數(shù)據(jù)表
TLC2201-SP
- 符合 QML-V 標(biāo)準(zhǔn)要求的 SMD5962-9088203V2A
- 低輸入失調(diào)電壓: 400μV (最大值)
- 在整個溫度范圍內(nèi)提供了出色的失調(diào)電壓穩(wěn)定性: 0.05μV/℃ (典型值)
- 軌至軌輸出擺幅
- 低輸入偏置電流: 在 TA = 25℃ 時的典型值為 1pA
- 共模輸入電壓范圍包括負(fù)電源軌
- 技術(shù)規(guī)格針對單電源及分離電源操作全面擬訂
LinCMOS is a trademark of Texas Instruments.
TLC2201 是一款精密、低噪聲運(yùn)算放大器,運(yùn)用了 TI 先進(jìn)的 LinCMOS 制造工藝。 該器件將極低噪聲 JFET 放大器的噪聲性能與以往僅雙極型放大器可提供的直流 (dc) 精度完美地組合在了一起。 Advanced LinCMOS工藝采用硅柵技術(shù)來獲得遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過采用金屬柵技術(shù)所能獲得的隨溫度和時間變化的輸入失調(diào)電壓穩(wěn)定性。 此外,這項工藝技術(shù)還可實(shí)現(xiàn)達(dá)到或超過頂柵 JFET 和昂貴的介質(zhì)隔離器件所提供的輸入阻抗位準(zhǔn) (impedance level)。
由于兼具卓越的直流和噪聲性能以及一個包括負(fù)電源軌的共模輸入范圍,因而使得這些器件非常適合于單電源或分離電源配置中的高阻抗、低電平信號調(diào)節(jié)應(yīng)用。
器件輸入和輸出專為承受-100mA 的浪涌電流而設(shè)計,而不會發(fā)生持續(xù)閉鎖的現(xiàn)象。 此外,依據(jù) MIL-PRF-38535、Method 3015.2 所進(jìn)行的測試還證實(shí):該器件的內(nèi)部 ESD 保護(hù)電路可防止在高達(dá) 2000V 的電壓條件下出現(xiàn)功能故障;不過,在使用這些器件時應(yīng)謹(jǐn)慎從事,因為遭受 ESD 有可能導(dǎo)致參數(shù)性能的下降。
TLC2201 針對完整軍用溫度范圍內(nèi) (-40℃ 至 125℃ )的運(yùn)作進(jìn)行了特性分析。
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查看全部 1 | 類型 | 標(biāo)題 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |||
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| * | 數(shù)據(jù)表 | ClassV、先進(jìn)LinCMOS 工藝、低噪聲精密運(yùn)算放大器 數(shù)據(jù)表 | 英語版 | PDF | HTML | 2011年 3月 11日 |
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包含信息:
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