LMG2610
- 650V GaN 功率 FET 半橋
- 170m? 低側和 248m? 高側 GaN FET
- 具有低傳播延遲和可調節導通壓擺率控制的集成柵極驅動器
- 具有高帶寬和高精度的電流檢測仿真
- 低側/高側柵極驅動互鎖
- 高側柵極驅動信號電平轉換器
- 智能開關自舉二極管功能
- 高側啟動:< 8us
- 低側/高側逐周期過流保護
- 通過 FLT 引腳報告實現過熱保護
- AUX 空閑靜態電流:240μA
- AUX 待機靜態電流:50μA
- BST 空閑靜態電流:60μA
- 最大電源和輸入邏輯引腳電壓:26V
- 具有雙散熱焊盤的 9mm x 7mm QFN 封裝
LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于 開關模式電源應用中 < 75W 的有源鉗位反激式 (ACF) 轉換器。LMG2610 通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中 集成半橋功率 FET、柵極驅動器、自舉二極管和高側 柵極驅動電平轉換器,簡化了設計、減少了元件數量并 減小了布板空間。
非對稱 GaN FET 電阻針對 ACF 工作條件進行了優 化。可編程導通壓擺率可提供 EMI 和振鈴控制。與傳 統的電流檢測電阻相比,低側電流檢測仿真可降低功 耗,并允許將低側散熱焊盤連接到冷卻 PCB 電源接 地。
高側柵極驅動信號電平轉換器消除了外部解決方案中出 現的噪聲和突發模式功率耗散問題。智能開關 GaN 自 舉 FET 沒有二極管正向壓降,可避免高側電源過充, 并且反向恢復電荷為零。
LMG2610 具有低靜態電流和快速啟動時間,支持轉換 器輕負載效率要求和突發模式運行。保護特性包括 FET 導通互鎖、欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和 過熱關斷。
技術文檔
| 類型 | 標題 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |||
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| * | 數據表 | LMG2610 用于有源鉗位反激式轉換器的集成 650V GaN 半橋 數據表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2022年 12月 12日 |
| 應用手冊 | 通過使用集成 GaN 技術實現小尺寸交流/直流適配器 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2023年 3月 28日 | |
| EVM 用戶指南 | 使用 UCC28782EVM-030 65W USB-C PD 高密度有源鉗位反 激式轉換器 (Rev. C) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2022年 10月 25日 |
設計和開發
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UCC28782EVM-030 — UCC28782 有源鉗位反激式轉換器 65W USB-C PD EVM,具有 LMG2610 集成式 GaN 半橋
UCC28782EVM-030 采用了 UCC28782 有源鉗位反激式控制器,具有高效率和高密度等特性,可適用于 65W USB Type-C? 電力輸送 (PD) 離線適配器。 ?該輸入支持 90Vac 至 264Vac 通用電壓范圍,輸出可設置為 5V、9V 和 15V(電流最大為 3A)或 20V(電流最大為 3.25A),此類設置可通過 USB PD 接口控制器進行調整。 ?標稱頻率 250kHz 的高頻運行可實現小解決方案尺寸,而多模式運行可保持高效率。LMG2610 集成了高側和低側 (...)
TIDA-050074 — 基于 GaN 的 140W USB PD3.1 USB-C? 適配器參考設計
PMP23146 — 適用于服務器輔助電源且采用 GaN 的 45W 高功率密度有源鉗位反激式參考設計
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VQFN (RRG) | 40 | Ultra Librarian |
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