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LMG3427R030

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具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電壓檢測功能的 600V 30mΩ GaN FET

產(chǎn)品詳情

VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (RQZ) 54 144 mm2 12 x 12
  • 符合面向硬開關(guān)拓?fù)涞?JEDEC JEP180 標(biāo)準(zhǔn)
  • 帶集成柵極驅(qū)動器的 600V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度柵極偏置電壓
    • 200V/ns FET 釋抑
    • 2.2MHz 開關(guān)頻率
    • 20V/ns 至 150V/ns 壓擺率，用于優(yōu)化開關(guān)性能與緩解 EMI
    • 由 7.5V 至 18V 電源供電
  • 強大的保護(hù)
    • 響應(yīng)時間 ＜ 100ns 的逐周期過流與鎖存短路保護(hù)
    • 硬開關(guān)時可承受 720V 浪涌
    • 針對內(nèi)部過熱和 UVLO 監(jiān)控的自我保護(hù)
  • 高級電源管理
    • 數(shù)字溫度 PWM 輸出
    • LMG3426R030 包括有助于實現(xiàn)軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器的零電壓檢測功能 (ZVD)
    • LMG3427R030 包括有助于實現(xiàn)軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器的零電流檢測功能（ZCD）
  • 符合面向硬開關(guān)拓?fù)涞?JEDEC JEP180 標(biāo)準(zhǔn)
  • 帶集成柵極驅(qū)動器的 600V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度柵極偏置電壓
    • 200V/ns FET 釋抑
    • 2.2MHz 開關(guān)頻率
    • 20V/ns 至 150V/ns 壓擺率，用于優(yōu)化開關(guān)性能與緩解 EMI
    • 由 7.5V 至 18V 電源供電
  • 強大的保護(hù)
    • 響應(yīng)時間 ＜ 100ns 的逐周期過流與鎖存短路保護(hù)
    • 硬開關(guān)時可承受 720V 浪涌
    • 針對內(nèi)部過熱和 UVLO 監(jiān)控的自我保護(hù)
  • 高級電源管理
    • 數(shù)字溫度 PWM 輸出
    • LMG3426R030 包括有助于實現(xiàn)軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器的零電壓檢測功能 (ZVD)
    • LMG3427R030 包括有助于實現(xiàn)軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器的零電流檢測功能（ZCD）

LMG342xR030 GaN FET 具有集成式驅(qū)動器和保護(hù)功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，能夠讓設(shè)計人員實現(xiàn)更高水平的功率密度與效率。

LMG342xR030 集成了一個硅驅(qū)動器，可實現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動器相比，TI 的集成式精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關(guān) SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術(shù)相結(jié)合，可在硬開關(guān)電源拓?fù)渲刑峁└蓛舻拈_關(guān)和超小的振鈴。可調(diào)柵極驅(qū)動強度允許將壓擺率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之間，這可用于主動控制 EMI 并優(yōu)化開關(guān)性能。LMG3426R030包含零電壓檢測（ZVD）功能，能夠在實現(xiàn)零電壓開關(guān)時提供 ZVD 引腳脈沖輸出。LMG3427R030 包含零電流檢測（ZCD）功能，能夠在檢測到源極到漏極的正向電流時提供 ZCD 引腳脈沖輸出。

高級電源管理功能包括數(shù)字溫度報告和故障檢測。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出進(jìn)行報告，這可簡化器件加載管理。報告的故障包括過流、短路、過熱、VDD UVLO 以及高阻抗 RDRV 引腳。

LMG342xR030 GaN FET 具有集成式驅(qū)動器和保護(hù)功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，能夠讓設(shè)計人員實現(xiàn)更高水平的功率密度與效率。

LMG342xR030 集成了一個硅驅(qū)動器，可實現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動器相比，TI 的集成式精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關(guān) SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術(shù)相結(jié)合，可在硬開關(guān)電源拓?fù)渲刑峁└蓛舻拈_關(guān)和超小的振鈴。可調(diào)柵極驅(qū)動強度允許將壓擺率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之間，這可用于主動控制 EMI 并優(yōu)化開關(guān)性能。LMG3426R030包含零電壓檢測（ZVD）功能，能夠在實現(xiàn)零電壓開關(guān)時提供 ZVD 引腳脈沖輸出。LMG3427R030 包含零電流檢測（ZCD）功能，能夠在檢測到源極到漏極的正向電流時提供 ZCD 引腳脈沖輸出。

高級電源管理功能包括數(shù)字溫度報告和故障檢測。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出進(jìn)行報告，這可簡化器件加載管理。報告的故障包括過流、短路、過熱、VDD UVLO 以及高阻抗 RDRV 引腳。
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類型 標(biāo)題 下載最新的英語版本 日期
* 數(shù)據(jù)表 集成了驅(qū)動器、保護(hù)與溫度報告功能的 LMG342xR030 600 V 30 m? GaN FET 數(shù)據(jù)表 (Rev. F) PDF | HTML 英語版 (Rev.F) PDF | HTML 2025年 3月 27日

設(shè)計和開發(fā)

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子卡

LMG3422EVM-043 — LMG3422R030 600V 30m? 半橋子卡

LMG3422EVM-043 將兩個 LMG3422R030 GaN FET 配置到具有鎖存過流保護(hù)功能和所有必要輔助外圍電路的半橋中。該 EVM 旨在與大型系統(tǒng)配合使用。
用戶指南: PDF | HTML
英語版 (Rev.B): PDF | HTML
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計算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
支持的產(chǎn)品和硬件

支持的產(chǎn)品和硬件

產(chǎn)品
氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG2100R026 — 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 (GaN) 功率級 LMG2100R044 — 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET LMG2610 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和電流檢測功能且適用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋 LMG2640 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和電流檢測功能的 650V、105mΩ GaN 半橋 LMG2650 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和電流檢測功能的 650V、95mΩ GaN 半橋 LMG2652 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和電流檢測功能的 650V、140mΩ GaN 半橋 LMG2656 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和電流檢測功能的 650V、230mΩ GaN 半橋 LMG3410R050 — 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 600V 70m? GaN LMG3410R150 — 具有集成驅(qū)動器和過流保護(hù)功能的 600V 150mΩ GaN LMG3411R050 — 具有集成驅(qū)動器和逐周期過流保護(hù)功能的 600V 50m? GaN LMG3411R070 — 具有集成驅(qū)動器和逐周期過流保護(hù)功能的 600V 70m? GaN LMG3411R150 — 具有集成驅(qū)動器和逐周期過流保護(hù)功能的 600V 150mΩ GaN LMG3422R030 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能的 600V 30m? GaN FET LMG3422R050 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能的 600V 50m? GaN FET LMG3425R030 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能以及理想二極管模式的 600V 30m? GaN FET LMG3425R050 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能以及理想二極管模式的 600V 50m? GaN FET LMG3426R030 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電壓檢測功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電壓檢測功能的 600V 50m? GaN FET LMG3427R030 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電壓檢測功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3427R050 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電壓檢測功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能的 650V 30m? GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能的汽車類 650V 30m? GaN FET LMG3522R050 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報告功能的 650V 50m? GaN FET LMG3526R030 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電壓檢測功能的 650V 30m? GaN FET LMG3526R050 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電壓檢測報告功能的 650V 50m? GaN FET LMG3527R030 — 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和零電壓檢測功能的 650V 30m? GaN FET LMG5200 — 80V GaN 半橋功率級
參考設(shè)計

PMP23537 — 3.6kW CCM-TCM 多模式控制圖騰柱無橋 PFC 參考設(shè)計

此參考設(shè)計是一款 3.6kW 單相圖騰柱無橋功率因數(shù)校正 (PFC) 轉(zhuǎn)換器，面向模塊化硬件系統(tǒng)通用冗余電源 (M-CRPS) 服務(wù)器。PFC 在電感器電流較高的交流峰值時以連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 運行，在電感器電流較低的交流低區(qū)域以零電壓開關(guān) (ZVS) 三角導(dǎo)通模式 (TCM) 運行，實現(xiàn)高效率和高功率密度。此功率級后接小型升壓轉(zhuǎn)換器，這有助于縮小大容量電容器的尺寸。此設(shè)計還包含精度為 0.5% 的電子計量功能，使用 AMC1306 作為電流檢測器件，無需使用外部電源計量 IC。此設(shè)計中還提一種使用 TMCS1133 的低成本電流檢測替代方案。此設(shè)計配合 LMG3427R30 氮化鎵 (...)
測試報告: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
VQFN (RQZ) 54 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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