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LMG3410R050

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具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 600V 50mΩ GaN

產(chǎn)品詳情

VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 12 Features Bottom-side cooled, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 12 Features Bottom-side cooled, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RWH) 32 64 mm2 8 x 8
  • TI GaN 工藝通過了實(shí)際應(yīng)用硬開關(guān)任務(wù)剖面可靠性加速測試
  • 支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)
    • 與共源共柵或獨(dú)立 GaN FET 相比具有卓越的系統(tǒng)性能
    • 低電感 8mm x 8mm QFN 封裝簡化了設(shè)計(jì)和布局
    • 可調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度確保開關(guān)性能和 EMI 控制
    • 數(shù)字故障狀態(tài)輸出信號(hào)
    • 僅需 +12V 非穩(wěn)壓電源
  • 集成柵極驅(qū)動(dòng)器
    • 零共源電感
    • 20ns 傳播延遲,確保 MHz 級(jí)工作頻率
    • 工藝經(jīng)過調(diào)整的柵極偏置電壓,確保可靠性
    • 25V/ns 至 100V/ns 的用戶可調(diào)節(jié)壓擺率
  • 強(qiáng)大的保護(hù)
    • 無需外部保護(hù)組件
    • 過流保護(hù),響應(yīng)時(shí)間低于 100ns
    • 壓擺率抗擾性高于 150V/ns
    • 瞬態(tài)過壓抗擾度
    • 過熱保護(hù)
    • 針對(duì)所有電源軌的 UVLO 保護(hù)
  • 強(qiáng)大的保護(hù)
    • LMG3410R050:鎖存過流保護(hù)
    • LMG3411R050:逐周期過流保護(hù)
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      • 25V/ns 至 100V/ns 的用戶可調(diào)節(jié)壓擺率
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      • 無需外部保護(hù)組件
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      LMG341xR050 GaN 功率級(jí)具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,可讓設(shè)計(jì)人員在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有優(yōu)勢(shì)超越硅 MOSFET,包括超低輸入和輸出電容值、可將開關(guān)損耗降低 80% 的零反向恢復(fù)以及可降低 EMI 的低開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴。這些優(yōu)勢(shì)支持諸如圖騰柱 PFC 之類的密集高效拓?fù)洹?/p>

      LMG341xR050 通過集成一系列獨(dú)一無二的 特性 提供了傳統(tǒng)共源共柵 GaN 和獨(dú)立 GaN FET 的智能替代產(chǎn)品,以簡化設(shè)計(jì)、最大限度地提高可靠性并優(yōu)化任何電源的性能。集成式柵極驅(qū)動(dòng)器支持 100V/ns 開關(guān)(Vds 振鈴幾乎為零),低于 100ns 的限流可自行防止意外擊穿事件,過熱關(guān)斷可防止熱逃逸,而且系統(tǒng)接口信號(hào)可提供自監(jiān)控功能。

      LMG341xR050 GaN 功率級(jí)具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,可讓設(shè)計(jì)人員在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有優(yōu)勢(shì)超越硅 MOSFET,包括超低輸入和輸出電容值、可將開關(guān)損耗降低 80% 的零反向恢復(fù)以及可降低 EMI 的低開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴。這些優(yōu)勢(shì)支持諸如圖騰柱 PFC 之類的密集高效拓?fù)洹?/p>

      LMG341xR050 通過集成一系列獨(dú)一無二的 特性 提供了傳統(tǒng)共源共柵 GaN 和獨(dú)立 GaN FET 的智能替代產(chǎn)品,以簡化設(shè)計(jì)、最大限度地提高可靠性并優(yōu)化任何電源的性能。集成式柵極驅(qū)動(dòng)器支持 100V/ns 開關(guān)(Vds 振鈴幾乎為零),低于 100ns 的限流可自行防止意外擊穿事件,過熱關(guān)斷可防止熱逃逸,而且系統(tǒng)接口信號(hào)可提供自監(jiān)控功能。

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      設(shè)計(jì)和開發(fā)

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      用戶指南: PDF
      TI.com 上無現(xiàn)貨
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      參考設(shè)計(jì)

      PMP40690 — 采用 C2000? MCU 和 GaN 的 4kW 交錯(cuò)式 CCM 圖騰柱無橋 PFC 參考設(shè)計(jì)

      此參考設(shè)計(jì)是一款 4kW 交錯(cuò)式 CCM 圖騰柱 (TTPL) 無橋 PFC 參考設(shè)計(jì),采用了 64 引腳 C2000? 微控制器、LM3410 氮化鎵器件和 TMCS1100 霍爾傳感器。它基于使用 C2000? MCU 的 TIDM-02008 雙向交互式 CCM?TTPL 無橋 PFC 參考設(shè)計(jì),并將整個(gè) PCB 的尺寸降至 145mm x 105mm x 35mm。氮化鎵 (GaN) 器件用于功率級(jí),可實(shí)現(xiàn) 98.73% 的峰值效率。該設(shè)計(jì)包含切相、自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間和輸入電容補(bǔ)償?shù)雀呒?jí)功能,可提高負(fù)載范圍內(nèi)的 PF 和效率,并利用非線性電壓環(huán)路降低負(fù)載瞬態(tài)下的電壓過沖和下沖。
      測試報(bào)告: PDF
      原理圖: PDF
      封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
      VQFN (RWH) 32 Ultra Librarian

      訂購和質(zhì)量

      包含信息:
      • RoHS
      • REACH
      • 器件標(biāo)識(shí)
      • 引腳鍍層/焊球材料
      • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
      • MTBF/時(shí)基故障估算
      • 材料成分
      • 鑒定摘要
      • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
      包含信息:
      • 制造廠地點(diǎn)
      • 封裝廠地點(diǎn)

      推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評(píng)估模塊或參考設(shè)計(jì)。

      支持和培訓(xùn)

      可獲得 TI 工程師技術(shù)支持的 TI E2E? 論壇

      所有內(nèi)容均由 TI 和社區(qū)貢獻(xiàn)者按“原樣”提供,并不構(gòu)成 TI 規(guī)范。請(qǐng)參閱使用條款

      如果您對(duì)質(zhì)量、包裝或訂購 TI 產(chǎn)品有疑問,請(qǐng)參閱 TI 支持。??????????????

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