LMG2652
- 650V GaN 功率 FET 半橋
- 140m? 低側和高側 GaN FET
- 傳播延遲低于 100ns 的集成柵極驅動器
- 具有高帶寬和高精度的電流檢測仿真
- 低側參考 (INH) 和高側參考 (GDH) 高側柵極驅動引腳
- 低側 (INL)/高側 (INH) 柵極驅動互鎖
- 高側 (INH) 柵極驅動信號電平轉換器
- 智能開關自舉二極管功能
- 高側啟動:<8μs
- 低側/高側逐周期過流保護
- 過熱保護
- AUX 空閑靜態電流:250μA
- AUX 待機靜態電流:50μA
- BST 空閑靜態電流:70μA
- 具有雙散熱焊盤的 8mm × 6mm QFN 封裝
LMG2652 是一款 650V 140mΩ GaN 功率 FET 半橋。LMG2652 通過在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅動器、自舉二極管和高側柵極驅動電平轉換器,可簡化設計、減少元件數量并縮減布板空間。
與傳統的電流檢測電阻相比,低側電流檢測仿真可降低功耗,并允許將低側散熱焊盤連接到 PCB 電源地進行冷卻。
高側 GaN 功率 FET 可通過低側參考柵極驅動引腳 (INH) 或高側參考柵極驅動引腳 (GDH) 進行控制。在具有挑戰性的電源開關環境中,高側柵極驅動信號電平轉換器能夠可靠地將 INH 引腳信號傳輸到高側柵極驅動器。智能開關 GaN 自舉 FET 沒有二極管正向壓降,可避免高側電源過充,并且反向恢復電荷為零。
LMG2652 具有低靜態電流和快速啟動時間,可滿足轉換器輕負載效率要求,并實現突發模式運行。保護特性包括 FET 導通互鎖、欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過熱關斷。
設計和開發
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LMG2652EVM-101 — LMG2652 子卡
LMG2652 子卡旨在提供一個快速簡便的平臺來評估 TI 集成 GaN 器件在任何半橋拓撲中的應用。該電路板設計為使用電路板底部邊緣的 6 個電源引腳和 12 個數字引腳以插座式外部連接方式與更大的系統連接。電源引腳形成主開關環路,該環路由高壓直流總線、開關節點和電源接地組成。數字引腳通過 PWM 柵極輸入來控制 LMG2652 器件,使用低壓電源提供輔助電源,并以數字輸出形式報告故障信息。基本功率級和柵極驅動、高頻電流環路在板上是全封閉的,以最大程度地減少電源環路的寄生電感,從而減少電壓過沖,提升性能。使用 TI 的同步降壓/升壓主板 (LMG342X-BB-EVM) 可以非常輕松地評估 (...)
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VQFN (RFB) | 19 | Ultra Librarian |
訂購和質量
- RoHS
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- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級/回流焊峰值溫度
- MTBF/時基故障估算
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- 封裝廠地點
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