VMC) 相比，該 HHC LLC 級具有更好的瞬態響應和易于控制的環路設計。

測試報告: PDF
參考設計

PMP21309 — 具有 HV GaN FET 的 24V/500W 諧振轉換器參考設計

此參考設計是一種高頻率諧振轉換器參考設計。使用諧振頻率為 500 kHz 的諧振回路，將輸出電壓穩定調節為 24V，輸入電壓范圍為 380V 至 400V。此設計使用 TI 的高電壓 GaN 器件、LMG3410R070 以及 UCD3138A 和 UCD7138 來優化死區時間和同步整流器 (SR) 導通，實現了 97.9% 的峰值效率。
測試報告: PDF
原理圖: PDF
參考設計

PMP21842 — 具有 HV GaN FET 的 12V/500W 諧振轉換器參考設計

此高頻諧振轉換器參考設計使用諧振頻率為 500kHz 的諧振回路，在 380V 至 400V 的輸入電壓范圍內提供 12V 穩壓輸出。此設計使用我們的高電壓 GaN 器件以及 UCD3138A 和 UCD7138 來優化死區時間和同步整流器 (SR) 導通，實現了 96.0%（含輔助電源）的峰值效率。
測試報告: PDF
原理圖: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
VQFN (RWH) 32 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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支持和培訓

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