產(chǎn)品詳情

Rating Automotive Integrated isolated power No Isolation rating Basic, Reinforced Number of channels 2 Forward/reverse channels 2 forward / 0 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Protocols GPIO, PWM Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000, 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 7071, 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 CMTI (min) (V/μs) 85000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (μs) 0.0107, 0.011 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 0.95 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.5 Creepage (min) (mm) 4, 8, 8.5 Clearance (min) (mm) 4, 8, 8.5 TI functional safety category Functional Safety-Capable
Rating Automotive Integrated isolated power No Isolation rating Basic, Reinforced Number of channels 2 Forward/reverse channels 2 forward / 0 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Protocols GPIO, PWM Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000, 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 7071, 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 CMTI (min) (V/μs) 85000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (μs) 0.0107, 0.011 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 0.95 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.5 Creepage (min) (mm) 4, 8, 8.5 Clearance (min) (mm) 4, 8, 8.5 TI functional safety category Functional Safety-Capable
SOIC (D) 8 29.4 mm2 4.9 x 6 SOIC (DW) 16 106.09 mm2 10.3 x 10.3 SOIC (DWV) 8 67.275 mm2 5.85 x 11.5
  • 符合汽車應(yīng)用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列結(jié)果：
    • 器件溫度等級(jí) 1：–40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級(jí) 3A
    • 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C6
  • 功能安全型
  • 100Mbps 數(shù)據(jù)速率
  • 穩(wěn)健可靠的隔離柵：
    • 在 1.5 kVRMS 工作電壓下預(yù)計(jì)壽命超過 30 年
    • 隔離等級(jí)高達(dá) 5000VRMS
    • 浪涌能力高達(dá) 12.8kV
    • CMTI 典型值為 ±100kV/μs
  • 寬電源電壓范圍：2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 電平轉(zhuǎn)換
  • 默認(rèn)輸出高電平 (ISO772x) 和低電平 (ISO772xF) 選項(xiàng)
  • 低功耗，1Mbps 時(shí)每通道的電流典型值為 1.7mA
  • 低傳播延遲：11ns（典型值）
  • 優(yōu)異的電磁兼容性 (EMC)
    • 系統(tǒng)級(jí) ESD、EFT 和浪涌抗擾性
    • 在整個(gè)隔離柵具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接觸放電保護(hù)
    • 低干擾 (EMI)
  • 寬體 SOIC（DW-16、DWV-8）和窄體 SOIC (D-8) 封裝選項(xiàng)
  • 安全相關(guān)認(rèn)證
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 標(biāo)準(zhǔn)的 VDE 增強(qiáng)型絕緣
    • UL 1577 組件認(rèn)證計(jì)劃
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 認(rèn)證
  • 符合汽車應(yīng)用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列結(jié)果：
    • 器件溫度等級(jí) 1：–40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級(jí) 3A
    • 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C6
  • 功能安全型
  • 100Mbps 數(shù)據(jù)速率
  • 穩(wěn)健可靠的隔離柵：
    • 在 1.5 kVRMS 工作電壓下預(yù)計(jì)壽命超過 30 年
    • 隔離等級(jí)高達(dá) 5000VRMS
    • 浪涌能力高達(dá) 12.8kV
    • CMTI 典型值為 ±100kV/μs
  • 寬電源電壓范圍：2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 電平轉(zhuǎn)換
  • 默認(rèn)輸出高電平 (ISO772x) 和低電平 (ISO772xF) 選項(xiàng)
  • 低功耗，1Mbps 時(shí)每通道的電流典型值為 1.7mA
  • 低傳播延遲：11ns（典型值）
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    • 系統(tǒng)級(jí) ESD、EFT 和浪涌抗擾性
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    • 低干擾 (EMI)
  • 寬體 SOIC（DW-16、DWV-8）和窄體 SOIC (D-8) 封裝選項(xiàng)
  • 安全相關(guān)認(rèn)證
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 標(biāo)準(zhǔn)的 VDE 增強(qiáng)型絕緣
    • UL 1577 組件認(rèn)證計(jì)劃
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 認(rèn)證

ISO772x-Q1 器件是一款高性能雙通道數(shù)字隔離器，可提供符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)的 5000VRMS（DW 和 DWV ）和 3000VRMS（D 封裝）隔離額定值。該系列包含的器件具有符合 VDE、CSA、TUV 和 CQC 標(biāo)準(zhǔn)的增強(qiáng)絕緣等級(jí)。

在隔離互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 或者低電壓互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (LVCMOS) 數(shù)字 I/O 的同時(shí)，ISO772x-Q1 器件還可提供高電磁抗擾度和低輻射，同時(shí)具備低功耗特性。每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由雙電容二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵相隔離。ISO7720-Q1 器件具有兩條同向通道，而 ISO7721-Q1 器件具有兩條反向通道。如果輸入功率或信號(hào)出現(xiàn)損失，不帶后綴 F 的器件默認(rèn)輸出高電平，帶后綴 F 的器件默認(rèn)輸出低電平。有關(guān)更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱器件功能模式 部分。

這些器件與隔離式電源結(jié)合使用，有助于防止 CAN 和 LIN 等數(shù)據(jù)總線損壞敏感電路。憑借創(chuàng)新型芯片設(shè)計(jì)和布線技術(shù)，ISO772x-Q1 器件的電磁兼容性得到了顯著增強(qiáng)，可緩解系統(tǒng)級(jí) ESD、EFT 和浪涌問題并符合輻射標(biāo)準(zhǔn)。ISO772x-Q1 系列器件可提供 16 引腳 SOIC 寬體 (DW)、8 引腳 SOIC 寬體 (DWV) 和 8 引腳 SOIC 窄體 (D) 封裝。

ISO772x-Q1 器件是一款高性能雙通道數(shù)字隔離器，可提供符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)的 5000VRMS（DW 和 DWV ）和 3000VRMS（D 封裝）隔離額定值。該系列包含的器件具有符合 VDE、CSA、TUV 和 CQC 標(biāo)準(zhǔn)的增強(qiáng)絕緣等級(jí)。

在隔離互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 或者低電壓互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (LVCMOS) 數(shù)字 I/O 的同時(shí)，ISO772x-Q1 器件還可提供高電磁抗擾度和低輻射，同時(shí)具備低功耗特性。每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由雙電容二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵相隔離。ISO7720-Q1 器件具有兩條同向通道，而 ISO7721-Q1 器件具有兩條反向通道。如果輸入功率或信號(hào)出現(xiàn)損失，不帶后綴 F 的器件默認(rèn)輸出高電平，帶后綴 F 的器件默認(rèn)輸出低電平。有關(guān)更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱器件功能模式 部分。

這些器件與隔離式電源結(jié)合使用，有助于防止 CAN 和 LIN 等數(shù)據(jù)總線損壞敏感電路。憑借創(chuàng)新型芯片設(shè)計(jì)和布線技術(shù)，ISO772x-Q1 器件的電磁兼容性得到了顯著增強(qiáng)，可緩解系統(tǒng)級(jí) ESD、EFT 和浪涌問題并符合輻射標(biāo)準(zhǔn)。ISO772x-Q1 系列器件可提供 16 引腳 SOIC 寬體 (DW)、8 引腳 SOIC 寬體 (DWV) 和 8 引腳 SOIC 窄體 (D) 封裝。
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技術(shù)文檔

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設(shè)計(jì)和開發(fā)

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評(píng)估板

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TI.com 上無現(xiàn)貨
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TI.com 上無現(xiàn)貨
仿真模型

ISO7720 IBIS Model (Rev. C)

SLLM333C.ZIP (52 KB) - IBIS Model
下載
仿真模型

ISO7720 PSpice Transient Model

SLLM481.ZIP (171 KB) - PSpice Model
下載
封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
SOIC (DWV) 8 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

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可獲得 TI 工程師技術(shù)支持的 TI E2E? 論壇

所有內(nèi)容均由 TI 和社區(qū)貢獻(xiàn)者按“原樣”提供，并不構(gòu)成 TI 規(guī)范。請(qǐng)參閱使用條款。

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