UC1825B-SP

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耐輻射 QMLV、30V 輸入、2A 雙輸出 1MHz PWM 控制器

產品詳情

Rating Space Topology Boost, Flyback, Forward, Full bridge, Half bridge, Push pull Vin (max) (V) 30 Vin (min) (V) 10 Control mode Peak current mode Features Adjustable switching frequency, Enable/Shutdown, Error amplifier, Integrated gate drivers, Programmable soft start, Soft start Operating temperature range (°C) -55 to 125 Duty cycle (max) (%) 80
Rating Space Topology Boost, Flyback, Forward, Full bridge, Half bridge, Push pull Vin (max) (V) 30 Vin (min) (V) 10 Control mode Peak current mode Features Adjustable switching frequency, Enable/Shutdown, Error amplifier, Integrated gate drivers, Programmable soft start, Soft start Operating temperature range (°C) -55 to 125 Duty cycle (max) (%) 80
CFP (HKT) 16 72.136 mm2 10.16 x 7.1 DIESALE (KGD) — See data sheet
  • 符合 QML-V 標準，SMD 5962-8768106
  • 5962 R8768106VYC：
    • 耐輻射加固保障 (RHA) 能力高達 100krad(Si) 總電離劑量 (TID) (1)
  • 與電壓或電流模式拓撲兼容
  • 實際工作開關頻率高達 1MHz
  • 50ns 傳播延遲到輸出
  • 大電流雙圖騰柱輸出（2A 峰值）
  • 寬帶寬誤差放大器
  • 帶有雙脈沖抑制功能的全鎖存邏輯
  • 逐脈沖電流限制
  • 軟啟動/最大占空比控制
  • 帶有遲滯功能的欠壓鎖定
  • 低啟動電流 (1.1mA)

(1)輻射耐受性是基于初始器件認證（劑量率 = 10mrad(Si)/s）獲得的典型值。提供輻射批次驗收測試 - 詳細信息請聯系廠家。
  • 符合 QML-V 標準，SMD 5962-8768106
  • 5962 R8768106VYC：
    • 耐輻射加固保障 (RHA) 能力高達 100krad(Si) 總電離劑量 (TID) (1)
  • 與電壓或電流模式拓撲兼容
  • 實際工作開關頻率高達 1MHz
  • 50ns 傳播延遲到輸出
  • 大電流雙圖騰柱輸出（2A 峰值）
  • 寬帶寬誤差放大器
  • 帶有雙脈沖抑制功能的全鎖存邏輯
  • 逐脈沖電流限制
  • 軟啟動/最大占空比控制
  • 帶有遲滯功能的欠壓鎖定
  • 低啟動電流 (1.1mA)

(1)輻射耐受性是基于初始器件認證（劑量率 = 10mrad(Si)/s）獲得的典型值。提供輻射批次驗收測試 - 詳細信息請聯系廠家。

UC1825B-SP PWM 控制器件針對高頻開關模式電源應用進行了優化。對在大大增加誤差放大器的帶寬和轉換率的同時，大大減小通過比較器和邏輯電路的傳播延遲給與了特別關注。這個控制器設計用于電流模式或電壓模式系統，此系統具有輸出電壓前饋功能。

保護電路包括一個閾值電壓為 1V 的電流限制比較器、一個 TTL 兼容關斷端口和一個軟啟動引腳，此引腳可對折為一個最大占空比鉗位。此邏輯被完全鎖存以提供無抖動運行，并且抑制了輸出上的多脈沖。一個具有 800mV 滯后的欠壓閉鎖部分可確保低啟動電流。欠壓閉鎖期間，輸出為高阻抗。

這個器件特有推挽式輸出，此輸出被設計用來拉、灌來自電容負載（諸如一個功率金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 的柵極）的高峰值電流。導通狀態設計為高電平。

UC1825B-SP PWM 控制器件針對高頻開關模式電源應用進行了優化。對在大大增加誤差放大器的帶寬和轉換率的同時，大大減小通過比較器和邏輯電路的傳播延遲給與了特別關注。這個控制器設計用于電流模式或電壓模式系統，此系統具有輸出電壓前饋功能。

保護電路包括一個閾值電壓為 1V 的電流限制比較器、一個 TTL 兼容關斷端口和一個軟啟動引腳，此引腳可對折為一個最大占空比鉗位。此邏輯被完全鎖存以提供無抖動運行，并且抑制了輸出上的多脈沖。一個具有 800mV 滯后的欠壓閉鎖部分可確保低啟動電流。欠壓閉鎖期間，輸出為高阻抗。

這個器件特有推挽式輸出，此輸出被設計用來拉、灌來自電容負載（諸如一個功率金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 的柵極）的高峰值電流。導通狀態設計為高電平。
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用戶指南 UC1825B-SP evaluation module (EVM) user's guide 2019年 3月 29日

設計和開發

如需其他信息或資源，請點擊以下任一標題進入詳情頁面查看（如有）。

評估板

UC1825BEVM-CVAL — 5V/50W 推挽評估模塊

UC1825B-SP EVM 使用推挽式拓撲展示 SP 過程的功能。該控制器與 UC1901-SP 配合使用時，能夠滿足隔離和非隔離調節要求。此設計能夠使用輸出扼流圈，以允許非常低的紋波，從而實現高輸出電壓精度。
用戶指南: PDF
TI.com 上無現貨
仿真模型

UC1825 TINA-TI Transient Reference Design

SLUM653.TSC (5219 KB) - TINA-TI Reference Design
下載
仿真模型

UC1825 Unencrypted TINA-TI Transient Spice Model

SLUM673.ZIP (6 KB) - TINA-TI Spice Model
下載
參考設計

PMP22680 — 帶磁反饋的 40W、±15V 反激式參考設計

此參考設計在 40W 下可從 70V 至 120V 直流輸入電壓生成隔離式 ±15V 輸出。該設計使用磁反饋電路來替代光耦合器的功能。
測試報告: PDF
參考設計

PMP23033 — 具有磁反饋的 40W 5V 單開關正向轉換器參考設計

此參考設計在 40W 下從 60V 至 120V 直流輸入電壓生成隔離式 5V 電壓。該設計使用磁反饋電路來替代光耦合器的功能。
測試報告: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
CFP (HKT) 16 Ultra Librarian
DIESALE (KGD) —

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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