LMG2100R044

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具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET

產品詳情

VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 4.4 ID (max) (A) 35 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 4.4 ID (max) (A) 35 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
WQFN-FCRLF (RAR) 16 See data sheet
  • Integrated 4.4mΩ half-bridge GaN FETs and driver
  • 90V continuous, 100V pulsed voltage rating
  • Package optimized for easy PCB layout
  • High slew rate switching with low ringing
  • 5V external bias power supply
  • Supports 3.3V and 5V input logic levels
  • Gate driver capable of up to 10MHz switching
  • Excellent propagation delay (33ns typical) and matching (2ns typical)
  • Internal bootstrap supply voltage clamping to prevent GaN FET Overdrive
  • Supply rail undervoltage for lockout protection
  • Low power consumption
  • Exposed top QFN package for top-side cooling
  • Large GND pad for bottom-side cooling
  • Integrated 4.4mΩ half-bridge GaN FETs and driver
  • 90V continuous, 100V pulsed voltage rating
  • Package optimized for easy PCB layout
  • High slew rate switching with low ringing
  • 5V external bias power supply
  • Supports 3.3V and 5V input logic levels
  • Gate driver capable of up to 10MHz switching
  • Excellent propagation delay (33ns typical) and matching (2ns typical)
  • Internal bootstrap supply voltage clamping to prevent GaN FET Overdrive
  • Supply rail undervoltage for lockout protection
  • Low power consumption
  • Exposed top QFN package for top-side cooling
  • Large GND pad for bottom-side cooling

The LMG2100R044 device is a 90V continuous, 100V pulsed, 35A half-bridge power stage, with integrated gate-driver and enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two 100V GaN FETs driven by one high-frequency 90V GaN FET driver in a half-bridge configuration.

GaN FETs provide significant advantages for power conversion as they have zero reverse recovery and very small input capacitance CISS and output capacitance COSS. All the devices are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG2100R044 device is available in a 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.

The TTL logic compatible inputs can support 3.3V and 5V logic levels regardless of the VCC voltage. The proprietary bootstrap voltage clamping technique ensures the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs are within a safe operating range.

The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. It is an ideal solution for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor.

The LMG2100R044 device is a 90V continuous, 100V pulsed, 35A half-bridge power stage, with integrated gate-driver and enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two 100V GaN FETs driven by one high-frequency 90V GaN FET driver in a half-bridge configuration.

GaN FETs provide significant advantages for power conversion as they have zero reverse recovery and very small input capacitance CISS and output capacitance COSS. All the devices are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG2100R044 device is available in a 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.

The TTL logic compatible inputs can support 3.3V and 5V logic levels regardless of the VCC voltage. The proprietary bootstrap voltage clamping technique ensures the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs are within a safe operating range.

The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. It is an ideal solution for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor.

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設計和開發

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評估板

LMG2100EVM-078 — LMG2100 評估模塊

LMG2100 評估模塊 (EVM) 是一款緊湊、易用的功率級，可配置為使用半橋設計的降壓轉換器、升壓轉換器或其他轉換器拓撲。此 EVM 具有一個 LMG2100 半橋電源模塊和兩個 100V 4.4mΩ GaN FET。
用戶指南: PDF | HTML
英語版: PDF | HTML
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仿真模型

LMG2100 SIMPLIS Model

SNOM797.ZIP (87 KB) - SIMPLIS Model
下載
計算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
支持的產品和硬件

支持的產品和硬件

產品
氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG2100R026 — 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 (GaN) 功率級 LMG2100R044 — 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET LMG2610 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能且適用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋 LMG2640 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V、105mΩ GaN 半橋 LMG2650 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V、95mΩ GaN 半橋 LMG2652 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V、140mΩ GaN 半橋 LMG2656 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V、230mΩ GaN 半橋 LMG3410R050 — 具有集成驅動器和保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有集成驅動器和保護功能的 600V 70m? GaN LMG3410R150 — 具有集成驅動器和過流保護功能的 600V 150mΩ GaN LMG3411R050 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 50m? GaN LMG3411R070 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 70m? GaN LMG3411R150 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 150mΩ GaN LMG3422R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 600V 30m? GaN FET LMG3422R050 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 600V 50m? GaN FET LMG3425R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能以及理想二極管模式的 600V 30m? GaN FET LMG3425R050 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能以及理想二極管模式的 600V 50m? GaN FET LMG3426R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 50m? GaN FET LMG3427R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3427R050 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 650V 30m? GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的汽車類 650V 30m? GaN FET LMG3522R050 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 650V 50m? GaN FET LMG3526R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 650V 30m? GaN FET LMG3526R050 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測報告功能的 650V 50m? GaN FET LMG3527R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 650V 30m? GaN FET LMG5200 — 80V GaN 半橋功率級
參考設計

TIDA-010933 — 基于 GaN 的 1.6kW 雙向微型逆變器參考設計

此參考設計展示了一款具有儲能功能的基于 GaN 的四輸入雙向 1.6kW 微型逆變器。
設計指南: PDF
參考設計

PMP23611 — 48V 輸入、250W 汽車級雙相降壓轉換器（配備 GaN 半橋功率級）參考設計

此參考設計為汽車高級駕駛輔助系統 (ADAS) 以及信息娛樂系統與儀表組應用提供電源。可在完整的汽車電壓范圍內運行，最高支持 60V。該設計在 20VIN 至 60VIN 電壓范圍內展現出 92% 至 96% 的峰值轉換效率，并可在 2700mm2 條件下實現高功率密度。這些結果提供了充分的信息，從穩定性、熱響應以及在各種輸入電壓和負載條件下的效率表現等方面，驗證了該設計。結果還顯示，在 25% 至 75% 負載瞬態事件及 50% 至 100% 負載瞬態事件期間，存在約 5% 的過沖和下沖現象。
測試報告: PDF
參考設計

TIDA-010936 — 適用于集成電機驅動器的 48V/16A 小型三相 GaN 逆變器參考設計

此參考設計展示了采用三個具有集成式 GaN FET、驅動器和自舉二極管的 100V、35A 氮化鎵 (GaN) 半橋 LMG2100R044 的高功率密度 12V 至 60V 三相功率級，專門用于電機集成式伺服驅動器和機器人應用。通過使用 IN241A 電流檢測放大器，或使用 AMC0106M05 功能隔離式 Δ-Σ 調制器，實現了精確的相電流檢測；同時測量了直流鏈路電壓和相電壓，從而能夠驗證諸如 InstaSPINFOC? 等先進的無傳感器設計。該設計提供與 TI BoosterPack? 兼容的 3.3V I/O 接口，用于連接 C2000? MCU LaunchPad? 開發套件或 (...)
設計指南: PDF
參考設計

PMP31349 — 具有 GaN 開關的 30V 至 60V 輸入、240W 降壓轉換器參考設計

此參考設計是一種可從標稱 48V 電池輸入（30V 至 60V 范圍）生成 12V 穩壓輸出的電源。該電路設計為支持 20A 的連續輸出電流。LM5148-Q1 降壓控制器為具有集成式柵極驅動器的 LMG2100R044 半橋 GaN 功率級提供開關信號。
測試報告: PDF
參考設計

TIDA-010042 — 基于 GaN 的 400W MPPT 充電控制器和電源優化器參考設計

該參考設計是一款適用于 12V 和 24V 電池的最大功率點跟蹤 (MPPT) 太陽能充電控制器，未來可用作電源優化器。該參考設計布局緊湊，適用于中小型太陽能充電器設計，可使用 15V 至 60V 太陽能電池板模塊、12V 或 24V 電池供電運行，提供高達 16A 的輸出電流。該設計利用降壓轉換器將太陽能電池板電壓降低至電池電壓。具有內部集成驅動器的半橋功率級由微控制器單元 (MCU) 控制，該微控制器單元使用擾動觀測法計算最大功率點。該太陽能 MPPT 充電控制器在設計時便將各種實際設計注意事項考慮在內，其中包括電池反向保護、軟件可編程警報和指示以及浪涌和 ESD 保護等。
設計指南: PDF
原理圖: PDF
參考設計

PMP23340C2K — 采用 C2000? MCU 且支持 GaN 的 48V 至 12V 1.1kW 1/8 磚型電源模塊參考設計

此參考設計展示了高性能 GaN 如何為中間總線轉換器實現高效率和小外形尺寸。
測試報告: PDF
參考設計

PMP23340UCD — 采用數字電源隔離式控制器且支持 GaN 的 48V 至 12V 1.1kW 1/8 磚型參考設計

此參考設計展示了高性能 GaN 如何通過使用 UCD3138ARJAT 數字電源隔離式控制器，為中間總線轉換器實現高效率和小外形尺寸。
測試報告: PDF
參考設計

PMP41068 — 采用 GaN 的 100W D 類音頻放大器參考設計

此參考設計演示了采用 GaN HEMT 的單端 D 類功率級。本設計采用 LMG2100R044 作為電源開關，工作頻率為 1MHz。 
測試報告: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
WQFN-FCRLF (RAR) 16 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

推薦產品可能包含與 TI 此產品相關的參數、評估模塊或參考設計。

支持和培訓

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