TPS50601A-SP
- 5962-10221:
- 耐輻射高達 100krad (Si) TID
- 無低劑量率輻射損傷增強 (ELDRS) 100 krad (Si) – 10mrad(Si)/s
- 單粒子鎖定 (SEL) 對于
LET 的抗擾度 = 75MeV-cm2/mg - SEB 和 SEGR 抗擾度可達到 75MeV-cm2/mg,提供 SOA 曲線
- 提供 SET/SEFI 橫截面圖
- 峰值效率:96.6% (VO = 3.3V)
- 集成了 58m?/50m? MOSFET
- 電源軌:3 至 7V(輸入電壓)
- 6A 最大輸出電流
- 靈活的開關頻率選項:
- 100kHz 至 1MHz 可調內部振蕩器
- 外部同步功能的頻率范圍:100kHz 至 1MHz
- 可針對主/從應用將同步引腳配置為 500kHz
- 0.804V ±1.5% 的電壓基準過熱、輻射以及線路和負載調節
- 單調啟動至預偏置輸出
- 通過外部電容器進行可調節的軟啟動
- 用于電源定序的輸入使能和電源正常輸出
- 針對欠壓和過壓問題的電源正常輸出監控
- 可調節輸入欠壓鎖定 (UVLO)
- 20 引腳超小型耐熱增強型陶瓷扁平封裝 (HKH),適用于太空 應用
TPS50601A-SP 是一款耐輻射的 7V、6A 同步降壓轉換器,此轉換器具有高效率并集成了高側和低側 MOSFET,因此非常適合小型設計。通過電流模式控制減少組件數量,并通過高開關頻率縮小電感器封裝尺寸,從而進一步節省空間。此器件采用超小尺寸的熱增強型 20 引腳陶瓷扁平封裝。
輸出電壓啟動斜坡由 SS/TR 引腳控制,可實現獨立電源運行,或者跟蹤狀態下的運行。此外,正確配置啟用與開漏電源正常引腳也可實現電源排序。此外,TPS50601A-SP 可配置為主/從模式,從而提供高達 12A 的輸出電流。
高側 FET 的逐周期電流限制可在過載情況下保護器件,并通過低側電源限流防止電流失控,從而實現功能增強。此外,還提供可關閉低側 MOSFET 的低側吸收電流限值,以防止過多的反向電流。當芯片溫度超過熱關斷溫度時,熱關斷禁用此器件。
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設計和開發
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| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
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| CFP (HKH) | 20 | Ultra Librarian |
| DIESALE (KGD) | — |
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