LMG2100R026

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100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 (GaN) 功率級

產品詳情

VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 2.6 ID (max) (A) 55 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 2.6 ID (max) (A) 55 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
UNKNOWN (VBN) 16 See data sheet VQFN-FCRLF (VBN) 18 31.5 mm2 7 x 4.5
  • 集成式半橋 GaN FET 和驅動器
  • 93V 連續 100V 脈沖式電壓額定值
  • 封裝經過優化，便于 PCB 布局
  • 高壓擺率開關，低振鈴
  • 5V 外部輔助電源
  • 支持 3.3V 和 5V 輸入邏輯電平
  • 柵極驅動器支持高達 10MHz 的開關頻率
  • 出色的傳播延遲（典型值 33ns）和匹配（典型值 2ns）
  • 內部自舉電源電壓鉗位，可防止 GaN FET 過驅動
  • 電源軌欠壓鎖定保護
  • 低功耗
  • 外露式頂部 QFN 封裝，實現頂面散熱
  • 大型 GND 焊盤實現底面散熱
  • 集成式半橋 GaN FET 和驅動器
  • 93V 連續 100V 脈沖式電壓額定值
  • 封裝經過優化，便于 PCB 布局
  • 高壓擺率開關，低振鈴
  • 5V 外部輔助電源
  • 支持 3.3V 和 5V 輸入邏輯電平
  • 柵極驅動器支持高達 10MHz 的開關頻率
  • 出色的傳播延遲（典型值 33ns）和匹配（典型值 2ns）
  • 內部自舉電源電壓鉗位，可防止 GaN FET 過驅動
  • 電源軌欠壓鎖定保護
  • 低功耗
  • 外露式頂部 QFN 封裝，實現頂面散熱
  • 大型 GND 焊盤實現底面散熱

LMG2100R026 器件是一款 93V 連續 100V 脈沖式 53A 半橋功率級，具有集成柵極驅動器和增強模式氮化鎵 (GaN) FET。該器件包含兩個 GaN FET，采用半橋配置，由一個高頻 GaN FET 驅動器驅動。

GaN FET 在功率轉換方面的優勢極為顯著，因為它們的反向恢復為零，而且輸入電容 CISS 和輸出電容 COSS 都非常小。驅動器和兩個 GaN FET 均安裝在一個完全無鍵合線的封裝平臺上，盡可能減少了封裝寄生元件數。LMG2100R026 器件采用 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm 無鉛封裝，可輕松安裝在 PCB 上。

無論 VCC 電壓如何，TTL 邏輯兼容輸入均可支持 3.3V 和 5V 邏輯電平。專有的自舉電壓鉗位技術確保了增強模式 GaN FET 的柵極電壓處于安全的工作范圍內。

該器件配有用戶友好型接口且更為出色，進一步提升了分立式 GaN FET 的優勢。對于需要小尺寸、高頻、高效運行的應用來說，該器件是理想的解決方案。

LMG2100R026 器件是一款 93V 連續 100V 脈沖式 53A 半橋功率級，具有集成柵極驅動器和增強模式氮化鎵 (GaN) FET。該器件包含兩個 GaN FET，采用半橋配置，由一個高頻 GaN FET 驅動器驅動。

GaN FET 在功率轉換方面的優勢極為顯著，因為它們的反向恢復為零，而且輸入電容 CISS 和輸出電容 COSS 都非常小。驅動器和兩個 GaN FET 均安裝在一個完全無鍵合線的封裝平臺上，盡可能減少了封裝寄生元件數。LMG2100R026 器件采用 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm 無鉛封裝，可輕松安裝在 PCB 上。

無論 VCC 電壓如何，TTL 邏輯兼容輸入均可支持 3.3V 和 5V 邏輯電平。專有的自舉電壓鉗位技術確保了增強模式 GaN FET 的柵極電壓處于安全的工作范圍內。

該器件配有用戶友好型接口且更為出色，進一步提升了分立式 GaN FET 的優勢。對于需要小尺寸、高頻、高效運行的應用來說，該器件是理想的解決方案。
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* 數據表 LMG2100R026 100V、 53A GaN 半橋功率級 數據表 (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2024年 10月 27日
應用簡報 GaN FET 在人形機器人中的應用 PDF | HTML 2025年 2月 5日
應用簡報 ????? ??? GaN FET ?????? PDF | HTML 2025年 2月 5日
應用簡報 GaN FET 在類人機器人中的應用 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 1月 17日
EVM 用戶指南 LMG2100R026 評估模塊 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2024年 8月 12日

設計和開發

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評估板

BOOSTXL-LMG2100-MD — LMG2100 升壓評估模塊

BOOSTXL-LMG2100-MD 評估模塊 (EVM) 采用 GaN 逆變器，具備基于分流器的精密直列式相電流檢測功能，從而能夠對精密驅動器（例如，伺服驅動器）進行精準控制。EVM 提供與 TI BoosterPack? 兼容的接口，用于連接到 C2000? MCU LaunchPad? 開發套件，以便輕松評估性能。
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評估板

BP-AMC0106-LMG-MD — BP-AMC0106-LMG-MD 評估模塊

BP-AMC0106-LMG-MD 評估模塊 (EVM) 是一款基于氮化鎵 (GaN) 的高級逆變器，具有基于分流器的精密隔離式相電流檢測以及 AMC0106M05 Δ-Σ 調制器。利用這項技術，可精確控制高精度驅動器（包括伺服驅動器）。EVM 提供與 TI BoosterPack? 兼容的接口，用于無縫連接到 C2000? 微控制器 (MCU) LaunchPad? 開發套件，以便輕松評估性能。此 EVM 是 TIDA-010936 和 BOOSTXL-LMG2100-MD EVM 的后繼產品。
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評估板

LMG2100EVM-097 — LMG2100R026 評估模塊

LMG2100EVM-097 是一款具有外部 PWM 信號且易于使用的緊湊型功率級。該電路板可配置為降壓轉換器、升壓轉換器或其他使用半橋的轉換器拓撲。該評估模塊具有一個 LMG2100R026 半橋電源模塊，該模塊具有兩個由 90V GaN FET 半橋柵極驅動器驅動的 100V、2.6mΩ GaN FET。
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計算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
支持的產品和硬件

支持的產品和硬件

產品
氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG2100R026 — 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 (GaN) 功率級 LMG2100R044 — 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET LMG2610 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能且適用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋 LMG2640 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V、105mΩ GaN 半橋 LMG2650 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V、95mΩ GaN 半橋 LMG2652 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V、140mΩ GaN 半橋 LMG2656 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V、230mΩ GaN 半橋 LMG3410R050 — 具有集成驅動器和保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有集成驅動器和保護功能的 600V 70m? GaN LMG3410R150 — 具有集成驅動器和過流保護功能的 600V 150mΩ GaN LMG3411R050 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 50m? GaN LMG3411R070 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 70m? GaN LMG3411R150 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 150mΩ GaN LMG3422R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 600V 30m? GaN FET LMG3422R050 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 600V 50m? GaN FET LMG3425R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能以及理想二極管模式的 600V 30m? GaN FET LMG3425R050 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能以及理想二極管模式的 600V 50m? GaN FET LMG3426R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 50m? GaN FET LMG3427R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3427R050 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 650V 30m? GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的汽車類 650V 30m? GaN FET LMG3522R050 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 650V 50m? GaN FET LMG3526R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 650V 30m? GaN FET LMG3526R050 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測報告功能的 650V 50m? GaN FET LMG3527R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 650V 30m? GaN FET LMG5200 — 80V GaN 半橋功率級
參考設計

TIDA-010954 — 基于 GaN 的 600W 單相周波轉換器參考設計

該參考設計基于周波轉換器 (AC-DAB) 拓撲和 TI GaN 功率級，實現了 600W 雙向單級直流-交流逆變器。該設計在直流側支持最高 60V 和 ±16A，在單相側支持 230VAC 和 2.6A。該逆變器支持雙向功率流，可用于各種應用，例如光伏微型逆變器或電池儲能系統 (BESS)。
設計指南: PDF
參考設計

TIDA-010949 — 基于 GaN 且具有有線和無線通信功能的 600W 太陽能電源優化器參考設計

此參考設計是一款太陽能電源優化器，可支持高達 80V 的輸入電壓和 80V 的輸出電壓，提供高達 18A 的輸出和輸入電流。該設計使用可配置的四開關降壓/升壓轉換器將電池板電流升壓或降壓至串電流。旁路電路使用基于智能二極管控制器的設計。

此參考設計包含電力線通信 (PLC)，還提供無線通信功能。數字控制和通信均在單個 C2000? 微控制器 (MCU) 中實現。

設計指南: PDF
參考設計

PMP23591 — 具有 GaN 開關的 20V 至 60V 輸入電壓、600W 汽車級兩相降壓轉換器參考設計

此參考設計可從額定的 48V 輸入生成穩定的 12V 輸出。此設計可以處理高達 50A 的最大電流，每相電流高達 25A。LM5137F-Q1 控制器通過集成的柵極驅動器為 LMG2100R026 半橋氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 提供開關信號。
測試報告: PDF
參考設計

PMP31306 — 適用于 H 類音頻應用、基于 GaN 的雙相升壓轉換器參考設計

本設計是一款適用于 H 類音頻應用的雙相汽車級升壓轉換器，使用 LMG2100R026 氮化鎵 (GaN) 半橋并提供模擬或數字輸出電壓跟蹤。在 11V 輸入電壓下，輸出功率為 1000W（12V 時峰值為 1250W）。轉換器的大小為 47mm× 48mm，不包括反極性保護和大容量輸入電容。本設計基于 LM5125-Q1。引腳兼容的 LM51251-Q1 型號提供額外的 I2C 用于診斷和控制功能，也可用在此設計中。
測試報告: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
UNKNOWN (VBN) 16 Ultra Librarian
VQFN-FCRLF (VBN) 18 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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支持和培訓

視頻