LMG3411R050

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具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 50m? GaN

產品詳情

VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 12 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 12 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RWH) 32 64 mm2 8 x 8
  • TI GaN 工藝通過了實際應用硬開關任務剖面可靠性加速測試
  • 支持高密度電源轉換設計
    • 與共源共柵或獨立 GaN FET 相比具有卓越的系統性能
    • 低電感 8mm x 8mm QFN 封裝簡化了設計和布局
    • 可調節驅動強度確保開關性能和 EMI 控制
    • 數字故障狀態輸出信號
    • 僅需 +12V 非穩壓電源
  • 集成柵極驅動器
    • 零共源電感
    • 20ns 傳播延遲，確保 MHz 級工作頻率
    • 工藝經過調整的柵極偏置電壓，確保可靠性
    • 25V/ns 至 100V/ns 的用戶可調節壓擺率
  • 強大的保護
    • 無需外部保護組件
    • 過流保護，響應時間低于 100ns
    • 壓擺率抗擾性高于 150V/ns
    • 瞬態過壓抗擾度
    • 過熱保護
    • 針對所有電源軌的 UVLO 保護
  • 強大的保護
    • LMG3410R050：鎖存過流保護
    • LMG3411R050：逐周期過流保護
    • TI GaN 工藝通過了實際應用硬開關任務剖面可靠性加速測試
    • 支持高密度電源轉換設計
      • 與共源共柵或獨立 GaN FET 相比具有卓越的系統性能
      • 低電感 8mm x 8mm QFN 封裝簡化了設計和布局
      • 可調節驅動強度確保開關性能和 EMI 控制
      • 數字故障狀態輸出信號
      • 僅需 +12V 非穩壓電源
    • 集成柵極驅動器
      • 零共源電感
      • 20ns 傳播延遲，確保 MHz 級工作頻率
      • 工藝經過調整的柵極偏置電壓，確保可靠性
      • 25V/ns 至 100V/ns 的用戶可調節壓擺率
    • 強大的保護
      • 無需外部保護組件
      • 過流保護，響應時間低于 100ns
      • 壓擺率抗擾性高于 150V/ns
      • 瞬態過壓抗擾度
      • 過熱保護
      • 針對所有電源軌的 UVLO 保護
    • 強大的保護
      • LMG3410R050：鎖存過流保護
      • LMG3411R050：逐周期過流保護

      LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能，可讓設計人員在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有優勢超越硅 MOSFET，包括超低輸入和輸出電容值、可將開關損耗降低 80% 的零反向恢復以及可降低 EMI 的低開關節點振鈴。這些優勢支持諸如圖騰柱 PFC 之類的密集高效拓撲。

      LMG341xR050 通過集成一系列獨一無二的 特性 提供了傳統共源共柵 GaN 和獨立 GaN FET 的智能替代產品，以簡化設計、最大限度地提高可靠性并優化任何電源的性能。集成式柵極驅動器支持 100V/ns 開關（Vds 振鈴幾乎為零），低于 100ns 的限流可自行防止意外擊穿事件，過熱關斷可防止熱逃逸，而且系統接口信號可提供自監控功能。

      LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能，可讓設計人員在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有優勢超越硅 MOSFET，包括超低輸入和輸出電容值、可將開關損耗降低 80% 的零反向恢復以及可降低 EMI 的低開關節點振鈴。這些優勢支持諸如圖騰柱 PFC 之類的密集高效拓撲。

      LMG341xR050 通過集成一系列獨一無二的 特性 提供了傳統共源共柵 GaN 和獨立 GaN FET 的智能替代產品，以簡化設計、最大限度地提高可靠性并優化任何電源的性能。集成式柵極驅動器支持 100V/ns 開關（Vds 振鈴幾乎為零），低于 100ns 的限流可自行防止意外擊穿事件，過熱關斷可防止熱逃逸，而且系統接口信號可提供自監控功能。
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      設計和開發

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      評估板

      LMG34XX-BB-EVM — 適用于 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系統級評估主板

      LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分線板，可將 LMG3410-HB-EVM 等任何 LMG341x 半橋板配置為同步降壓轉換器。通過提供功率級、偏置電源和邏輯電路，該 EVM 可用于快速測量 GaN 器件的開關速度。該 EVM 能夠在提供充分熱管理（強制通風、低頻運行等）的同時提供高達 8A 的輸出電流，從而確保不超出最大工作溫度。該 EVM 不適合用于瞬態測量，因為該板是開環板。

      僅需要一個脈寬調制輸入，即可在電路板上生成互補的脈寬調制信號和相應的死區時間。提供了探測點，從而可使用具有短接地彈簧的示波器探針測量關鍵邏輯和功率級波形。

      用戶指南: PDF
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      子卡

      LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70m? GaN 半橋子卡

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      僅需要一個脈寬調制輸入，即可在電路板上生成互補的脈寬調制信號和相應的死區時間。 ?提供了探測點，從而可使用具有短接地彈簧的示波器探針測量關鍵邏輯和功率級波形。
      LMG3410-HB-EVM (...)
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      LMG3411EVM-018 — 具有逐周期過流保護的 LMG3411R050 600V 50m? GaN 半橋子卡

      LMG3411EVM-018 將兩個 LMG3411R050 GaN FET 配置到具有逐周期過流保護功能和所有必要輔助外圍電路的半橋中。? 該 EVM 旨在與大型系統配合使用。
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      計算工具

      LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

      Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
      支持的產品和硬件

      支持的產品和硬件

      產品
      氮化鎵 (GaN) 功率級
      LMG2100R026 — 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 (GaN) 功率級 LMG2100R044 — 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET LMG2610 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能且適用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋 LMG2640 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V、105mΩ GaN 半橋 LMG2650 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V、95mΩ GaN 半橋 LMG2652 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V、140mΩ GaN 半橋 LMG2656 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V、230mΩ GaN 半橋 LMG3410R050 — 具有集成驅動器和保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有集成驅動器和保護功能的 600V 70m? GaN LMG3410R150 — 具有集成驅動器和過流保護功能的 600V 150mΩ GaN LMG3411R050 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 50m? GaN LMG3411R070 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 70m? GaN LMG3411R150 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 150mΩ GaN LMG3422R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 600V 30m? GaN FET LMG3422R050 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 600V 50m? GaN FET LMG3425R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能以及理想二極管模式的 600V 30m? GaN FET LMG3425R050 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能以及理想二極管模式的 600V 50m? GaN FET LMG3426R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 50m? GaN FET LMG3427R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3427R050 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 650V 30m? GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的汽車類 650V 30m? GaN FET LMG3522R050 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 650V 50m? GaN FET LMG3526R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 650V 30m? GaN FET LMG3526R050 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測報告功能的 650V 50m? GaN FET LMG3527R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 650V 30m? GaN FET LMG5200 — 80V GaN 半橋功率級
      計算工具

      SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

      支持的產品和硬件

      支持的產品和硬件

      產品
      氮化鎵 (GaN) 功率級
      LMG3410R050 — 具有集成驅動器和保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有集成驅動器和保護功能的 600V 70m? GaN LMG3410R150 — 具有集成驅動器和過流保護功能的 600V 150mΩ GaN LMG3411R050 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 50m? GaN LMG3411R070 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 70m? GaN LMG3411R150 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 150mΩ GaN LMG3422R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 600V 30m? GaN FET LMG3522R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 650V 30m? GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的汽車類 650V 30m? GaN FET LMG3526R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 650V 30m? GaN FET
      計算工具

      SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

      支持的產品和硬件

      支持的產品和硬件

      產品
      氮化鎵 (GaN) 功率級
      LMG3410R050 — 具有集成驅動器和保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有集成驅動器和保護功能的 600V 70m? GaN LMG3410R150 — 具有集成驅動器和過流保護功能的 600V 150mΩ GaN LMG3411R050 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 50m? GaN LMG3411R070 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 70m? GaN LMG3411R150 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 150mΩ GaN LMG3422R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 600V 30m? GaN FET LMG3422R050 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 600V 50m? GaN FET LMG3522R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 650V 30m? GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的汽車類 650V 30m? GaN FET LMG3526R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 650V 30m? GaN FET
      參考設計

      PMP20873 — 效率高達 99% 且基于 GaN 的 1kW CCM 圖騰柱功率因數校正 (PFC) 轉換器參考設計

      連續導通模式 (CCM) 圖騰柱功率因數校正 (PFC) 是一款簡單高效的電源轉換器。? 為了實現 99% 的效率，需要考慮許多設計細節。? PMP20873 參考設計采用 TI 的 600V GaN 功率級，LMG3410 和 TI 的 UCD3138 數字控制器。? 設計概述詳細介紹了連續導通模式 (CCM) 圖騰柱拓撲的工作原理，給出了電路的詳細設計考慮考量因素，并提供了磁性元件和固件控制方面的設計考慮因素。此轉換器設計的工作頻率為 100KHz。在交流線路過零處軟啟動可最大限度地減小電流尖峰并降低 THD。? PFC 固件實時測量交流電流和 PFC (...)
      測試報告: PDF
      原理圖: PDF
      參考設計

      TIDA-010059 — 使用霍爾效應電流傳感器、適用于 230VAC 電機驅動器的同相電流感應參考設計

      此參考設計采用能測量電流的霍爾效應電流傳感器 TMCS1100，絕對誤差 < 1%（–40°C 至 125°C），工作隔離電壓高達 600V。該低電阻、一體式封裝的電流感應元件無需高側電源即可提供緊湊、高效的電流感應解決方案，實現精密的電機扭矩、速度或位置控制。該逆變器功率級包括 600V LMG3411 氮化鎵 (GaN) 功率模塊，能使下一代電機驅動器進一步降低尺寸、提高效率。?
      設計指南: PDF
      原理圖: PDF
      參考設計

      PMP21309 — 具有 HV GaN FET 的 24V/500W 諧振轉換器參考設計

      此參考設計是一種高頻率諧振轉換器參考設計。使用諧振頻率為 500 kHz 的諧振回路，將輸出電壓穩定調節為 24V，輸入電壓范圍為 380V 至 400V。此設計使用 TI 的高電壓 GaN 器件、LMG3410R070 以及 UCD3138A 和 UCD7138 來優化死區時間和同步整流器 (SR) 導通，實現了 97.9% 的峰值效率。
      測試報告: PDF
      原理圖: PDF
      參考設計

      PMP21842 — 具有 HV GaN FET 的 12V/500W 諧振轉換器參考設計

      此高頻諧振轉換器參考設計使用諧振頻率為 500kHz 的諧振回路，在 380V 至 400V 的輸入電壓范圍內提供 12V 穩壓輸出。此設計使用我們的高電壓 GaN 器件以及 UCD3138A 和 UCD7138 來優化死區時間和同步整流器 (SR) 導通，實現了 96.0%（含輔助電源）的峰值效率。
      測試報告: PDF
      原理圖: PDF
      封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
      VQFN (RWH) 32 Ultra Librarian

      訂購和質量

      包含信息：
      • RoHS
      • REACH
      • 器件標識
      • 引腳鍍層/焊球材料
      • MSL 等級/回流焊峰值溫度
      • MTBF/時基故障估算
      • 材料成分
      • 鑒定摘要
      • 持續可靠性監測
      包含信息：
      • 制造廠地點
      • 封裝廠地點

      推薦產品可能包含與 TI 此產品相關的參數、評估模塊或參考設計。

      支持和培訓

      視頻