ZHCSWO7 May 2024 MCT8316A-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規格
-
6 詳細說明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3
特性說明
- 6.3.1 輸出級
- 6.3.2 器件接口模式
- 6.3.3 混合模式降壓穩壓器
- 6.3.4 AVDD 線性穩壓器
- 6.3.5 電荷泵
- 6.3.6 壓擺率控制
- 6.3.7 跨導（死區時間）
- 6.3.8 SPEED 控制
- 6.3.9 在不同初始條件下啟動電機
- 6.3.10 電機啟動順序 (MSS)
- 6.3.11 閉環運行
- 6.3.12 速度環路
- 6.3.13 輸入功率調節
- 6.3.14 防電壓浪涌 (AVS)
- 6.3.15 輸出 PWM 開關頻率
- 6.3.16 快速啟動 (< 50ms)
- 6.3.17 快速減速
- 6.3.18 主動消磁
- 6.3.19 電機停止運轉選項
- 6.3.20 FG 配置
- 6.3.21
保護功能
- 6.3.21.1 VM 電源欠壓鎖定
- 6.3.21.2 AVDD 欠壓鎖定 (AVDD_UV)
- 6.3.21.3 BUCK 欠壓鎖定 (BUCK_UV)
- 6.3.21.4 VCP 電荷泵欠壓鎖定 (CPUV)
- 6.3.21.5 過壓保護 (OVP)
- 6.3.21.6 過流保護 (OCP)
- 6.3.21.7 降壓過流保護
- 6.3.21.8 逐周期 (CBC) 電流限制 (CBC_ILIMIT)
- 6.3.21.9 鎖定檢測電流限制 (LOCK_ILIMIT)
- 6.3.21.10 熱警告 (OTW)
- 6.3.21.11 熱關斷 (TSD)
- 6.3.21.12 電機鎖定 (MTR_LCK)
- 6.3.21.13 電機鎖定檢測
- 6.3.21.14 IPD 故障
- 6.4 器件功能模式
- 6.5 外部接口
- 6.6 EEPROM 訪問和 I2C 接口
- 6.7 EEPROM（非易失性）寄存器映射
- 6.8 RAM（易失性）寄存器映射
- 7 應用和實施
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機械、封裝和可訂購信息
6.3.19.2 再循環模式
可以通過將 MTR_STOP 設置為 001b 來配置再循環模式。為了防止電感能量在電機停止期間返回到直流輸入電源中，MCT8316A-Q1 允許電流在 MOSFET 內循環，方法是有選擇地關斷一些處于工作（導通）狀態的 MOSFET 一段時間（自動計算再循環時間以允許電感電流衰減到零），然后通過關斷剩余的 MOSFET 來轉換至高阻態。
如果高側調制處于運行狀態，則在發出電機停止命令之前，高側 MOSFET 在接收到電機停止命令時關斷，電流再循環通過低側 MOSFET 進行（請參閱示例圖 6-40）。再循環時間結束后，低側 MOSFET 也會關斷，所有 MOSFET 都處于高阻態。
圖 6-40 低側再循環如果低側調制處于活動狀態，則在發出電機停止命令之前，低側 MOSFET 在接收電機停止命令時關斷，電流再循環通過高側 MOSFET 進行（請參閱示例 圖 6-41）。再循環時間結束后，高側 MOSFET 也會關斷，所有 MOSFET 都處于高阻態。
圖 6-41 高側再循環