ZHCAA39D October 2020 – November 2025 ISO6720-Q1 , ISO6721 , ISO6721-Q1 , ISO6731 , ISO6740 , ISO6741 , ISO6741-Q1 , ISO6742 , ISO7021 , ISO7041 , ISO7131CC , ISO7140CC , ISO7140FCC , ISO7141CC , ISO7141FCC , ISO7142CC , ISO7142CC-Q1 , ISO721 , ISO721-Q1 , ISO721M , ISO721M-EP , ISO722 , ISO722-Q1 , ISO7220A , ISO7220A-Q1 , ISO7220B , ISO7220C , ISO7220M , ISO7221A , ISO7221A-Q1 , ISO7221B , ISO7221C , ISO7221C-HT , ISO7221C-Q1 , ISO7221M , ISO722M , ISO7230C , ISO7230M , ISO7231C , ISO7231C-Q1 , ISO7231M , ISO7240C , ISO7240CF , ISO7240CF-Q1 , ISO7240M , ISO7241A-EP , ISO7241C , ISO7241C-Q1 , ISO7241M , ISO7242C , ISO7242C-Q1 , ISO7242M , ISO7310-Q1 , ISO7310C , ISO7310FC , ISO7320-Q1 , ISO7320C , ISO7320FC , ISO7321-Q1 , ISO7321C , ISO7321FC , ISO7330-Q1 , ISO7330C , ISO7330FC , ISO7331-Q1 , ISO7331C , ISO7331FC , ISO7340-Q1 , ISO7340C , ISO7340FC , ISO7341-Q1 , ISO7341C , ISO7341FC , ISO7342-Q1 , ISO7342C , ISO7342FC , ISO7420 , ISO7420E , ISO7420FCC , ISO7420FE , ISO7420M , ISO7421 , ISO7421-EP , ISO7421A-Q1 , ISO7421E , ISO7421E-Q1 , ISO7421FE , ISO7520C , ISO7521C , ISO7631FC , ISO7631FM , ISO7640FM , ISO7641FC , ISO7641FM , ISO7710 , ISO7710-Q1 , ISO7720 , ISO7720-Q1 , ISO7721 , ISO7721-Q1 , ISO7730 , ISO7730-Q1 , ISO7731 , ISO7731-Q1 , ISO7740 , ISO7740-Q1 , ISO7741 , ISO7741-Q1 , ISO7741E-Q1 , ISO7742 , ISO7742-Q1 , ISO7760 , ISO7760-Q1 , ISO7761 , ISO7761-Q1 , ISO7762 , ISO7762-Q1 , ISO7763 , ISO7763-Q1 , ISO7810 , ISO7820 , ISO7821 , ISO7830 , ISO7831 , ISO7840 , ISO7841 , ISO7842 , ISOW7821 , ISOW7840 , ISOW7841 , ISOW7841A-Q1 , ISOW7842 , ISOW7843 , ISOW7844
3 通過 TDDB 測(cè)試預(yù)測(cè)隔離器壽命
時(shí)間依賴性電介質(zhì)擊穿 (TDDB) 測(cè)試是一種業(yè)界通用的加速應(yīng)力測(cè)試，用于確定電介質(zhì)壽命與電壓間的函數(shù)關(guān)系。該測(cè)試會(huì)在器件的隔離柵上施加比典型工作電壓更高的各種應(yīng)力電壓，并監(jiān)測(cè)擊穿電介質(zhì)所需的時(shí)間。然后，將這些電壓與時(shí)間的坐標(biāo)繪制在適當(dāng)?shù)膱D上，并根據(jù)這些坐標(biāo)推算更低的應(yīng)力電壓，從而確定適當(dāng)工作電壓下的預(yù)期電介質(zhì)壽命。
圖 3-1 將 TI 數(shù)字隔離器的 TDDB 圖與常用的光耦合器進(jìn)行了比較，可以了解到，光耦合器的平均 TDDB 線比數(shù)字隔離器的平均 TDDB 在對(duì)數(shù)坐標(biāo)中低大約 2 格（相當(dāng)于 100 倍）。兩種器件的 TDDB 壽命差異巨大的主要原因在于，它們所用絕緣材料的介電強(qiáng)度差異很大（請(qǐng)參閱表 1-1）。請(qǐng)注意，在給定的應(yīng)力電壓下，光耦合器的壽命因樣片不同而有很大差別，而數(shù)字隔離器各個(gè)樣片的壽命是一致的。
圖 3-1 光電耦合器與 TI 數(shù)字隔離器的 TDDB 壽命