產品詳情

Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Basic, Reinforced Number of channels 2 Forward/reverse channels 2 forward / 0 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Protocols GPIO, PWM Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000, 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 7071, 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 CMTI (min) (V/μs) 85000 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (μs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 0.95 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.5 Creepage (min) (mm) 4, 8, 8.5 Clearance (min) (mm) 4, 8, 8.5
Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Basic, Reinforced Number of channels 2 Forward/reverse channels 2 forward / 0 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Protocols GPIO, PWM Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000, 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 7071, 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 CMTI (min) (V/μs) 85000 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (μs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 0.95 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.5 Creepage (min) (mm) 4, 8, 8.5 Clearance (min) (mm) 4, 8, 8.5
SOIC (D) 8 29.4 mm2 4.9 x 6 SOIC (DW) 16 106.09 mm2 10.3 x 10.3 SOIC (DWV) 8 67.275 mm2 5.85 x 11.5
  • 100Mbps 數(shù)據速率
  • 穩(wěn)健可靠的隔離柵：
    • 在 1.5kVRMS 工作電壓下預計壽命 >30 年
    • 隔離等級高達 5000VRMS
    • 浪涌能力高達 12.8kV
    • CMTI 典型值為 ±100kV/μs
  • 寬電源電壓范圍：2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 電平轉換
  • 默認輸出高電平 (ISO772x) 和低電平 (ISO772xF) 選項
  • 寬溫度范圍：-55°C 至 +125°C
  • 低功耗，1Mbps 時每通道的電流典型值為 1.7mA
  • 低傳播延遲：11ns（典型值）
  • 優(yōu)異的電磁兼容性 (EMC)
    • 系統(tǒng)級 ESD、EFT 和浪涌抗擾性
    • 在整個隔離柵具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接觸放電保護
    • 低輻射
  • 寬體 SOIC（DW-16、DWV-8）和窄體 SOIC (D-8) 封裝選項
  • 提供汽車版本：ISO772x-Q1
  • 安全相關認證
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 組件認證計劃
    • IEC 61010-1、IEC 62368-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 認證
  • 100Mbps 數(shù)據速率
  • 穩(wěn)健可靠的隔離柵：
    • 在 1.5kVRMS 工作電壓下預計壽命 >30 年
    • 隔離等級高達 5000VRMS
    • 浪涌能力高達 12.8kV
    • CMTI 典型值為 ±100kV/μs
  • 寬電源電壓范圍：2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 電平轉換
  • 默認輸出高電平 (ISO772x) 和低電平 (ISO772xF) 選項
  • 寬溫度范圍：-55°C 至 +125°C
  • 低功耗，1Mbps 時每通道的電流典型值為 1.7mA
  • 低傳播延遲：11ns（典型值）
  • 優(yōu)異的電磁兼容性 (EMC)
    • 系統(tǒng)級 ESD、EFT 和浪涌抗擾性
    • 在整個隔離柵具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接觸放電保護
    • 低輻射
  • 寬體 SOIC（DW-16、DWV-8）和窄體 SOIC (D-8) 封裝選項
  • 提供汽車版本：ISO772x-Q1
  • 安全相關認證
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 組件認證計劃
    • IEC 61010-1、IEC 62368-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 認證

ISO772x 器件是一款高性能雙通道數(shù)字隔離器，可提供符合 UL 1577 標準的 5000VRMS（DW 和 DWV ）和 3000VRMS（D 封裝）隔離額定值。該系列包含的器件具有符合 VDE、CSA、TUV 和 CQC 標準的增強絕緣等級。ISO7721B 器件專為僅需要基礎型絕緣等級的應用而設計。

在隔離互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 或者低電壓互補金屬氧化物半導體 (LVCMOS) 數(shù)字 I/O 的同時，ISO772x 器件還可提供高電磁抗擾度和低輻射，同時具備低功耗特性。每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由雙電容二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵相隔離。ISO7720 器件具有兩條同向通道，而 ISO7721 器件具有兩條反向通道。如果輸入功率或信號出現(xiàn)損失，不帶后綴 F 的器件默認輸出高電平，帶后綴 F 的器件默認輸出低電平。有關更多詳細信息，請參閱器件功能模式 部分。

這些器件與隔離式電源結合使用，有助于防止 RS-485、RS-232、CAN 等數(shù)據總線損壞敏感電路。憑借創(chuàng)新型芯片設計和布線技術，ISO772x 器件的電磁兼容性得到了顯著增強，可緩解系統(tǒng)級 ESD、EFT 和浪涌問題并符合輻射標準。ISO772x 系列器件可提供 16 引腳 SOIC 寬體 (DW)、8 引腳 SOIC 寬體 (DWV) 和 8 引腳 SOIC 窄體 (D) 封裝。

ISO772x 器件是一款高性能雙通道數(shù)字隔離器，可提供符合 UL 1577 標準的 5000VRMS（DW 和 DWV ）和 3000VRMS（D 封裝）隔離額定值。該系列包含的器件具有符合 VDE、CSA、TUV 和 CQC 標準的增強絕緣等級。ISO7721B 器件專為僅需要基礎型絕緣等級的應用而設計。

在隔離互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 或者低電壓互補金屬氧化物半導體 (LVCMOS) 數(shù)字 I/O 的同時，ISO772x 器件還可提供高電磁抗擾度和低輻射，同時具備低功耗特性。每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由雙電容二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵相隔離。ISO7720 器件具有兩條同向通道，而 ISO7721 器件具有兩條反向通道。如果輸入功率或信號出現(xiàn)損失，不帶后綴 F 的器件默認輸出高電平，帶后綴 F 的器件默認輸出低電平。有關更多詳細信息，請參閱器件功能模式 部分。

這些器件與隔離式電源結合使用，有助于防止 RS-485、RS-232、CAN 等數(shù)據總線損壞敏感電路。憑借創(chuàng)新型芯片設計和布線技術，ISO772x 器件的電磁兼容性得到了顯著增強，可緩解系統(tǒng)級 ESD、EFT 和浪涌問題并符合輻射標準。ISO772x 系列器件可提供 16 引腳 SOIC 寬體 (DW)、8 引腳 SOIC 寬體 (DWV) 和 8 引腳 SOIC 窄體 (D) 封裝。
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設計和開發(fā)

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評估板

DIGI-ISO-EVM — 通用數(shù)字隔離器評估模塊

DIGI-ISO-EVM 是一個評估模塊 (EVM)，用于評估 TI 采用以下五種不同封裝的任何單通道、雙通道、三通道、四通道或六通道數(shù)字隔離器器件：8 引腳窄體 SOIC (D)、8 引腳寬體 SOIC (DWV)、16 引腳寬體 SOIC (DW)、16 引腳超寬體 SOIC (DWW) 和 16 引腳 QSOP (DBQ) 封裝。此 EVM 具有足夠的 Berg 引腳選項，支持使用超少的外部元件來評估相應器件。

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TI.com 上無現(xiàn)貨
評估板

ISO7721DEVM — ISO7721 高速、增強型 EMC 雙通道 D 封裝數(shù)字隔離器評估模塊

ISO7721DEVM 評估模塊 (EVM) 用于評估采用 8 引腳窄體 SOIC 封裝（封裝代碼 D）的 ISO7721 高性能、增強型雙通道數(shù)字隔離器。此 EVM 具有足夠的測試點和跳線選項，支持使用超少的外部元件來評估相應器件。
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TI.com 上無現(xiàn)貨
評估板

ISO7721DWVEVM — ISO7721 高速、增強型 EMC 雙通道 DWV 封裝數(shù)字隔離器評估模塊

ISO7721DWVEVM 評估模塊 (EVM) 用于評估采用 8 引腳寬體 (WB) SOIC 封裝（封裝代碼 DWV）的 ISO7721 高性能、增強型雙通道數(shù)字隔離器。此 EVM 具有足夠的測試點和跳線選項，支持使用超少的外部元件來評估相應器件。
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TI.com 上無現(xiàn)貨
評估板

ISO7741EVM — ISO7741 高速、強大的 EMC 四通道數(shù)字隔離器評估模塊

ISO7741EVM 是一款用于評估 ISO7741 器件的評估模塊 (EVM)。ISO7741 是一款高性能增強型四通道數(shù)字隔離器，采用寬體 SOIC 封裝（封裝代碼 DW）。此 EVM 具有足夠的測試點和跳線選項，支持使用超少的外部元件來評估相應器件。
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仿真模型

ISO7720 IBIS Model (Rev. C)

SLLM333C.ZIP (52 KB) - IBIS Model
下載
仿真模型

ISO7720 PSpice Transient Model

SLLM481.ZIP (171 KB) - PSpice Model
下載
參考設計

TIDA-010036 — 使用獨立 ADC 的單相并聯(lián)電表參考設計

此參考設計使用獨立多通道模數(shù)轉換器 (ADC) 對分流傳感器進行采樣，從而實現(xiàn) 0.5 級單相電能測量。結合分流傳感器和緊湊型抗磁干擾電源，該設計可提供對磁篡改攻擊的抵御能力。該設計還能夠檢測因中性線斷開導致的潛在篡改問題。高性能 ARM Cortex-M4 MCU 計算計量值并結合 8kHz 采樣率，可增加電能質量功能，例如獨立諧波分析。
設計指南: PDF
原理圖: PDF
參考設計

TIDA-010037 — 使用獨立 ADC 的高精度分相 CT 電量計參考設計

此參考設計使用高性能、多通道模數(shù)轉換器 (ADC) 實現(xiàn) 0.1 級分相電能測量。該獨立 ADC 對電流變壓器 (CT) 在高達 8kHz 時的輸出進行采樣，以測量主交流電源各分支的電流和電壓。該參考設計在寬輸入電流范圍（0.05 – 100 安培）下能達到很高的精度，在必要時還支持高采樣頻率，以實現(xiàn)獨立諧波分析等高級電能質量功能。與集成 SoC 和應用特定的專用產品相比，通過使用獨立 ADC 對電流變壓器輸出進行采樣，可以讓設計人員更加靈活地選擇計量微控制器。此參考設計使用 SimpleLink? ARM Cortex-M4 (...)
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原理圖: PDF
參考設計

TIDA-01576 — 具有 16 位 1MSPS 雙路同步采樣 ADC 的高精度模擬輸入模塊參考設計

此參考設計可在寬輸入范圍內使用精密的 16 位 SAR ADC 準確測量 16 通道交流電壓和電流輸入。該范圍涵蓋了保護和測量要求（包括符合 IEC 61850-9-2 的采樣要求），可簡化系統(tǒng)設計并改善跳閘時間可重復性、性能和可靠性。此參考設計使用帶有集成電源轉換器的數(shù)字隔離器或使用六通道數(shù)字隔離器將交流模擬輸入模塊 (AIM) 與主機處理器相隔離。在最簡單的配置中，僅使用五個 TI 產品即可設計出完整的 AC AIM，因此可優(yōu)化系統(tǒng)成本和尺寸。警報功能可基于樣本確定交流 AIM 故障，從而更快地檢測故障。ADC (...)
設計指南: PDF
原理圖: PDF
參考設計

TIDA-010065 — 基于高效、低發(fā)射、隔離式直流/直流轉換器的模擬輸入模塊參考設計

該參考設計是一個用于為隔離式放大器生成隔離電源以測量隔離式電壓和電流的簡化架構。一個具有增強隔離功能且完全集成的直流/直流轉換器，采用 5V 輸入并提供可配置的 5V 或 5.4V 輸出（低壓降穩(wěn)壓器（LDO）的裕量），能夠產生隔離式電力。與配置為通道隔離輸入的 ±50mV 輸入范圍隔離放大器連接的分流器可以測量電流。與配置為組隔離輸入的 ±250mV 或 ±12V 輸入范圍隔離放大器連接的分壓器輸出可以測量電壓。隔離放大器的輸出直接連接到 24 位 Δ-Σ 模數(shù)轉換器（ADC），或者使用增益放大器將輸出縮放至 ±10V，并連接到 16 位 SAR ADC (...)
設計指南: PDF
原理圖: PDF
參考設計

PMP40690 — 采用 C2000? MCU 和 GaN 的 4kW 交錯式 CCM 圖騰柱無橋 PFC 參考設計

此參考設計是一款 4kW 交錯式 CCM 圖騰柱 (TTPL) 無橋 PFC 參考設計，采用了 64 引腳 C2000? 微控制器、LM3410 氮化鎵器件和 TMCS1100 霍爾傳感器。它基于使用 C2000? MCU 的 TIDM-02008 雙向交互式 CCM?TTPL 無橋 PFC 參考設計，并將整個 PCB 的尺寸降至 145mm x 105mm x 35mm。氮化鎵 (GaN) 器件用于功率級，可實現(xiàn) 98.73% 的峰值效率。該設計包含切相、自適應死區(qū)時間和輸入電容補償?shù)雀呒壒δ埽商岣哓撦d范圍內的 PF 和效率，并利用非線性電壓環(huán)路降低負載瞬態(tài)下的電壓過沖和下沖。
測試報告: PDF
原理圖: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
SOIC (DWV) 8 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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支持和培訓

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