主頁(yè) 電源管理 功率級(jí) 氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)

LMG3426R050

正在供貨

具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的 600V 50m? GaN FET

產(chǎn)品詳情

VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 44 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Zero voltage detection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 44 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Zero voltage detection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (RQZ) 54 144 mm2 12 x 12
  • 符合面向硬開關(guān)拓?fù)涞?JEDEC JEP180 標(biāo)準(zhǔn)
  • 帶集成柵極驅(qū)動(dòng)器的 600V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度柵極偏置電壓
    • 200V/ns FET 釋抑
    • 3.6MHz 開關(guān)頻率
    • 20V/ns 至 150V/ns 壓擺率，用于優(yōu)化開關(guān)性能與緩解 EMI
    • 由 7.5V 至 18V 電源供電
  • 強(qiáng)大的保護(hù)
    • 響應(yīng)時(shí)間 ＜ 100ns 的逐周期過(guò)流與鎖存短路保護(hù)
    • 硬開關(guān)時(shí)可承受 720V 浪涌
    • 針對(duì)內(nèi)部過(guò)熱和 UVLO 監(jiān)控的自我保護(hù)
  • 高級(jí)電源管理
    • 數(shù)字溫度 PWM 輸出
    • LMG3426R050 包括有助于實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器的零電壓檢測(cè)功能 (ZVD)
    • LMG3427R050 包括有助于實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器的零電流檢測(cè)功能（ZCD）
  • 符合面向硬開關(guān)拓?fù)涞?JEDEC JEP180 標(biāo)準(zhǔn)
  • 帶集成柵極驅(qū)動(dòng)器的 600V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度柵極偏置電壓
    • 200V/ns FET 釋抑
    • 3.6MHz 開關(guān)頻率
    • 20V/ns 至 150V/ns 壓擺率，用于優(yōu)化開關(guān)性能與緩解 EMI
    • 由 7.5V 至 18V 電源供電
  • 強(qiáng)大的保護(hù)
    • 響應(yīng)時(shí)間 ＜ 100ns 的逐周期過(guò)流與鎖存短路保護(hù)
    • 硬開關(guān)時(shí)可承受 720V 浪涌
    • 針對(duì)內(nèi)部過(guò)熱和 UVLO 監(jiān)控的自我保護(hù)
  • 高級(jí)電源管理
    • 數(shù)字溫度 PWM 輸出
    • LMG3426R050 包括有助于實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器的零電壓檢測(cè)功能 (ZVD)
    • LMG3427R050 包括有助于實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器的零電流檢測(cè)功能（ZCD）

LMG342xR050 GaN FET 具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，能夠讓設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度與效率。

LMG342xR050 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比，TI 的集成式精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān) SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術(shù)相結(jié)合，可在硬開關(guān)電源拓?fù)渲刑峁└蓛舻拈_關(guān)和超小的振鈴?？烧{(diào)柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度允許將壓擺率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之間，這可用于主動(dòng)控制 EMI 并優(yōu)化開關(guān)性能。LMG3426R050包含零電壓檢測(cè)（ZVD）功能，能夠在實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)時(shí)提供 ZVD 引腳脈沖輸出。LMG3427R050 包含零電流檢測(cè)（ZCD）功能，能夠在檢測(cè)到源極到漏極的正向電流時(shí)提供 ZCD 引腳脈沖輸出。

高級(jí)電源管理功能包括數(shù)字溫度報(bào)告和故障檢測(cè)。GaN FET 的溫度通過(guò)可變占空比 PWM 輸出進(jìn)行報(bào)告，這可簡(jiǎn)化器件加載管理。報(bào)告的故障包括過(guò)流、短路、過(guò)熱、VDD UVLO 以及高阻抗 RDRV 引腳。

LMG342xR050 GaN FET 具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，能夠讓設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度與效率。

LMG342xR050 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比，TI 的集成式精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān) SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術(shù)相結(jié)合，可在硬開關(guān)電源拓?fù)渲刑峁└蓛舻拈_關(guān)和超小的振鈴?？烧{(diào)柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度允許將壓擺率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之間，這可用于主動(dòng)控制 EMI 并優(yōu)化開關(guān)性能。LMG3426R050包含零電壓檢測(cè)（ZVD）功能，能夠在實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)時(shí)提供 ZVD 引腳脈沖輸出。LMG3427R050 包含零電流檢測(cè)（ZCD）功能，能夠在檢測(cè)到源極到漏極的正向電流時(shí)提供 ZCD 引腳脈沖輸出。

高級(jí)電源管理功能包括數(shù)字溫度報(bào)告和故障檢測(cè)。GaN FET 的溫度通過(guò)可變占空比 PWM 輸出進(jìn)行報(bào)告，這可簡(jiǎn)化器件加載管理。報(bào)告的故障包括過(guò)流、短路、過(guò)熱、VDD UVLO 以及高阻抗 RDRV 引腳。
下載 觀看帶字幕的視頻 視頻

技術(shù)文檔

star =有關(guān)此產(chǎn)品的 TI 精選熱門文檔
未找到結(jié)果。請(qǐng)清除搜索并重試。
查看全部 1
類型 標(biāo)題 下載最新的英語(yǔ)版本 日期
* 數(shù)據(jù)表 集成了驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)與溫度報(bào)告功能的 LMG342xR050 600 V 50 m? GaN FET 數(shù)據(jù)表 (Rev. D) PDF | HTML 英語(yǔ)版 (Rev.D) PDF | HTML 2025年 7月 24日

設(shè)計(jì)和開發(fā)

如需其他信息或資源，請(qǐng)點(diǎn)擊以下任一標(biāo)題進(jìn)入詳情頁(yè)面查看（如有）。

評(píng)估板

LMG342X-BB-EVM — LMG342x 評(píng)估模塊

LMG342X-BB-EVM 是易于使用的分線板，可將 LMG3422EVM-043 等各種 LMG342xR0x0 半橋板配置為同步降壓轉(zhuǎn)換器。通過(guò)提供功率級(jí)、輔助電源和邏輯電路，該評(píng)估模塊 (EVM) 可用于快速測(cè)量氮化鎵 (GaN) 器件的開關(guān)速度。該 EVM 能夠在提供充分熱管理（強(qiáng)制通風(fēng)、低頻運(yùn)行等）的同時(shí)提供高達(dá) 12A 的輸出電流，從而確保不超出最大工作溫度。該 EVM 不適合用于瞬態(tài)測(cè)量，因?yàn)樵摪迨情_環(huán)板。

僅需要一個(gè)脈寬調(diào)制輸入，即可在電路板上生成互補(bǔ)的脈寬調(diào)制信號(hào)和相應(yīng)的死區(qū)時(shí)間。提供了探測(cè)點(diǎn)，從而可使用具有短接地彈簧的示波器探針測(cè)量關(guān)鍵邏輯和功率級(jí)波形。

用戶指南: PDF | HTML
英語(yǔ)版 (Rev.B): PDF | HTML
TI.com 上無(wú)現(xiàn)貨
子卡

LMG3422EVM-043 — LMG3422R030 600V 30m? 半橋子卡

LMG3422EVM-043 將兩個(gè) LMG3422R030 GaN FET 配置到具有鎖存過(guò)流保護(hù)功能和所有必要輔助外圍電路的半橋中。該 EVM 旨在與大型系統(tǒng)配合使用。
用戶指南: PDF | HTML
英語(yǔ)版 (Rev.B): PDF | HTML
TI.com 上無(wú)現(xiàn)貨
計(jì)算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
支持的產(chǎn)品和硬件

支持的產(chǎn)品和硬件

產(chǎn)品
氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)
  • LMG2100R026 — 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)
  • LMG2100R044 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET
  • LMG2610 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)功能且適用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋
  • LMG2640 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)功能的 650V、105mΩ GaN 半橋
  • LMG2650 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)功能的 650V、95mΩ GaN 半橋
  • LMG2652 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)功能的 650V、140mΩ GaN 半橋
  • LMG2656 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)功能的 650V、230mΩ GaN 半橋
  • LMG3410R050 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 600V 50mΩ GaN
  • LMG3410R070 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 600V 70m? GaN
  • LMG3410R150 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器和過(guò)流保護(hù)功能的 600V 150mΩ GaN
  • LMG3411R050 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器和逐周期過(guò)流保護(hù)功能的 600V 50m? GaN
  • LMG3411R070 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器和逐周期過(guò)流保護(hù)功能的 600V 70m? GaN
  • LMG3411R150 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器和逐周期過(guò)流保護(hù)功能的 600V 150mΩ GaN
  • LMG3422R030 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的 600V 30m? GaN FET
  • LMG3422R050 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的 600V 50m? GaN FET
  • LMG3425R030 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能以及理想二極管模式的 600V 30m? GaN FET
  • LMG3425R050 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能以及理想二極管模式的 600V 50m? GaN FET
  • LMG3426R030 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的 600V 30mΩ GaN FET
  • LMG3426R050 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的 600V 50m? GaN FET
  • LMG3427R030 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的 600V 30mΩ GaN FET
  • LMG3427R050 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的 600V 50mΩ GaN FET
  • LMG3522R030 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的 650V 30m? GaN FET
  • LMG3522R030-Q1 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的汽車類 650V 30m? GaN FET
  • LMG3522R050 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的 650V 50m? GaN FET
  • LMG3526R030 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的 650V 30m? GaN FET
  • LMG3526R050 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)報(bào)告功能的 650V 50m? GaN FET
  • LMG3527R030 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的 650V 30m? GaN FET
  • LMG5200 — 80V GaN 半橋功率級(jí)
封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
VQFN (RQZ) 54 Ultra Librarian

訂購(gòu)和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評(píng)估模塊或參考設(shè)計(jì)。

支持和培訓(xùn)

可獲得 TI 工程師技術(shù)支持的 TI E2E? 論壇

所有內(nèi)容均由 TI 和社區(qū)貢獻(xiàn)者按“原樣”提供，并不構(gòu)成 TI 規(guī)范。請(qǐng)參閱使用條款。

如果您對(duì)質(zhì)量、包裝或訂購(gòu) TI 產(chǎn)品有疑問，請(qǐng)參閱 TI 支持。??????????????

視頻