LMG3410R150

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具有集成驅動器和過流保護功能的 600V 150mΩ GaN

產品詳情

VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 150 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 150 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RWH) 32 64 mm2 8 x 8
  • TI GaN 工藝通過了實際應用硬開關任務剖面可靠性加速測試
  • 支持高密度電源轉換設計
    • 與共源共柵或獨立 GaN FET 相比具有卓越的系統性能
    • 低電感 8mm x 8mm QFN 封裝簡化了設計和布局
    • 可調節驅動強度確保開關性能和 EMI 控制
    • 數字故障狀態輸出信號
    • 僅需 +12V 非穩壓電源
  • 集成柵極驅動器
    • 零共源電感
    • 20ns 傳播延遲確保 MHz 級工作頻率
    • 工藝經過調整的柵極偏置電壓確?？煽啃?/li>
    • 25V/ns 至 100V/ns 的用戶可調節壓擺率
    • 逐周期過流保護
  • 強大的保護
    • 無需外部保護組件
    • 過流保護，響應時間低于 100ns
    • 壓擺率抗擾性高于 150V/ns
    • 瞬態過壓抗擾度
    • 過熱保護
    • 針對所有電源軌的 UVLO 保護
  • 器件選項：
    • LMG3410R150：鎖存過流保護
    • LMG3411R150：逐周期過流保護
  • TI GaN 工藝通過了實際應用硬開關任務剖面可靠性加速測試
  • 支持高密度電源轉換設計
    • 與共源共柵或獨立 GaN FET 相比具有卓越的系統性能
    • 低電感 8mm x 8mm QFN 封裝簡化了設計和布局
    • 可調節驅動強度確保開關性能和 EMI 控制
    • 數字故障狀態輸出信號
    • 僅需 +12V 非穩壓電源
  • 集成柵極驅動器
    • 零共源電感
    • 20ns 傳播延遲確保 MHz 級工作頻率
    • 工藝經過調整的柵極偏置電壓確?？煽啃?/li>
    • 25V/ns 至 100V/ns 的用戶可調節壓擺率
    • 逐周期過流保護
  • 強大的保護
    • 無需外部保護組件
    • 過流保護，響應時間低于 100ns
    • 壓擺率抗擾性高于 150V/ns
    • 瞬態過壓抗擾度
    • 過熱保護
    • 針對所有電源軌的 UVLO 保護
  • 器件選項：
    • LMG3410R150：鎖存過流保護
    • LMG3411R150：逐周期過流保護

LMG341xR150 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能，可讓設計人員在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有優勢超越硅 MOSFET，包括超低輸入和輸出電容值、可將開關損耗降低 80% 的零反向恢復以及可降低 EMI 的低開關節點振鈴。這些優勢支持諸如圖騰柱 PFC 之類的密集高效拓撲。

LMG341xR150 通過集成一系列獨特的 特性 提供了傳統共源共柵 GaN 和獨立 GaN FET 的智能替代產品，以簡化設計、最大限度地提高可靠性并優化任何電源的性能。集成式柵極驅動器支持 100V/ns 開關（Vds 振鈴幾乎為零），低于 100ns 的限流可自行防止意外擊穿事件，過熱關斷可防止熱逃逸，而且系統接口信號可提供自監控功能。

LMG341xR150 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能，可讓設計人員在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有優勢超越硅 MOSFET，包括超低輸入和輸出電容值、可將開關損耗降低 80% 的零反向恢復以及可降低 EMI 的低開關節點振鈴。這些優勢支持諸如圖騰柱 PFC 之類的密集高效拓撲。

LMG341xR150 通過集成一系列獨特的 特性 提供了傳統共源共柵 GaN 和獨立 GaN FET 的智能替代產品，以簡化設計、最大限度地提高可靠性并優化任何電源的性能。集成式柵極驅動器支持 100V/ns 開關（Vds 振鈴幾乎為零），低于 100ns 的限流可自行防止意外擊穿事件，過熱關斷可防止熱逃逸，而且系統接口信號可提供自監控功能。
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EVM 用戶指南 LMG3410R150-031 EVM User Guide 2019年 4月 2日

設計和開發

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評估板

LMG34XX-BB-EVM — 適用于 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系統級評估主板

LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分線板，可將 LMG3410-HB-EVM 等任何 LMG341x 半橋板配置為同步降壓轉換器。通過提供功率級、偏置電源和邏輯電路，該 EVM 可用于快速測量 GaN 器件的開關速度。該 EVM 能夠在提供充分熱管理（強制通風、低頻運行等）的同時提供高達 8A 的輸出電流，從而確保不超出最大工作溫度。該 EVM 不適合用于瞬態測量，因為該板是開環板。

僅需要一個脈寬調制輸入，即可在電路板上生成互補的脈寬調制信號和相應的死區時間。提供了探測點，從而可使用具有短接地彈簧的示波器探針測量關鍵邏輯和功率級波形。

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子卡

LMG3410EVM-031 — LMG3410R150 600V 150m? GaN 半橋子卡

LMG3410EVM-031 將兩個 LMG3410R150 GaN FET 配置到具有鎖存過流保護功能和所有必要輔助外圍電路的半橋中。該 EVM 旨在與大型系統配合使用。
用戶指南: PDF
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仿真模型

LMG3410R150 Unencrypted PSPICE Trans Model Package (Rev. A)

SNOM676A.ZIP (42 KB) - PSpice Model
下載
計算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
支持的產品和硬件

支持的產品和硬件

產品
氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG2100R026 — 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 (GaN) 功率級 LMG2100R044 — 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET LMG2610 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能且適用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋 LMG2640 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V、105mΩ GaN 半橋 LMG2650 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V、95mΩ GaN 半橋 LMG2652 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V、140mΩ GaN 半橋 LMG2656 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V、230mΩ GaN 半橋 LMG3410R050 — 具有集成驅動器和保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有集成驅動器和保護功能的 600V 70m? GaN LMG3410R150 — 具有集成驅動器和過流保護功能的 600V 150mΩ GaN LMG3411R050 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 50m? GaN LMG3411R070 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 70m? GaN LMG3411R150 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 150mΩ GaN LMG3422R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 600V 30m? GaN FET LMG3422R050 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 600V 50m? GaN FET LMG3425R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能以及理想二極管模式的 600V 30m? GaN FET LMG3425R050 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能以及理想二極管模式的 600V 50m? GaN FET LMG3426R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 50m? GaN FET LMG3427R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3427R050 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 650V 30m? GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的汽車類 650V 30m? GaN FET LMG3522R050 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 650V 50m? GaN FET LMG3526R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 650V 30m? GaN FET LMG3526R050 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測報告功能的 650V 50m? GaN FET LMG3527R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 650V 30m? GaN FET LMG5200 — 80V GaN 半橋功率級
計算工具

SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

支持的產品和硬件

支持的產品和硬件

產品
氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG3410R050 — 具有集成驅動器和保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有集成驅動器和保護功能的 600V 70m? GaN LMG3410R150 — 具有集成驅動器和過流保護功能的 600V 150mΩ GaN LMG3411R050 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 50m? GaN LMG3411R070 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 70m? GaN LMG3411R150 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 150mΩ GaN LMG3422R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 600V 30m? GaN FET LMG3522R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 650V 30m? GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的汽車類 650V 30m? GaN FET LMG3526R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 650V 30m? GaN FET
計算工具

SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

支持的產品和硬件

支持的產品和硬件

產品
氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG3410R050 — 具有集成驅動器和保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有集成驅動器和保護功能的 600V 70m? GaN LMG3410R150 — 具有集成驅動器和過流保護功能的 600V 150mΩ GaN LMG3411R050 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 50m? GaN LMG3411R070 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 70m? GaN LMG3411R150 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 150mΩ GaN LMG3422R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 600V 30m? GaN FET LMG3422R050 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 600V 50m? GaN FET LMG3522R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 650V 30m? GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的汽車類 650V 30m? GaN FET LMG3526R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 650V 30m? GaN FET
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
VQFN (RWH) 32 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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