ZHCAE23C May 2024 – June 2025 ADC08D1520QML-SP , ADC10D1000QML-SP , ADC128S102QML-SP , ADC12D1600QML-SP , ADC12D1620QML-SP , ADC12DJ3200QML-SP , ADC12DJ5200-SP , ADC12QJ1600-SP , ADC14155QML-SP , ADS1278-SP , ADS1282-SP , ADS5400-SP , ADS5424-SP , ADS5444-SP , ADS5463-SP , ADS5474-SP , AM26LS33A-SP , CDCLVP111-SP , CDCM7005-SP , DAC121S101QML-SP , DAC5670-SP , DAC5675A-SP , DP83561-SP , DS16F95QML-SP , DS26F31MQML-SP , DS26F32MQML-SP , DS90C031QML-SP , DS90C032QML-SP , DS90LV031AQML-SP , DS90LV032AQML-SP , DS96F174MQML-SP , DS96F175MQML-SP , INA901-SP , LF198JAN-SP , LF198QML-SP , LF411QML-SP , LM111QML-SP , LM117HVQML-SP , LM117QML-SP , LM119QML-SP , LM124-SP , LM124AQML-SP , LM136A-2.5QML-SP , LM137JAN-SP , LM137QML-SP , LM139-SP , LM139AQML-SP , LM148JAN-SP , LM158QML-SP , LM185-1.2QML-SP , LM185-2.5QML-SP , LM193QML-SP , LM2940QML-SP , LM2941QML-SP , LM4050QML-SP , LM6172QML-SP , LM7171QML-SP , LM723JAN-SP , LM98640QML-SP , LMH5401-SP , LMH5485-SP , LMH6628QML-SP , LMH6702QML-SP , LMH6715QML-SP , LMK04832-SP , LMP2012QML-SP , LMP7704-SP , LMX1906-SP , LMX2615-SP , LP2953QML-SP , MSP430FR5969-SP , OPA4277-SP , SE555-SP , SMJ320C6701-SP , SMV320C6727B-SP , SN54AC00-SP , SN54AC02-SP , SN54AC14-SP , SN54AC244-SP , SN54AC245-SP , SN54AC373-SP , SN54AC74-SP , SN54ACT04-SP , SN54ACT244-SP , SN54ACT245-SP , SN54ACT373-SP , SN54ACT374-SP , SN54AHC244-SP , SN54AHC245-SP , SN54AHCT08-SP , SN54AHCT14-SP , SN54ALS244C-SP , SN54HC00-SP , SN54HC02-SP , SN54HC04-SP , SN54HC08-SP , SN54HC10-SP , SN54HC109-SP , SN54HC11-SP , SN54HC132-SP , SN54HC138-SP , SN54HC139-SP , SN54HC14-SP , SN54HC153-SP , SN54HC157-SP , SN54HC161-SP , SN54HC164-SP , SN54HC166-SP , SN54HC20-SP , SN54HC244-SP , SN54HC245-SP , SN54HC273-SP , SN54HC32-SP , SN54HC373-SP , SN54HC374-SP , SN54HC573A-SP , SN54HC595-SP , SN54HC74-SP , SN54HCT04-SP , SN54HCT244-SP , SN54HCT245-SP , SN54HCT373-SP , SN54LS00-SP , SN54LS02-SP , SN54LS04-SP , SN54LS08-SP , SN54LS10-SP , SN54LS123-SP , SN54LS138-SP , SN54LS139A-SP , SN54LS14-SP , SN54LS145-SP , SN54LS161A-SP , SN54LS164-SP , SN54LS165A-SP , SN54LS193-SP , SN54LS240-SP , SN54LS244-SP , SN54LS245-SP , SN54LS26-SP , SN54LS273-SP , SN54LS32-SP , SN54LS373-SP , SN54LS393-SP , SN54LS74A-SP , SN54LVC00A-SP , SN54LVC138A-SP , SN54LVC14A-SP , SN54LVC646A-SP , SN54LVC74A-SP , SN54LVCH244A-SP , SN54LVCH245A-SP , SN54LVTH162244-SP , SN54LVTH162245-SP , SN54LVTH162373-SP , SN54LVTH162374-SP , SN54LVTH16244A-SP , SN54LVTH16245A-SP , SN54LVTH244A-SP , SN54LVTH245A-SP , SN54LVTH574-SP , SN55182-SP , SN55183-SP , SN55HVD233-SP , SN55LVCP22-SP , SN55LVCP22A-SP , SN55LVDS31-SP , SN55LVDS32-SP , SN55LVDS33-SP , THS4304-SP , THS4511-SP , THS4513-SP , TL1431-SP , TLC2201-SP , TLK2711-SP , TMP461-SP , TMP9R00-SP , TPS50601-SP , TPS50601A-SP , TPS7A4501-SP , TPS7H1101A-SP , TPS7H1111-SP , TPS7H1121-SP , TPS7H2201-SP , TPS7H2211-SP , TPS7H3014-SP , TPS7H3301-SP , TPS7H3302-SP , TPS7H4001-SP , TPS7H4002-SP , TPS7H4011-SP , TPS7H5001-SP , TPS7H5002-SP , TPS7H5003-SP , TPS7H5004-SP , TPS7H6003-SP , TPS7H6013-SP , TPS7H6023-SP , TRF0206-SP , UC1525B-SP , UC1611-SP , UC1625-SP , UC1637-SP , UC1705-SP , UC1707-SP , UC1708-SP , UC1709-SP , UC1710-SP , UC1715-SP , UC1823A-SP , UC1825A-SP , UC1825B-SP , UC1832-SP , UC1834-SP , UC1842-SP , UC1842A-SP , UC1843-SP , UC1843A-SP , UC1843B-SP , UC1844-SP , UC1844A-SP , UC1845-SP , UC1845A-SP , UC1846-SP , UC1856-SP , UC1863-SP , UC1875-SP , UC1901-SP , UC19432-SP , UCC1806-SP
MIL-PRF-38535 是針對密封封裝和非密封封裝集成電路的軍用規格標準。該規格涵蓋航空航天和國防應用的通用制造要求、質量要求和可靠性要求。目標是在這些高可靠性場景中為質量和性能建立工藝流程基準。德州儀器 (TI) 制定了 QML 產品的規格和要求，以滿足根據 MIL-PRF-38535 定義的質量水平。表 1 中列出了 TI 提供的和 DLA 商定的 QML 優化。
N 類 – 產品已接受 MIL-PRF-38535 測試并滿足其所有適用要求，包括 TI 定義的鑒定測試、篩選測試以及技術合格檢驗和質量合格檢驗 (TCI/QCI)，并且采用塑料封裝（TI 提供）。
V 類 – 產品已接受 MIL-PRF-38535 測試并滿足其所有適用要求，包括鑒定測試、篩選測試以及 TCI/QCI 檢驗，并且已接受表 1 中 MIL-PRF-38535 測試并滿足其所有適用要求（TI 提供）。
P 類 – 非密封塑料封裝微電路 (PEM)，符合 MIL-PRF-38535 的所有適用要求，包括鑒定、篩選和 TCI/QCI 檢驗以及表 1 中的所有適用要求（TI 提供）。
Y 類 – 采用非密封封裝的微電路，符合 MIL-PRF-38535 的所有適用要求，包括鑒定、篩選和 TCI/QCI 檢驗以及表 1 中的所有適用要求（TI 提供）。
Q 類 – 產品已接受 MIL-PRF-38535 測試并滿足其所有適用要求，包括鑒定測試、篩選測試和 TCI/QCI 檢驗（TI 提供）。
| 制造商 | 規格 | 測試優化 | 日期 |
|---|---|---|---|
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | D-8，無蓋子扭矩（所有 Cerdip、Cerflat 玻璃密封封裝，所有類別） | 1993 年 10 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | 避免了 100% 老化處理（所有 TTL、LS、STTL 產品系列。所有封裝配置。） 僅限 B/Q 級 |
1994 年 6 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | 消除了恒定加速（采用 8、14、16、20 引腳 DIP 封裝的所有產品） 僅限 B/Q 級 |
1994 年 6 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | 省去了溫度循環（采用 8、14、16、20 引腳 DIP 封裝的所有產品） | 1994 年 6 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | 省去了 100% 高放大率檢查（TTL、LS、STTL、ALS HCMOS、F、AS 和 55 系列產品線。所有封裝配置） 僅限 B/Q 級 |
1994 年 6 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | 消除了對某些線性產品的 100% 老化處理（如需特定線性產品，請聯系 TI 或 DLA 陸地和海上維護） 僅限 B/Q 級 |
1994 年 9 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | 省去了對 alpha V10、alpha I10 的組 A 采樣測試和對某些線性產品的各種噪聲測試（如需特定線性產品，請聯系 TI 或 DLA 陸地和海上維護） | 1994 年 9 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | 最終電氣，25°C（消除了 ALS、AS、FAST、54ABT32316 父器件類型） 僅限 B/Q 級 |
1995 年 11 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | 消除了 100% 老化處理（HCMOS、所有封裝） 僅限 B/Q 級 |
1995 年 2 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | 消除了 100% 老化處理 (ALS、AS、FAST) 僅限 B/Q 級 |
1995 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | 消除了 100% 文讀循環（所有 CPAK） 僅限 B/Q 級 |
1995 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | 消除了 100% 恒定加速（所有 CPAK） 僅限 B/Q 級 |
1995 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | 消除了 100% -55°C 篩選和 A 組（HC 和 HCT） 僅限 B/Q 級 |
1995 年 3 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | 消除了 100%-55°C 篩選 (ABT、AC、ACT、BCT) 僅限 B/Q 級 |
1996 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) |
MIL-PRF-38535 |
減少了對 4 Meg DRAM 的老化處理 僅限 B/Q 級 |
1996 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) |
MIL-PRF-38535 |
消除了物理尺寸 (D1)、耐濕性 (D3)、絕緣電阻 (D3)（適用于臺灣和新加坡工廠的所有陶瓷封裝） | 1996 年 10 月 |
| 德州儀器 (TI) |
MIL-PRF-38535 |
V 類、P 類、Y 類 消除了讀取和記錄數據 |
2000 年 5 月 |
| 德州儀器 (TI) |
MIL-PRF-38535 |
V 類 X 射線（僅監控玻璃冰箱密封件） |
2000 年 5 月 |
| 德州儀器 (TI) |
MIL-PRF-38535 |
V 類 消除了無損鍵合拉力 |
2000 年 5 月 |
| 德州儀器 (TI) |
MIL-PRF-38535 |
V 類 消除了所有倒裝芯片上的 PIND 和離心 |
2000 年 5 月 |
| 德州儀器 (TI) |
MIL-PRF-38535 |
消除了 100% 老化處理（選定 DSP/MCU） 僅限 B/Q 級 |
1996 年 6 月 |
| 德州儀器 (TI) |
MIL-PRF-38535 |
消除了 100% -55°C 篩選（選定 DSP/MCU） 僅限 B/Q 級 |
1998 年 6 月 |
| 德州儀器 (TI) |
MIL-PRF-38535 |
消除了焊接蓋器件上的 100% X 射線 | 2007 年 10 月 |
| 德州儀器 (TI) |
MIL-PRF-38535 |
QCI B 組子組 1 V 類 36 周窗口內按封裝系列作為 Generic Group D QCI 的一部分執行的物理尺寸和內部水汽實驗 |
2000 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) |
MIL-PRF-38535 |
QCI B 組子組 2 V 類 對于溶劑的耐受性、鍵合強度和模具剪切是按照封裝系列進行的通用 B 組 QCI 的一部分，每周進行一次密封。主體 38535 B 組。 100% 封蓋前檢查涵蓋內部目視和機械檢查。 |
2000 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) |
MIL-PRF-38535 |
QCI B 組子組 3 V 類 按封裝系列作為通用 B 組 QCI 的一部分進行焊接能力檢查，每周密封一次。 |
2000 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) |
MIL-PRF-38535 |
QCI B 組子組 4 V 類 36 周窗口內按封裝系列作為通用組 D CQI 的一部分執行鉛完整性和密封測試。 消除了針對所有封裝系列的蓋子扭矩測試 |
2000 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) |
MIL-PRF-38535 |
QCI B 組子組 5 V 類 作為晶圓批次驗收的一部分執行的端點電氣、穩態壽命和端點電氣測試 |
2000 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | QCI B 組子組 6 V 類 在 36 周窗口內按封裝系列作為通用 D 組 QCI 一部分執行的終端電氣、溫度循環、持續加速、密封和終點電氣參數測試 |
2000 年 8 月 |
| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | DS16F95 DS26F31 和 32 DS96F172 到 175 僅限 S/V 級 在方法 2018（SEM 檢查）中，對于方法 5007（晶圓批次驗收），所需的金屬化橫截面面積的最小百分比從 50% 降低到 30% |
1997 年 6 月 |
| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | 僅限 S/V 級的所有器件型號 方法 5007 的 a. 和 c. 部分減少了從每個晶圓批次到預先指定的濺射金屬沉積系統維護事件（例如通風等）的“熱穩定性測試”（C-V 圖。） |
1999 年 10 月 |
| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | 金屬罐封裝（TO-3、5、39、46） | 1996 年 6 月 |
| 僅限 B/Q 級 | |||
| M2001，無需再篩選恒定加速度 | |||
| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | 僅限 S/V 級的特定器件型號 | 2006 年 11 月 |
| 根據方法 2030 執行的超聲波檢查，而不是使用覆鎢散熱片對陶瓷封裝進行放射成像 | |||
| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | DS26LS31 僅限 B/Q 級 | 2000 年 7 月 |
| 從檢驗批次篩選到制造批次樣品的老化處理時間縮短。壽命測試頻率從每年一次增加到每季度一次，可以使用非燒毀器件。 | |||
| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | LM124 LM139 |
2000 年 8 月 2001 年 1 月 |
| 僅限 B/Q 級 從檢驗批次篩選到制造批次樣品的老化處理時間縮短。壽命測試頻率從每年一次增加到每季度一次，可以使用非燒毀器件。 |
|||
| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | LM124、LM124A | 2002 年 10 月 |
| 僅限 B/Q 級 A-2、A-3 最終電氣篩選移至老化處理之前 |
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| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | JL111、LM111 | 2002 年 6 月 |
| 僅限 B/Q 級 從檢驗批次篩選到制造批次樣品的老化處理時間縮短。壽命測試頻率從每年一次增加到每季度一次，可以使用非燒毀器件。 |
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| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | LM158 | 2002 年 11 月 |
| 僅限 B/Q 級 從檢驗批次篩選到制造批次樣品的老化處理時間縮短。壽命測試頻率從每年一次增加到每季度一次，可以使用非燒毀器件。 |
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| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | DS96F173 和 175 | 2002 年 8 月 |
| 僅限 B/Q 級 從檢驗批次篩選到制造批次樣品的老化處理時間縮短。壽命測試頻率從每年一次增加到每季度一次，可以使用非燒毀器件。 |
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| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | JL148、LM148 僅限 B/Q 級 從檢驗批次篩選到制造批次樣品的老化處理時間縮短。壽命測試頻率從每年一次增加到每季度一次，可以使用非燒毀器件。 |
2002 年 11 月 |
| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | LM139、LM139A 僅限 B/Q 級 A-2、A-3 最終電氣篩選移至老化處理之前 |
2003 年 1 月 |
| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 |
LM741 僅限 B/Q 級 從檢驗批次篩選到制造批次樣品的老化處理時間縮短。壽命測試頻率從每年一次增加到每季度一次，可以使用非燒毀器件。 |
2003 年 6 月 |
| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | LM136A 僅限 B/Q 級 A-2、A-3 最終電氣篩選移至老化處理之前 可在老化處理之前執行針對 25°C、-55°C、+125°C 和溫度系數測試的 LM136 篩選。 針對 -55°C、125°C 的 LM148 篩選移至老化處理之前 |
2005 年 10 月 2006 年 5 月 2006 年 6 月 |
| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | LM723 | 2003 年 11 月 |
| 僅限 B/Q 級 從檢驗批次篩選到制造批次樣品的老化處理時間縮短。壽命測試頻率從每年一次增加到每季度一次，可以使用非燒毀器件。 |
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| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | DS26LS31 | 2005 年 12 月 |
| 僅限 B/Q 級 從檢驗批次篩選到制造批次樣品的老化處理時間縮短。壽命測試頻率從每年一次增加到每季度一次，可以使用非燒毀器件。 |
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| Legacy (National Semiconductor) | MIL-PRF-38535 | LM117、JL117 | 2008 年 5 月 |
| LM119 | |||
| 僅限 B/Q 級 從檢驗批次篩選到制造批次樣品的老化處理時間縮短。壽命測試頻率從每年一次增加到每季度一次，可以使用非燒毀器件。 |
| 制造商 | 規格 | 測試優化 | 日期 |
|---|---|---|---|
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 | TI 系統不支持第 3.1 節（第 13-14 頁）“塑料封裝的標識”中所述的標識。請遵循 TI 標準標識/編號法。實際的產品編號法可在 SMD 中進行記錄。 | 2023 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 表 IA：篩選程序（第 20 頁） |
允許 1X 回流，以代替表 IA“TM1010 條件 B、-55/125C、15cy – 非標準流程”中的溫度循環。執行 TC 時，必須符合 JESD22-A104 標準。 | 2023 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 表 V：D 組（第 37-43 頁）D3/TM1010 | 按照 JESD22- A104 執行 TC，以便與附錄 H 和標準工廠規格保持一致。 | 2023 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 表 V：D 組（第 37-43 頁） D3/澄清 |
澄清： 根據以下條件之一執行 UHAST： 130C，85%RH – 96 小時 110C，85%RH – 264 小時。 根據注釋 18 允許使用。 |
2023 年 8 月 |
| TI 可以針對 QCI 執行 UHAST 而非 BHAST。根據 MIL-PRF-38535 允許使用。 | |||
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 表 V：D 組（第 37-43 頁） D3/澄清 |
澄清： TI 可以對 UHAST 和 TC 使用不同的單元。根據注釋 17 允許使用的選項。 |
2023 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 表 V：D 組（第 37-43 頁） D3/耐濕性條件 |
耐濕性符合 JESD22-A118 非偏置 HAST 條件 A 或 B。 | 2023 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 表 V：D 組（第 37-43 頁） D7/鉛涂層粘附 |
TI 使用內部程序 (QSS 009- 109)。 | 2023 年 8 月 |
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 表 A-III（第 80 頁） 涂層厚度 |
闡明了 NiPdAu 厚度。TI 器件滿足下方所示的 NiPdAu 厚度。 | 2023 年 8 月 |
| 鍍層厚度（微英寸/微米）： 最小 20/0.51 最大 NS |
|||
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 表 H-I. 對包含無鉛凸點的覆晶封裝進行封裝工藝技術測試 [第 196 頁] |
包含無鉛凸點的覆晶： | 2023 年 8 月 |
| 用以運行 JESD22- A101 (THB) 或 A110（偏置 HAST）的偏置濕度選項 條件：
|
|||
| 熱沖擊不適用于有機基材。 | |||
| 德州儀器 (TI) |
MIL-PRF-38535 A.3.5.5.2 內部導線尺寸和材料 |
澄清： |
2024 年 10 月 |
| QML P 器件可以使用 0.96mil（0.00096 英寸）導線 | |||
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 A.3.5.1 |
塑料封裝本身使用有機或聚合材料（粘合劑、模塑化合物、填充材料、有機基材等）。 |
2025 年 4 月 |
| 密封封裝可以使用有機材料（例如：芯片/蓋貼裝和聚酰亞胺）。 | |||
| 器件規格中可能未指定材料。但是，材料已與資格認證活動共享。 | |||
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 A.3.5.5.2 |
塑料封裝內部引線金屬與裸片金屬化金屬不同。內部引線金屬為 Au，而芯片金屬化金屬可能不同（例如，Al、BOAC 或 METDCU）。 | 2025 年 4 月 |
| 制造商 | 規格 | 測試優化 | 日期 |
|---|---|---|---|
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 表 H-IA.采用密封封裝（Q 類、V 類）和非密封封裝（Y 類）的封裝工藝技術測試。[197-198] |
Q 類、V 類、Y 類（覆晶）： | 2023 年 8 月 |
| 最終封裝測試 高溫存儲 TM 1008（在 +150°C 下為 1,000 小時）或 JESD 22 A103（在 +150°C 或等效溫度下為 1,000 小時）。 |
|||
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 表 H-IIA.采用密封封裝（Q 類、V 類）和非密封封裝（Y 類）的技術特性測試 [200-202] |
Q 類、V 類、Y 類（覆晶）： | 2023 年 8 月 |
| 組 2： a. 熱沖擊（不適用） b. 溫度循環 TM 1010，條件 C，100 個周期或 JESD22-A104 c. HAST（偏置）JESD22-A110 或 THB JESD22-A101 d. 目視檢查 TM 1010 和 TM 1004 目視標準 e. 不適用 |
|||
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 表 H-IB.對于塑料封裝的封裝工藝技術測試（N 類、P 類） |
N 類、P 類： | 2023 年 8 月 |
| 第 3 組：根據以下某項進行溫度循環： | |||
| - 55/125C，700 周期（產品發布）、1000 周期（技術發布）或 -65/150C、500 周期（產品發布）、1000 周期（技術發布）。 | |||
| 第 5 組高溫 根據 JESD 22 A103 執行的存儲 烘烤 150°C、1,000 小時或等效溫度。 |
|||
| 德州儀器 (TI) | MIL-PRF-38535 表 H-IIB.采用塑料封裝（N 類、P 類）的技術特性測試 |
N 類、P 類： |
2023 年 8 月 |
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第 2 組符合制造商規范或 JEDEC JSTD- 020/ JESD 22-A113 的濕敏等級 |
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| 第 3 組 b. 偏置 HAST（130C/85%RH/96，192 小時）或（110C/85% RH/264，528 小時）或（85C/85%RH/1,000，2,000 小時），符合 JESD22-A110/JESD22-A101 |
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| 第 6 組鉛完整性 - 對于塑料封裝，TI 使用內部測試方法 QSS 009-134。TM 不適用于塑料封裝。對于修整和外形引線式封裝，根據測試方法 2004 第 3.2 節，這不適用 | |||
| 第 7 組 - 可以按照 J-STD-020/JESD 22-A113 執行 MSL 測試，而不是這個測試。 | |||
| 第 9 組 - 不執行真菌測試。 | |||
| 第 12 組 – 基于建模的熱特性。 |
| 制造商 | 規格 | 測試優化 | 日期 |
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| 德州儀器 (TI) | MIL-STD-883 TM 5007 |
批準的替代嵌入式方法記錄晶圓批次驗收要求的讀數： 片電阻嵌入式測量（#2 金屬化厚度） 氧化物/氮化物嵌入式測量（#5 玻璃鈍化/鈍化 (PO) 厚度） |
23 年 12 月 |
| 表 I. 晶圓批次驗收測試（2.金屬化厚度與 5.鈍化厚度） |