我們的無源和分立式元件可在小型封裝選項中提供高性能，適用于各種應用。器件包括保護二極管、高精度硅基線性熱敏電阻、超低噪聲結型場效應晶體管、固定頻率振蕩器和精密薄膜電阻器。我們的技術進步有助于可靠地保護您的系統，增強設計集成，提供功能和性能，同時減小解決方案尺寸并降低功耗。
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使用我們先進的分立式技術簡化您的設計流程
可靠地保護您的系統免受 ESD 和浪涌事件的影響
我們的靜電放電 (ESD)、瞬態電壓抑制器 (TVS) 和齊納二極管產品系列包含多種封裝和電壓選項。
優勢：
- <0.5pF ESD 二極管能夠保護速度高達 30GHz 的數據線路，從而確保正常運行期間的信號完整性。
- 平緩鉗位 TVS 技術提供了一種用于耗散浪涌瞬變的可靠解決方案，具有精確、平穩、不受溫度影響的鉗位電壓，可更大限度地減小施加到受保護系統的殘余電壓。
- 該產品系列中的汽車級器件可滿足對需要高達 30kV 保護電壓的系統的嚴格標準。
白皮書
Flat-Clamp surge protection technology for efficient system protection
我們的平緩鉗位 TVS 二極管如何以及為何能夠提供超越傳統 TVS 解決方案的浪涌保護。
通過薄膜 SiCr 電阻器網絡實現高性能電路
我們的薄膜硅鉻電阻器網絡采用交錯技術來實現較高的元件間匹配，并具有抗老化和溫度應力的能力。
優勢：
- 薄膜 SiCr 以小巧的外形實現高度交錯，同時提供比厚膜解決方案更低的閃爍噪聲。
- 片上交錯可以有效地使多個電阻器占據晶圓上的同一位置，從而確保晶圓上薄膜電阻材料的任何變化都會對所有電阻器產生同等影響。
- 匹配的電阻器可實現極低的比例溫度系數，典型漂移為 0.2ppm/°C 或更低。
應用簡報
Ultra-Low-Noise JFET Preamplifier Design for High Impedance Sensors.
探索適用于高阻抗傳感器的超低噪聲 JFET 前置放大器設計，通過比較拓撲結構在不同源阻抗下平衡電流消耗和噪聲性能。
應用簡報
Trade-offs Between CMOS, JFET, and Bipolar Input Stage Technology
了解如何區分 CMOS、JFET 和雙極運算放大器技術，重點關注噪聲、輸入阻抗、失調電壓和漂移方面的權衡，以指導為低噪聲應用選擇器件。
實現精確的熱監測，同時降低系統復雜性
線性硅基熱敏電阻可在整個溫度范圍內保持高靈敏度，從而提高性能和可靠性。
優勢：
- 無需線性化電路或基于硬件的電阻器-電容器濾波器。
- 與負溫度系數 (NTC) 熱敏電阻相比，可執行更快、更準確的軟件轉換，同時降低存儲器要求。
- 無需多點校準，即可實現比 NTC 熱敏電阻高多達 50% 的精度。
- 由于熱質量較低，在較高溫度下可實現幾乎 300% 的響應速度和更高的靈敏度。
- 產品系列包括 TI 功能安全型器件和時基故障率/故障模式分布文檔。
- 低自發熱可更大限度地減少長期傳感器溫漂。
應用手冊
Achieve ±1°C Accuracy or Better Across Temp. W/Low-Cost TMP6x Linear Thermistors
本應用手冊提供了使用 TMP6x 線性硅基熱敏電阻實現更高精度的步驟和偽代碼。與 NTC 不同，在任何溫度下只需進行單點校準，即可實現更高的精度。
充分利用我們的振蕩器中 BAW 技術的優勢
體聲波 (BAW) 諧振器在現有石英和微電子機械諧振器技術的基礎上進行了許多改進。我們的產品系列包括具有 1MHz 至 400MHz 頻率、業界通用封裝、低功耗和寬電源電壓范圍的振蕩器。
優勢：
- 基于 BAW 的晶體振蕩器提供出色的可靠性（針對振動和沖擊、故障間隔平均時間 (MTBF)、溫度穩定性、老化和環境因素等）。
- 實現了小于 100fs 的均方根抖動。
- 使用 BAW 振蕩器替代石英振蕩器無需任何設計或印刷電路板布局布線更改。
應用手冊
獨立 BAW 振蕩器相對于石英晶體振蕩器的優勢
本應用報告詳細介紹了 TI BAW 技術，將 BAW 諧振器與振蕩器電路集成以形成獨立振蕩器，以及使用 BAW 振蕩器相對于石英晶體振蕩器的優勢。