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LMG3427R050

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具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電壓檢測功能的 600V 50mΩ GaN FET

產(chǎn)品詳情

VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 44 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 44 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RQZ) 54 144 mm2 12 x 12
  • 符合面向硬開關(guān)拓?fù)涞?JEDEC JEP180 標(biāo)準(zhǔn)
  • 帶集成柵極驅(qū)動器的 600V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度柵極偏置電壓
    • 200V/ns FET 釋抑
    • 3.6MHz 開關(guān)頻率
    • 20V/ns 至 150V/ns 壓擺率，用于優(yōu)化開關(guān)性能與緩解 EMI
    • 由 7.5V 至 18V 電源供電
  • 強大的保護(hù)
    • 響應(yīng)時間 ＜ 100ns 的逐周期過流與鎖存短路保護(hù)
    • 硬開關(guān)時可承受 720V 浪涌
    • 針對內(nèi)部過熱和 UVLO 監(jiān)控的自我保護(hù)
  • 高級電源管理
    • 數(shù)字溫度 PWM 輸出
    • LMG3426R050 包括有助于實現(xiàn)軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器的零電壓檢測功能 (ZVD)
    • LMG3427R050 包括有助于實現(xiàn)軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器的零電流檢測功能（ZCD）
  • 符合面向硬開關(guān)拓?fù)涞?JEDEC JEP180 標(biāo)準(zhǔn)
  • 帶集成柵極驅(qū)動器的 600V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度柵極偏置電壓
    • 200V/ns FET 釋抑
    • 3.6MHz 開關(guān)頻率
    • 20V/ns 至 150V/ns 壓擺率，用于優(yōu)化開關(guān)性能與緩解 EMI
    • 由 7.5V 至 18V 電源供電
  • 強大的保護(hù)
    • 響應(yīng)時間 ＜ 100ns 的逐周期過流與鎖存短路保護(hù)
    • 硬開關(guān)時可承受 720V 浪涌
    • 針對內(nèi)部過熱和 UVLO 監(jiān)控的自我保護(hù)
  • 高級電源管理
    • 數(shù)字溫度 PWM 輸出
    • LMG3426R050 包括有助于實現(xiàn)軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器的零電壓檢測功能 (ZVD)
    • LMG3427R050 包括有助于實現(xiàn)軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器的零電流檢測功能（ZCD）

LMG342xR050 GaN FET 具有集成式驅(qū)動器和保護(hù)功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，能夠讓設(shè)計人員實現(xiàn)更高水平的功率密度與效率。

LMG342xR050 集成了一個硅驅(qū)動器，可實現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動器相比，TI 的集成式精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關(guān) SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術(shù)相結(jié)合，可在硬開關(guān)電源拓?fù)渲刑峁└蓛舻拈_關(guān)和超小的振鈴。可調(diào)柵極驅(qū)動強度允許將壓擺率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之間，這可用于主動控制 EMI 并優(yōu)化開關(guān)性能。LMG3426R050包含零電壓檢測（ZVD）功能，能夠在實現(xiàn)零電壓開關(guān)時提供 ZVD 引腳脈沖輸出。LMG3427R050 包含零電流檢測（ZCD）功能，能夠在檢測到源極到漏極的正向電流時提供 ZCD 引腳脈沖輸出。

高級電源管理功能包括數(shù)字溫度報告和故障檢測。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出進(jìn)行報告，這可簡化器件加載管理。報告的故障包括過流、短路、過熱、VDD UVLO 以及高阻抗 RDRV 引腳。

LMG342xR050 GaN FET 具有集成式驅(qū)動器和保護(hù)功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，能夠讓設(shè)計人員實現(xiàn)更高水平的功率密度與效率。

LMG342xR050 集成了一個硅驅(qū)動器，可實現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動器相比，TI 的集成式精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關(guān) SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術(shù)相結(jié)合，可在硬開關(guān)電源拓?fù)渲刑峁└蓛舻拈_關(guān)和超小的振鈴?？烧{(diào)柵極驅(qū)動強度允許將壓擺率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之間，這可用于主動控制 EMI 并優(yōu)化開關(guān)性能。LMG3426R050包含零電壓檢測（ZVD）功能，能夠在實現(xiàn)零電壓開關(guān)時提供 ZVD 引腳脈沖輸出。LMG3427R050 包含零電流檢測（ZCD）功能，能夠在檢測到源極到漏極的正向電流時提供 ZCD 引腳脈沖輸出。

高級電源管理功能包括數(shù)字溫度報告和故障檢測。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出進(jìn)行報告，這可簡化器件加載管理。報告的故障包括過流、短路、過熱、VDD UVLO 以及高阻抗 RDRV 引腳。
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技術(shù)文檔

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類型 標(biāo)題 下載最新的英語版本 日期
* 數(shù)據(jù)表 集成了驅(qū)動器、保護(hù)與溫度報告功能的 LMG342xR050 600 V 50 m? GaN FET 數(shù)據(jù)表 (Rev. D) PDF | HTML 英語版 (Rev.D) PDF | HTML 2025年 7月 24日
應(yīng)用手冊 如何避免LMG3427在TCM PFC中由相間電容引起的 ZCD時序問題 2025年 11月 25日

設(shè)計和開發(fā)

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子卡

LMG3422EVM-043 — LMG3422R030 600V 30m? 半橋子卡

LMG3422EVM-043 將兩個 LMG3422R030 GaN FET 配置到具有鎖存過流保護(hù)功能和所有必要輔助外圍電路的半橋中。該 EVM 旨在與大型系統(tǒng)配合使用。
用戶指南: PDF | HTML
英語版 (Rev.B): PDF | HTML
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計算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
支持的產(chǎn)品和硬件

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產(chǎn)品
氮化鎵 (GaN) 功率級
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  • LMG2100R044 — 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET
  • LMG2610 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和電流檢測功能且適用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋
  • LMG2640 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和電流檢測功能的 650V、105mΩ GaN 半橋
  • LMG2650 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和電流檢測功能的 650V、95mΩ GaN 半橋
  • LMG2652 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和電流檢測功能的 650V、140mΩ GaN 半橋
  • LMG2656 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和電流檢測功能的 650V、230mΩ GaN 半橋
  • LMG3410R050 — 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 600V 50mΩ GaN
  • LMG3410R070 — 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 600V 70m? GaN
  • LMG3410R150 — 具有集成驅(qū)動器和過流保護(hù)功能的 600V 150mΩ GaN
  • LMG3411R050 — 具有集成驅(qū)動器和逐周期過流保護(hù)功能的 600V 50m? GaN
  • LMG3411R070 — 具有集成驅(qū)動器和逐周期過流保護(hù)功能的 600V 70m? GaN
  • LMG3411R150 — 具有集成驅(qū)動器和逐周期過流保護(hù)功能的 600V 150mΩ GaN
  • LMG3422R030 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能的 600V 30m? GaN FET
  • LMG3422R050 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能的 600V 50m? GaN FET
  • LMG3425R030 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能以及理想二極管模式的 600V 30m? GaN FET
  • LMG3425R050 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能以及理想二極管模式的 600V 50m? GaN FET
  • LMG3426R030 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電壓檢測功能的 600V 30mΩ GaN FET
  • LMG3426R050 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電壓檢測功能的 600V 50m? GaN FET
  • LMG3427R030 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電壓檢測功能的 600V 30mΩ GaN FET
  • LMG3427R050 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電壓檢測功能的 600V 50mΩ GaN FET
  • LMG3522R030 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能的 650V 30m? GaN FET
  • LMG3522R030-Q1 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能的汽車類 650V 30m? GaN FET
  • LMG3522R050 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能的 650V 50m? GaN FET
  • LMG3526R030 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電壓檢測功能的 650V 30m? GaN FET
  • LMG3526R050 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電壓檢測報告功能的 650V 50m? GaN FET
  • LMG3527R030 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電壓檢測功能的 650V 30m? GaN FET
  • LMG5200 — 80V GaN 半橋功率級
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
VQFN (RQZ) 54 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

支持和培訓(xùn)

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