LMG2640
- 650V GaN 功率 FET 半橋
- 105m? 低側和高側 GaN FET
- 具有低傳播延遲的集成柵極驅動器
- 具有高帶寬和高精度的電流檢測仿真
- 低側/高側柵極驅動互鎖
- 高側柵極驅動信號電平轉換器
- 智能開關自舉二極管功能
- 高側啟動:< 8μs
- 低側/高側逐周期過流保護
- 通過 FLT 引腳報告實現過熱保護
- AUX 空閑靜態電流:250μA
- AUX 待機靜態電流:50μA
- BST 空閑靜態電流:65μA
- 最大電源和輸入邏輯引腳電壓:26V
- 具有雙散熱焊盤的 9mm×7mm QFN 封裝
LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于開關模式電源應用中 。LMG2640 通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅動器、自舉二極管和高側柵極驅動電平轉換器,可簡化設計、減少元件數量并縮減布板空間。
與傳統的電流檢測電阻相比,低側電流檢測仿真可降低功耗,并允許將低側散熱焊盤連接到 PCB 電源地進行冷卻。
高側柵極驅動信號電平轉換器消除了外部解決方案中出現的噪聲和突發模式功率耗散問題。智能開關 GaN 自舉 FET 沒有二極管正向壓降,可避免高側電源過充,并且反向恢復電荷為零。
LMG2640 具有低靜態電流和快速啟動時間,支持轉換器輕負載效率要求和突發模式運行。保護特性包括 FET 導通互鎖、欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過熱關斷。
設計和開發
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子卡
LMG2640EVM-090 — LMG2640 子卡
LMG2640 子卡評估模塊 (EVM) 旨在提供一個快速簡便的平臺來評估 TI 集成 GaN 器件在任何半橋拓撲中的應用。該電路板旨在使用電路板底部邊緣的 6 個電源引腳和 10 個數字引腳與更大的系統連接。電源引腳形成主開關環路,該回路由高壓直流母線、開關節點和電源接地組成。數字引腳通過 PWM 柵極輸入來控制 LMG2640 器件,使用低壓電源提供輔助電源,并以數字輸出形式報告故障信息。使用 TI 的同步降壓/升壓主板 (LMG342X-BB-EVM) 可以非常輕松地評估 LMG2640EVM (...)
計算工具
Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VQFN (RRG) | 40 | Ultra Librarian |
訂購和質量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件標識
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級/回流焊峰值溫度
- MTBF/時基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續可靠性監測
包含信息:
- 制造廠地點
- 封裝廠地點
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