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LMG3427R050

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具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 50mΩ GaN FET

產品詳情

VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 44 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 44 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RQZ) 54 144 mm2 12 x 12
  • 符合面向硬開關拓撲的 JEDEC JEP180 標準
  • 帶集成柵極驅動器的 600V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度柵極偏置電壓
    • 200V/ns FET 釋抑
    • 3.6MHz 開關頻率
    • 20V/ns 至 150V/ns 壓擺率，用于優化開關性能與緩解 EMI
    • 由 7.5V 至 18V 電源供電
  • 強大的保護
    • 響應時間 ＜ 100ns 的逐周期過流與鎖存短路保護
    • 硬開關時可承受 720V 浪涌
    • 針對內部過熱和 UVLO 監控的自我保護
  • 高級電源管理
    • 數字溫度 PWM 輸出
    • LMG3426R050 包括有助于實現軟開關轉換器的零電壓檢測功能 (ZVD)
    • LMG3427R050 包括有助于實現軟開關轉換器的零電流檢測功能（ZCD）
  • 符合面向硬開關拓撲的 JEDEC JEP180 標準
  • 帶集成柵極驅動器的 600V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度柵極偏置電壓
    • 200V/ns FET 釋抑
    • 3.6MHz 開關頻率
    • 20V/ns 至 150V/ns 壓擺率，用于優化開關性能與緩解 EMI
    • 由 7.5V 至 18V 電源供電
  • 強大的保護
    • 響應時間 ＜ 100ns 的逐周期過流與鎖存短路保護
    • 硬開關時可承受 720V 浪涌
    • 針對內部過熱和 UVLO 監控的自我保護
  • 高級電源管理
    • 數字溫度 PWM 輸出
    • LMG3426R050 包括有助于實現軟開關轉換器的零電壓檢測功能 (ZVD)
    • LMG3427R050 包括有助于實現軟開關轉換器的零電流檢測功能（ZCD）

LMG342xR050 GaN FET 具有集成式驅動器和保護功能，適用于開關模式電源轉換器，能夠讓設計人員實現更高水平的功率密度與效率。

LMG342xR050 集成了一個硅驅動器，可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立式硅柵極驅動器相比，TI 的集成式精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術相結合，可在硬開關電源拓撲中提供干凈的開關和超小的振鈴?？烧{柵極驅動強度允許將壓擺率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之間，這可用于主動控制 EMI 并優化開關性能。LMG3426R050包含零電壓檢測（ZVD）功能，能夠在實現零電壓開關時提供 ZVD 引腳脈沖輸出。LMG3427R050 包含零電流檢測（ZCD）功能，能夠在檢測到源極到漏極的正向電流時提供 ZCD 引腳脈沖輸出。

高級電源管理功能包括數字溫度報告和故障檢測。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出進行報告，這可簡化器件加載管理。報告的故障包括過流、短路、過熱、VDD UVLO 以及高阻抗 RDRV 引腳。

LMG342xR050 GaN FET 具有集成式驅動器和保護功能，適用于開關模式電源轉換器，能夠讓設計人員實現更高水平的功率密度與效率。

LMG342xR050 集成了一個硅驅動器，可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立式硅柵極驅動器相比，TI 的集成式精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術相結合，可在硬開關電源拓撲中提供干凈的開關和超小的振鈴。可調柵極驅動強度允許將壓擺率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之間，這可用于主動控制 EMI 并優化開關性能。LMG3426R050包含零電壓檢測（ZVD）功能，能夠在實現零電壓開關時提供 ZVD 引腳脈沖輸出。LMG3427R050 包含零電流檢測（ZCD）功能，能夠在檢測到源極到漏極的正向電流時提供 ZCD 引腳脈沖輸出。

高級電源管理功能包括數字溫度報告和故障檢測。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出進行報告，這可簡化器件加載管理。報告的故障包括過流、短路、過熱、VDD UVLO 以及高阻抗 RDRV 引腳。
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* 數據表 集成了驅動器、保護與溫度報告功能的 LMG342xR050 600 V 50 m? GaN FET 數據表 (Rev. D) PDF | HTML 英語版 (Rev.D) PDF | HTML 2025年 7月 24日

設計和開發

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用戶指南: PDF | HTML
英語版 (Rev.B): PDF | HTML
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支持的產品和硬件

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封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
VQFN (RQZ) 54 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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