ZHCSWO7 May 2024 MCT8316A-Q1
PRODUCTION DATA
該器件針對 MOSFET 的任何跨導提供全面保護。通過插入死區時間 (tdead) 可確保精密控制高側和低側 MOSFET,從而避免發生任何擊穿事件。實現方法是通過檢測高側和低側 MOSFET 的柵源電壓 (VGS) 并確保高側 MOSFET 的 VGS 已達到關斷電平以下,然后再將同一半橋的低側 MOSFET 導通,如圖 6-11 和圖 6-12 所示,反之亦然。