產品詳情

Rating Automotive Integrated isolated power No Isolation rating Basic, Reinforced Number of channels 2 Forward/reverse channels 1 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Protocols GPIO, PWM, UART Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000, 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 7071, 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 CMTI (min) (V/μs) 85000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (μs) 0.0107, 0.011 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.6 Creepage (min) (mm) 4, 8, 8.5 Clearance (min) (mm) 4, 8, 8.5 TI functional safety category Functional Safety-Capable
Rating Automotive Integrated isolated power No Isolation rating Basic, Reinforced Number of channels 2 Forward/reverse channels 1 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Protocols GPIO, PWM, UART Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000, 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 7071, 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 CMTI (min) (V/μs) 85000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (μs) 0.0107, 0.011 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.6 Creepage (min) (mm) 4, 8, 8.5 Clearance (min) (mm) 4, 8, 8.5 TI functional safety category Functional Safety-Capable
SOIC (D) 8 29.4 mm2 4.9 x 6 SOIC (DW) 16 106.09 mm2 10.3 x 10.3 SOIC (DWV) 8 67.275 mm2 5.85 x 11.5
  • 符合汽車應用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 標準的下列結果：
    • 器件溫度等級 1：–40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級 3A
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C6
  • 功能安全型
  • 100Mbps 數據速率
  • 穩(wěn)健可靠的隔離柵：
    • 在 1.5 kVRMS 工作電壓下預計壽命超過 30 年
    • 隔離等級高達 5000VRMS
    • 浪涌能力高達 12.8kV
    • CMTI 典型值為 ±100kV/μs
  • 寬電源電壓范圍：2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 電平轉換
  • 默認輸出高電平 (ISO772x) 和低電平 (ISO772xF) 選項
  • 低功耗，1Mbps 時每通道的電流典型值為 1.7mA
  • 低傳播延遲：11ns（典型值）
  • 優(yōu)異的電磁兼容性 (EMC)
    • 系統(tǒng)級 ESD、EFT 和浪涌抗擾性
    • 在整個隔離柵具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接觸放電保護
    • 低干擾 (EMI)
  • 寬體 SOIC（DW-16、DWV-8）和窄體 SOIC (D-8) 封裝選項
  • 安全相關認證
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 標準的 VDE 增強型絕緣
    • UL 1577 組件認證計劃
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 認證
  • 符合汽車應用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 標準的下列結果：
    • 器件溫度等級 1：–40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級 3A
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C6
  • 功能安全型
  • 100Mbps 數據速率
  • 穩(wěn)健可靠的隔離柵：
    • 在 1.5 kVRMS 工作電壓下預計壽命超過 30 年
    • 隔離等級高達 5000VRMS
    • 浪涌能力高達 12.8kV
    • CMTI 典型值為 ±100kV/μs
  • 寬電源電壓范圍：2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 電平轉換
  • 默認輸出高電平 (ISO772x) 和低電平 (ISO772xF) 選項
  • 低功耗，1Mbps 時每通道的電流典型值為 1.7mA
  • 低傳播延遲：11ns（典型值）
  • 優(yōu)異的電磁兼容性 (EMC)
    • 系統(tǒng)級 ESD、EFT 和浪涌抗擾性
    • 在整個隔離柵具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接觸放電保護
    • 低干擾 (EMI)
  • 寬體 SOIC（DW-16、DWV-8）和窄體 SOIC (D-8) 封裝選項
  • 安全相關認證
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 標準的 VDE 增強型絕緣
    • UL 1577 組件認證計劃
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 認證

ISO772x-Q1 器件是一款高性能雙通道數字隔離器，可提供符合 UL 1577 標準的 5000VRMS（DW 和 DWV ）和 3000VRMS（D 封裝）隔離額定值。該系列包含的器件具有符合 VDE、CSA、TUV 和 CQC 標準的增強絕緣等級。

在隔離互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 或者低電壓互補金屬氧化物半導體 (LVCMOS) 數字 I/O 的同時，ISO772x-Q1 器件還可提供高電磁抗擾度和低輻射，同時具備低功耗特性。每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由雙電容二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵相隔離。ISO7720-Q1 器件具有兩條同向通道，而 ISO7721-Q1 器件具有兩條反向通道。如果輸入功率或信號出現損失，不帶后綴 F 的器件默認輸出高電平，帶后綴 F 的器件默認輸出低電平。有關更多詳細信息，請參閱器件功能模式 部分。

這些器件與隔離式電源結合使用，有助于防止 CAN 和 LIN 等數據總線損壞敏感電路。憑借創(chuàng)新型芯片設計和布線技術，ISO772x-Q1 器件的電磁兼容性得到了顯著增強，可緩解系統(tǒng)級 ESD、EFT 和浪涌問題并符合輻射標準。ISO772x-Q1 系列器件可提供 16 引腳 SOIC 寬體 (DW)、8 引腳 SOIC 寬體 (DWV) 和 8 引腳 SOIC 窄體 (D) 封裝。

ISO772x-Q1 器件是一款高性能雙通道數字隔離器，可提供符合 UL 1577 標準的 5000VRMS（DW 和 DWV ）和 3000VRMS（D 封裝）隔離額定值。該系列包含的器件具有符合 VDE、CSA、TUV 和 CQC 標準的增強絕緣等級。

在隔離互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 或者低電壓互補金屬氧化物半導體 (LVCMOS) 數字 I/O 的同時，ISO772x-Q1 器件還可提供高電磁抗擾度和低輻射，同時具備低功耗特性。每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由雙電容二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵相隔離。ISO7720-Q1 器件具有兩條同向通道，而 ISO7721-Q1 器件具有兩條反向通道。如果輸入功率或信號出現損失，不帶后綴 F 的器件默認輸出高電平，帶后綴 F 的器件默認輸出低電平。有關更多詳細信息，請參閱器件功能模式 部分。

這些器件與隔離式電源結合使用，有助于防止 CAN 和 LIN 等數據總線損壞敏感電路。憑借創(chuàng)新型芯片設計和布線技術，ISO772x-Q1 器件的電磁兼容性得到了顯著增強，可緩解系統(tǒng)級 ESD、EFT 和浪涌問題并符合輻射標準。ISO772x-Q1 系列器件可提供 16 引腳 SOIC 寬體 (DW)、8 引腳 SOIC 寬體 (DWV) 和 8 引腳 SOIC 窄體 (D) 封裝。
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設計和開發(fā)

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評估板

DIGI-ISO-EVM — 通用數字隔離器評估模塊

DIGI-ISO-EVM 是一個評估模塊 (EVM)，用于評估 TI 采用以下五種不同封裝的任何單通道、雙通道、三通道、四通道或六通道數字隔離器器件：8 引腳窄體 SOIC (D)、8 引腳寬體 SOIC (DWV)、16 引腳寬體 SOIC (DW)、16 引腳超寬體 SOIC (DWW) 和 16 引腳 QSOP (DBQ) 封裝。此 EVM 具有足夠的 Berg 引腳選項，支持使用超少的外部元件來評估相應器件。

用戶指南: PDF | HTML
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評估板

ISO7721DEVM — ISO7721 高速、增強型 EMC 雙通道 D 封裝數字隔離器評估模塊

ISO7721DEVM 評估模塊 (EVM) 用于評估采用 8 引腳窄體 SOIC 封裝（封裝代碼 D）的 ISO7721 高性能、增強型雙通道數字隔離器。此 EVM 具有足夠的測試點和跳線選項，支持使用超少的外部元件來評估相應器件。
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TI.com 上無現貨
評估板

ISO7741EVM — ISO7741 高速、強大的 EMC 四通道數字隔離器評估模塊

ISO7741EVM 是一款用于評估 ISO7741 器件的評估模塊 (EVM)。ISO7741 是一款高性能增強型四通道數字隔離器，采用寬體 SOIC 封裝（封裝代碼 DW）。此 EVM 具有足夠的測試點和跳線選項，支持使用超少的外部元件來評估相應器件。
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仿真模型

ISO7721 IBIS Model (Rev. B)

SLLM332B.ZIP (52 KB) - IBIS Model
下載
仿真模型

ISO7721 PSpice Transient Model

SLLM474.ZIP (183 KB) - PSpice Model
下載
參考設計

TIDA-01605 — 具有兩級關斷保護功能的汽車級雙通道 SiC MOSFET 柵極驅動器參考設計

此參考設計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅動器解決方案，可在半橋配置中驅動碳化硅 (SiC) MOSFET。該設計包括兩個推挽式偏置電源，分別用于雙通道隔離式柵極驅動器，其中每個電源提供 +15V 和 -4V 輸出電壓以及 1W 輸出功率。柵極驅動器能夠提供 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流。它實現了增強型隔離，可承受 8kV 峰值隔離電壓和 5.7kV RMS 隔離電壓，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 大于 100V/ns。該參考設計還包含兩級關斷電路，其可在短路情況下保護 MOSFET 免受電壓過沖的影響。DESAT 檢測閾值和第二級關斷的延遲時間可以配置。部署 ISO7721-Q1 (...)
設計指南: PDF
原理圖: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
SOIC (DWV) 8 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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