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TPS7H6003-SP

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耐輻射、QMLV 200V 半橋 GaN 柵極驅動器

產品詳情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 200 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (μs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 200 Power switch GaNFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 16 Peak output current (A) 1.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Space Propagation delay time (μs) 0.035 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 4 Iq (mA) 0.5 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Dead time control, Interlock, Internal LDO Driver configuration Half bridge
CFP (HBX) 48 468.72 mm2 16.74 x 28
  • 輻射性能：
    • 耐輻射保障 (RHA) 高達 100krad(Si) 總電離劑量 (TID)
    • 單粒子鎖定 (SEL)、單粒子燒毀 (SEB) 和單粒子柵穿 (SEGR) 對于線性能量傳遞 (LET) 的抗擾度高達 75MeV-cm2/mg
    • 單粒子瞬變 (SET) 和單粒子功能中斷 (SEFI) 的特征值高達 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉電流和 2.5A 峰值灌電流
  • 兩種工作模式：
    • 具有可調死區時間的單個 PWM 輸入
    • 兩個獨立輸入
  • 在獨立輸入模式下提供可選輸入互鎖保護
  • 分離輸出實現可調的導通和關斷時間
  • 獨立輸入模式下的典型傳播延遲為 30ns
  • 5.5ns 典型延遲匹配
  • 輻射性能：
    • 耐輻射保障 (RHA) 高達 100krad(Si) 總電離劑量 (TID)
    • 單粒子鎖定 (SEL)、單粒子燒毀 (SEB) 和單粒子柵穿 (SEGR) 對于線性能量傳遞 (LET) 的抗擾度高達 75MeV-cm2/mg
    • 單粒子瞬變 (SET) 和單粒子功能中斷 (SEFI) 的特征值高達 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉電流和 2.5A 峰值灌電流
  • 兩種工作模式：
    • 具有可調死區時間的單個 PWM 輸入
    • 兩個獨立輸入
  • 在獨立輸入模式下提供可選輸入互鎖保護
  • 分離輸出實現可調的導通和關斷時間
  • 獨立輸入模式下的典型傳播延遲為 30ns
  • 5.5ns 典型延遲匹配

TPS7H60x3-SP 系列耐輻射保障 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 柵極驅動器專為高頻、高效率應用而設計。該系列包括 TPS7H6003-SP（200V 等級）、TPS7H6013-SP（60V 等級）和 TPS7H6023-SP（22V 等級）。這些驅動器具有可調節死區時間功能、30ns 低傳播延遲，以及 5.5ns 的高側和低側匹配。這些器件還包括內部高側和低側 LDO，無論電源電壓如何，都能確保驅動電壓為 5V。TPS7H60x3-SP 驅動器都具有分離柵輸出，可獨立靈活地調節輸出的導通和關斷強度。

TPS7H60x3-SP 驅動器具有兩種控制輸入模式：獨立輸入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個輸出都由專用輸入來控制。在 PWM 模式下，兩個補償輸出信號由單個輸入產生，用戶可以調節每個邊沿的死區時間。

柵極驅動器還提供用戶可配置的輸入互鎖功能，在獨立輸入模式下作為防擊穿保護。當兩個輸入同時導通時，輸入互鎖不允許兩個輸出同時導通。用戶可以選擇在獨立輸入模式下啟用或禁用此保護，從而可以在多種不同的轉換器配置中使用該驅動器。這些驅動器還可用于半橋和雙低側轉換器應用。

TPS7H60x3-SP 系列耐輻射保障 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 柵極驅動器專為高頻、高效率應用而設計。該系列包括 TPS7H6003-SP（200V 等級）、TPS7H6013-SP（60V 等級）和 TPS7H6023-SP（22V 等級）。這些驅動器具有可調節死區時間功能、30ns 低傳播延遲，以及 5.5ns 的高側和低側匹配。這些器件還包括內部高側和低側 LDO，無論電源電壓如何，都能確保驅動電壓為 5V。TPS7H60x3-SP 驅動器都具有分離柵輸出，可獨立靈活地調節輸出的導通和關斷強度。

TPS7H60x3-SP 驅動器具有兩種控制輸入模式：獨立輸入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個輸出都由專用輸入來控制。在 PWM 模式下，兩個補償輸出信號由單個輸入產生，用戶可以調節每個邊沿的死區時間。

柵極驅動器還提供用戶可配置的輸入互鎖功能，在獨立輸入模式下作為防擊穿保護。當兩個輸入同時導通時，輸入互鎖不允許兩個輸出同時導通。用戶可以選擇在獨立輸入模式下啟用或禁用此保護，從而可以在多種不同的轉換器配置中使用該驅動器。這些驅動器還可用于半橋和雙低側轉換器應用。
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設計和開發

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評估板

TPS7H6003EVM-CVAL — TPS7H6003 200V、1.5A 和 3A、GaN FET 半橋柵極驅動器評估模塊

TPS7H6003 評估模塊可接受高達 150V 的輸入電壓，還可通過驅動 EPC2307 器件來測試 TPS7H6003-SP 的可靠性。默認情況下，該評估模塊設置為在 PWM 模式下與 TPS7H6003-SP 器件一起運行。該模式接受一個開關信號的輸入，并在內部生成互補信號。

用戶指南: PDF | HTML
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仿真模型

TPS7H60x3-SP PSpice Transient Model

SNOM790.ZIP (46 KB) - PSpice Model
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仿真模型

TPS7H60x3/TPS7H60x5 SIMPLIS Model

SNOM811.ZIP (22 KB) - SIMPLIS Model
下載
模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設計和仿真環境。此功能齊全的設計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用，包括業內超大的模型庫之一，涵蓋我們的模擬和電源產品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設計和仿真環境及其內置的模型庫，您可對復雜的混合信號設計進行仿真。創建完整的終端設備設計和原型解決方案，然后再進行布局和制造，可縮短產品上市時間并降低開發成本。?

在?PSpice for TI 設計和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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