LMG2656
- 650V GaN 功率 FET 半橋
- 230m? 低側(cè)和高側(cè) GaN FET
- 傳播延遲低于 100ns 的集成柵極驅(qū)動(dòng)器
- 可編程導(dǎo)通壓擺率控制
- 具有高帶寬和高精度的電流檢測(cè)仿真
- 低側(cè)參考 (INH) 和高側(cè)參考 (GDH) 高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)引腳
- 低側(cè) (INL)/高側(cè) (INH) 柵極驅(qū)動(dòng)互鎖
- 高側(cè) (INH) 柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)電平轉(zhuǎn)換器
- 智能開(kāi)關(guān)自舉二極管功能
- 高側(cè)啟動(dòng):<8μs
- 低側(cè)/高側(cè)逐周期過(guò)流保護(hù)
- 過(guò)熱保護(hù)
- AUX 空閑靜態(tài)電流:250μA
- AUX 待機(jī)靜態(tài)電流:50μA
- BST 空閑靜態(tài)電流:70μA
- 具有雙散熱焊盤(pán)的 8mm × 6mm QFN 封裝
LMG2656 是一款 650V 230mΩ GaN 功率 FET 半橋。LMG2656 通過(guò)在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動(dòng)器、自舉 FET 和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電平轉(zhuǎn)換器,可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、減少元件數(shù)量并縮減布板空間。
可編程導(dǎo)通壓擺率可實(shí)現(xiàn) EMI 和振鈴控制。與傳統(tǒng)的電流檢測(cè)電阻相比,低側(cè)電流檢測(cè)仿真可降低功耗,并允許將低側(cè)散熱焊盤(pán)連接到 PCB 電源地。
高側(cè) GaN 功率 FET 可通過(guò)低側(cè)參考柵極驅(qū)動(dòng)引腳 (INH) 或高側(cè)參考柵極驅(qū)動(dòng)引腳 (GDH) 進(jìn)行控制。在具有挑戰(zhàn)性的電源開(kāi)關(guān)環(huán)境中,高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)電平轉(zhuǎn)換器能夠可靠地將 INH 引腳信號(hào)傳輸?shù)礁邆?cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。智能開(kāi)關(guān) GaN 自舉 FET 沒(méi)有二極管正向壓降,可避免高側(cè)電源過(guò)充,并且反向恢復(fù)電荷為零。
LMG2656 具有低靜態(tài)電流和快速啟動(dòng)時(shí)間,可滿足轉(zhuǎn)換器輕負(fù)載效率要求,并實(shí)現(xiàn)突發(fā)模式運(yùn)行。保護(hù)特性包括 FET 導(dǎo)通互鎖、欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過(guò)熱關(guān)斷。超低壓擺率設(shè)置支持電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)
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LMG2656EVM-102 — LMG2656 子卡
LMG2656EVM-102 旨在提供一個(gè)快速簡(jiǎn)便的平臺(tái)來(lái)評(píng)估 TI 集成 GaN 器件在任何半橋拓?fù)渲械膽?yīng)用。該電路板設(shè)計(jì)為使用電路板底部邊緣的 6 個(gè)電源引腳和 12 個(gè)數(shù)字引腳以插座式外部連接方式與更大的系統(tǒng)連接。電源引腳形成主開(kāi)關(guān)環(huán)路,該環(huán)路由高壓直流總線、開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)和電源接地組成。數(shù)字引腳通過(guò) PWM 柵極輸入來(lái)控制 LMG2656 器件,使用低壓電源提供輔助電源,并以數(shù)字輸出形式報(bào)告故障信息。基本功率級(jí)和柵極驅(qū)動(dòng)、高頻電流環(huán)路在板上是全封閉的,以最大程度地減少電源環(huán)路的寄生電感,從而減少電壓過(guò)沖,提升性能。使用 TI 的同步降壓/升壓主板 (LMG342X-BB-EVM) (...)
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