ZHCSN22 April 2020 DRV8434S
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能模塊圖
- 7.3
特性說明
- 7.3.1 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器電流額定值
- 7.3.2 PWM 電機(jī)驅(qū)動器
- 7.3.3 微步進(jìn)分度器
- 7.3.4 通過 MCU DAC 控制 VREF
- 7.3.5 電流調(diào)節(jié)
- 7.3.6 衰減模式
- 7.3.7 PWM 關(guān)斷時(shí)間
- 7.3.8 消隱時(shí)間
- 7.3.9 電荷泵
- 7.3.10 線性穩(wěn)壓器
- 7.3.11 邏輯電平、三電平和四電平引腳圖
- 7.3.12 保護(hù)電路
- 7.4 器件功能模式
- 7.5 編程
- 7.6 寄存器映射
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 電源相關(guān)建議
- 10布局
- 11器件和文檔支持
- 12機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGE|24
訂購信息
7.3.6 衰減模式
在 PWM 電流斬波期間，將啟用 H 橋以驅(qū)動電流流過電機(jī)繞組，直至達(dá)到 PWM 電流斬波閾值。圖 7-6 的項(xiàng)目 1 中顯示了這種情況。
達(dá)到斬波電流閾值后，H 橋可在兩種不同的狀態(tài)下運(yùn)行：快速衰減或慢速衰減。在快速衰減模式下，一旦達(dá)到 PWM 斬波電流電平，H 橋便會通過導(dǎo)通對側(cè)的 MOSFET 進(jìn)行狀態(tài)逆轉(zhuǎn)，使繞組電流反向流動。由于繞組電流接近零，因此會禁用該電橋，以防止進(jìn)一步出現(xiàn)反向流動的電流。圖 7-6 的項(xiàng)目 2 中顯示了快速衰減模式。在慢速衰減模式下，通過啟用 H 橋中的兩個(gè)低側(cè) MOSFET 來實(shí)現(xiàn)繞組電流的再循環(huán)。圖 7-6 的項(xiàng)目 3 中顯示了這種情況。
圖 7-6 衰減模式由 DECAY 寄存器來選擇衰減模式，如表 7-7 所示。
表 7-7 衰減模式設(shè)置
| DECAY | 上升階躍 | 下降階躍 |
|---|---|---|
| 000b | 慢速衰減 | 慢速衰減 |
| 001b | 慢速衰減 | 混合衰減：快 30% |
| 010b | 慢速衰減 | 混合衰減：快 60% |
| 011b | 慢速衰減 | 快速衰減 |
| 100b | 混合衰減快 30% | 混合衰減：快 30% |
| 101b | 混合衰減：快 60% | 混合衰減：快 60% |
| 110b | 智能調(diào)優(yōu)動態(tài)衰減 | 智能調(diào)優(yōu)動態(tài)衰減 |
| 111b（默認(rèn)值） | 智能調(diào)優(yōu)紋波控制 | 智能調(diào)優(yōu)紋波控制 |
圖 7-7 定義了上升和下降電流。對于慢速混合衰減模式，衰減模式在上升電流步進(jìn)期間設(shè)置為慢速，在下降電流步進(jìn)期間設(shè)置為混合衰減。在全步進(jìn)和非循環(huán) 1/2 步進(jìn)模式中，始終使用下降步進(jìn)所對應(yīng)的衰減模式。
圖 7-7 上升和下降步進(jìn)的定義