ZHCSWO7 May 2024 MCT8316A-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規格
-
6 詳細說明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3
特性說明
- 6.3.1 輸出級
- 6.3.2 器件接口模式
- 6.3.3 混合模式降壓穩壓器
- 6.3.4 AVDD 線性穩壓器
- 6.3.5 電荷泵
- 6.3.6 壓擺率控制
- 6.3.7 跨導（死區時間）
- 6.3.8 SPEED 控制
- 6.3.9 在不同初始條件下啟動電機
- 6.3.10 電機啟動順序 (MSS)
- 6.3.11 閉環運行
- 6.3.12 速度環路
- 6.3.13 輸入功率調節
- 6.3.14 防電壓浪涌 (AVS)
- 6.3.15 輸出 PWM 開關頻率
- 6.3.16 快速啟動 (< 50ms)
- 6.3.17 快速減速
- 6.3.18 主動消磁
- 6.3.19 電機停止運轉選項
- 6.3.20 FG 配置
- 6.3.21
保護功能
- 6.3.21.1 VM 電源欠壓鎖定
- 6.3.21.2 AVDD 欠壓鎖定 (AVDD_UV)
- 6.3.21.3 BUCK 欠壓鎖定 (BUCK_UV)
- 6.3.21.4 VCP 電荷泵欠壓鎖定 (CPUV)
- 6.3.21.5 過壓保護 (OVP)
- 6.3.21.6 過流保護 (OCP)
- 6.3.21.7 降壓過流保護
- 6.3.21.8 逐周期 (CBC) 電流限制 (CBC_ILIMIT)
- 6.3.21.9 鎖定檢測電流限制 (LOCK_ILIMIT)
- 6.3.21.10 熱警告 (OTW)
- 6.3.21.11 熱關斷 (TSD)
- 6.3.21.12 電機鎖定 (MTR_LCK)
- 6.3.21.13 電機鎖定檢測
- 6.3.21.14 IPD 故障
- 6.4 器件功能模式
- 6.5 外部接口
- 6.6 EEPROM 訪問和 I2C 接口
- 6.7 EEPROM（非易失性）寄存器映射
- 6.8 RAM（易失性）寄存器映射
- 7 應用和實施
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機械、封裝和可訂購信息
6.3.18 主動消磁
MCT8316A-Q1 具有智能整流特性（主動消磁），可通過減少二極管導通損耗來降低器件中的功率損耗。啟用此特性后，只要該器件檢測到二極管導通，它就會自動導通相應的 MOSFET。可以通過配置 EN_ASR 來啟用此特性。
注： EN_ASR 需要設置為 1b 才能啟用主動消磁。
MCT8316A-Q1 器件包括一個高側 (AD_HS) 和低側 (AD_LS) 比較器，用于檢測每個半橋上器件中的負電流。AD_HS 比較器將檢測 FET 輸出與電源電壓 (VM) 閾值進行比較，而 AD_LS 比較器與接地 (0V) 閾值進行比較。根據從 OUTx 流向 VM 或從 PGND 流向 OUTx 的電流，AD_HS 或 AD_LS 比較器跳變。這些比較器輸出為主動消磁特性的運行提供基準點。
圖 6-36 主動消磁運行