ZHCSQ51 November 2023 MCF8329A
PRODUCTION DATA
IPD 釋放使用高阻態模式,高側 (HSA) 和低側 (LSC) MOSFET 均關斷,電流通過體二極管再循環回到電源中(請參閱圖 7-22)。
IPD 釋放期間的高阻態模式會使電機直流電源電壓 VM (VPVDD) 上的電壓升高。用于必須通過選擇適當的鉗位電路或通過在 VPVDD 和 GND 之間提供足夠的電容以吸收能量來解決該問題。