LMG3425R030

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具有集成驅動器、保護和溫度報告功能以及理想二極管模式的 600V 30m? GaN FET

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VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Ideal diode mode, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Ideal diode mode, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RQZ) 54 144 mm2 12 x 12
  • 符合面向硬開關拓撲的 JEDEC JEP180 標準
  • 帶集成柵極驅動器的 600V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度柵極偏置電壓
    • 200V/ns FET 釋抑
    • 2.2MHz 開關頻率
    • 20V/ns 至 150V/ns 壓擺率，用于優化開關性能與緩解 EMI
    • 由 7.5V 至 18V 電源供電
  • 強大的保護
    • 響應時間 ＜ 100ns 的逐周期過流與鎖存短路保護
    • 硬開關時可承受 720V 浪涌
    • 針對內部過熱和 UVLO 監控的自我保護
  • 高級電源管理
    • 數字溫度 PWM 輸出
    • 理想二極管模式能夠減少第三象限損耗
  • 符合面向硬開關拓撲的 JEDEC JEP180 標準
  • 帶集成柵極驅動器的 600V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度柵極偏置電壓
    • 200V/ns FET 釋抑
    • 2.2MHz 開關頻率
    • 20V/ns 至 150V/ns 壓擺率，用于優化開關性能與緩解 EMI
    • 由 7.5V 至 18V 電源供電
  • 強大的保護
    • 響應時間 ＜ 100ns 的逐周期過流與鎖存短路保護
    • 硬開關時可承受 720V 浪涌
    • 針對內部過熱和 UVLO 監控的自我保護
  • 高級電源管理
    • 數字溫度 PWM 輸出
    • 理想二極管模式能夠減少第三象限損耗

LMG3425R030 GaN FET 具有集成式驅動器和保護功能，適用于開關模式電源轉換器，能夠讓設計人員實現更高水平的功率密度與效率。

LMG3425R030 集成了一個硅驅動器，可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立式硅柵極驅動器相比，TI 的集成式精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術相結合，可在硬開關電源拓撲中提供干凈的開關和超小的振鈴。可調柵極驅動強度允許將壓擺率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之間，這可用于主動控制 EMI 并優化開關性能。

高級電源管理功能包括數字溫度報告、故障檢測和理想二極管模式。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出進行報告，這可簡化器件加載管理。報告的故障包括過流、短路、過熱、VDD UVLO 以及高阻抗 RDRV 引腳。理想二極管模式通過啟用空載時間控制功能的方式降低第三象限損耗。

LMG3425R030 GaN FET 具有集成式驅動器和保護功能，適用于開關模式電源轉換器，能夠讓設計人員實現更高水平的功率密度與效率。

LMG3425R030 集成了一個硅驅動器，可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立式硅柵極驅動器相比，TI 的集成式精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術相結合，可在硬開關電源拓撲中提供干凈的開關和超小的振鈴。可調柵極驅動強度允許將壓擺率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之間，這可用于主動控制 EMI 并優化開關性能。

高級電源管理功能包括數字溫度報告、故障檢測和理想二極管模式。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出進行報告，這可簡化器件加載管理。報告的故障包括過流、短路、過熱、VDD UVLO 以及高阻抗 RDRV 引腳。理想二極管模式通過啟用空載時間控制功能的方式降低第三象限損耗。
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設計和開發

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評估板

LMG342X-BB-EVM — LMG342x 評估模塊

LMG342X-BB-EVM 是易于使用的分線板，可將 LMG3422EVM-043 等各種 LMG342xR0x0 半橋板配置為同步降壓轉換器。通過提供功率級、輔助電源和邏輯電路，該評估模塊 (EVM) 可用于快速測量氮化鎵 (GaN) 器件的開關速度。該 EVM 能夠在提供充分熱管理（強制通風、低頻運行等）的同時提供高達 12A 的輸出電流，從而確保不超出最大工作溫度。該 EVM 不適合用于瞬態測量，因為該板是開環板。

僅需要一個脈寬調制輸入，即可在電路板上生成互補的脈寬調制信號和相應的死區時間。提供了探測點，從而可使用具有短接地彈簧的示波器探針測量關鍵邏輯和功率級波形。

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子卡

LMG3425EVM-043 — 具有理想二極管模式的 LMG3425R030 600V 30m? 半橋子卡

LMG3425EVM-043 可將兩個 LMG3425R030 GaN FET 配置到具有鎖存過流保護功能和所有必要輔助外圍電路的半橋中。  該 EVM 需要與大型系統配合使用。
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仿真模型

LMG3422R030 PSpice Model

SNOM767.ZIP (270 KB) - PSpice Model
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計算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
支持的產品和硬件

支持的產品和硬件

產品
氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG2100R026 — 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 (GaN) 功率級 LMG2100R044 — 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET LMG2610 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能且適用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋 LMG2640 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V、105mΩ GaN 半橋 LMG2650 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V、95mΩ GaN 半橋 LMG2652 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V、140mΩ GaN 半橋 LMG2656 — 具有集成驅動器、保護和電流檢測功能的 650V、230mΩ GaN 半橋 LMG3410R050 — 具有集成驅動器和保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有集成驅動器和保護功能的 600V 70m? GaN LMG3410R150 — 具有集成驅動器和過流保護功能的 600V 150mΩ GaN LMG3411R050 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 50m? GaN LMG3411R070 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 70m? GaN LMG3411R150 — 具有集成驅動器和逐周期過流保護功能的 600V 150mΩ GaN LMG3422R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 600V 30m? GaN FET LMG3422R050 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 600V 50m? GaN FET LMG3425R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能以及理想二極管模式的 600V 30m? GaN FET LMG3425R050 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能以及理想二極管模式的 600V 50m? GaN FET LMG3426R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 50m? GaN FET LMG3427R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3427R050 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 650V 30m? GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的汽車類 650V 30m? GaN FET LMG3522R050 — 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 650V 50m? GaN FET LMG3526R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 650V 30m? GaN FET LMG3526R050 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測報告功能的 650V 50m? GaN FET LMG3527R030 — 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 650V 30m? GaN FET LMG5200 — 80V GaN 半橋功率級
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
VQFN (RQZ) 54 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
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  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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