ZHCSQ51 November 2023 MCF8329A
PRODUCTION DATA
自舉電容器的大小必須能夠維持自舉電壓高于欠壓鎖定以實現(xiàn)正常運行。方程式 13 用于計算自舉電容器上允許的最大壓降:

ΔVBSTX = 12V – 0.85V – 4.45V = 6.7V
其中
在該示例中,自舉電容器上允許的壓降為 6.7V。通常建議應盡可能降低自舉電容器和 GVDD 電容器上的紋波電壓。商業(yè)、工業(yè)和汽車應用中的常用紋波值介于 0.5V 和 1V 之間。
每個開關周期所需的總電荷可以通過方程式 14 進行估算:
QTOT = 54nC + 115μA/20kHz = 54nC + 5.8nC = 59.8nC
其中
假設 ΔVBSTx 為 1V,則最小自舉電容器可通過以下公式進行估算:

CBST_MIN = 59.8nC/1V = 59.8nF
計算出的最小自舉電容值為 59.8nF。請注意,這是全偏置電壓條件下所需的電容值。實際應用中,自舉電容值必須大于計算值,才能確保在功率級可能因各種瞬態(tài)條件而發(fā)生脈沖跳躍的情況下正常使用。在本示例中,建議使用 100nF 自舉電容器。此外,還建議預留足夠的裕度,并將自舉電容器盡可能靠近 BSTx 和 SHx 引腳放置。

CGVDD = 10*100nF = 1μF
對于該示例應用,選擇 1μF CGVDD 電容器。選擇電壓等級至少是其將承受的最大電壓兩倍的電容器,因為大多數(shù)陶瓷電容器在偏置時會損失大量電容。該值還可提高系統(tǒng)的長期可靠性。