計算工具
LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator
Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
LMG3526R030
- 帶集成柵極驅(qū)動器的 650V GaN-on-Si FET
- 集成高精度柵極偏置電壓
- 200V/ns FET 釋抑
- 2MHz 開關(guān)頻率
- 20V/ns 至 150V/ns 壓擺率，用于優(yōu)化開關(guān)性能與緩解 EMI
- 由 7.5V 至 18V 電源供電
- 強(qiáng)大的保護(hù)
- 響應(yīng)時間 ＜ 100ns 的逐周期過流與鎖存短路保護(hù)
- 硬開關(guān)時可承受 720V 浪涌
- 針對內(nèi)部過熱和 UVLO 監(jiān)控的自我保護(hù)
- 高級電源管理
- 數(shù)字溫度 PWM 輸出
- LMG3526R030 包括有助于實現(xiàn)軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器的零電壓檢測功能 (ZVD)
- LMG3527R030 包括有助于實現(xiàn)軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器的零電流檢測功能（ZCD）
- 頂部冷卻 12mm × 12mm VQFN 封裝將電氣路徑和散熱路徑分開，可實現(xiàn)超低的電源環(huán)路電感
LMG352xR030 GaN FET 具有集成式驅(qū)動器和保護(hù)功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，能夠讓設(shè)計人員實現(xiàn)更高水平的功率密度與效率。
LMG352xR030 集成了一個硅驅(qū)動器，可實現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動器相比，TI 的集成式精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關(guān) SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術(shù)相結(jié)合，可在硬開關(guān)電源拓?fù)渲刑峁└蓛舻拈_關(guān)和超小的振鈴。可調(diào)柵極驅(qū)動強(qiáng)度允許將壓擺率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之間，這可用于主動控制 EMI 并優(yōu)化開關(guān)性能。LMG3526R030包含零電壓檢測（ZVD）功能，能夠在實現(xiàn)零電壓開關(guān)時提供 ZVD 引腳脈沖輸出。LMG3527R030 包含零電流檢測（ZCD）功能，能夠在檢測到源極到漏極的正向電流時提供 ZCD 引腳脈沖輸出。
高級電源管理功能包括數(shù)字溫度報告和故障檢測。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出進(jìn)行報告，這可簡化器件加載管理。報告的故障包括過流、短路、過熱、VDD UVLO 以及高阻抗 RDRV 引腳。
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功能與比較器件相同，且具有相同引腳
技術(shù)文檔
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查看全部 6 | 類型 | 標(biāo)題 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | 集成了驅(qū)動器、保護(hù)與溫度報告功能的 LMG352xR030 650 V 30 m? GaN FET 數(shù)據(jù)表 (Rev. B) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2025年 2月 13日 |
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設(shè)計和開發(fā)
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評估板
LMG342X-BB-EVM — LMG342x 評估模塊
LMG342X-BB-EVM 是易于使用的分線板，可將 LMG3422EVM-043 等各種 LMG342xR0x0 半橋板配置為同步降壓轉(zhuǎn)換器。通過提供功率級、輔助電源和邏輯電路，該評估模塊 (EVM) 可用于快速測量氮化鎵 (GaN) 器件的開關(guān)速度。該 EVM 能夠在提供充分熱管理（強(qiáng)制通風(fēng)、低頻運行等）的同時提供高達(dá) 12A 的輸出電流，從而確保不超出最大工作溫度。該 EVM 不適合用于瞬態(tài)測量，因為該板是開環(huán)板。
僅需要一個脈寬調(diào)制輸入，即可在電路板上生成互補(bǔ)的脈寬調(diào)制信號和相應(yīng)的死區(qū)時間。提供了探測點，從而可使用具有短接地彈簧的示波器探針測量關(guān)鍵邏輯和功率級波形。
子卡
LMG3522EVM-042 — LMG3522R030-Q1 具有集成驅(qū)動器子卡的汽車類 650V 30m? GaN FET
LMG3522EVM-042 在半橋中配置兩個 LMG3522R030 GaN FET，具有逐周期過流保護(hù)、短路鎖存保護(hù)功能和所有必要的輔助外圍電路。該 EVM 旨在與大型系統(tǒng)配合使用。
用戶指南: PDF
計算工具
SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet
支持的產(chǎn)品和硬件
產(chǎn)品
氮化鎵 (GaN) 功率級
計算工具
SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet
支持的產(chǎn)品和硬件
產(chǎn)品
氮化鎵 (GaN) 功率級
參考設(shè)計
PMP40988 — 變頻、ZVS、5kW、基于 GaN 的兩相圖騰柱 PFC 參考設(shè)計
該參考設(shè)計為高密度高效 5kW 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 設(shè)計。設(shè)計采用兩相圖騰柱 PFC，能在可變頻率和零電壓開關(guān) (ZVS) 條件下運行。控制器采用新拓?fù)浜透倪M(jìn)型三角電流模式 (iTCM)，能夠減小尺寸并提高效率。設(shè)計方案為在 TMS320F280049C 微控制器內(nèi)使用高性能處理內(nèi)核，可在廣泛的工作范圍內(nèi)保證效率。PFC 的運行頻率范圍為 100kHz 至 800kHz。峰值系統(tǒng)效率為 99%，該數(shù)值在 120W/in3 開放式框架功率密度下實現(xiàn)。
測試報告: PDF
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VQFN (RQS) | 52 | Ultra Librarian |
訂購和質(zhì)量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件標(biāo)識
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級/回流焊峰值溫度
- MTBF/時基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
- 制造廠地點
- 封裝廠地點
推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評估模塊或參考設(shè)計。