ZHCAEV0 December 2024 ISO5451 , ISO5451-Q1 , ISO5452 , ISO5452-Q1 , ISO5851 , ISO5851-Q1 , ISO5852S , ISO5852S-EP , ISO5852S-Q1 , UCC21710 , UCC21710-Q1 , UCC21717-Q1 , UCC21732 , UCC21732-Q1 , UCC21736-Q1 , UCC21737-Q1 , UCC21738-Q1 , UCC21739-Q1 , UCC21750 , UCC21750-Q1 , UCC21755-Q1 , UCC21756-Q1 , UCC21759-Q1
除了 DESAT 外部電路的參數值(電容、電阻、正向壓降等)外,還必須注意外部電路引入的寄生效應及其影響。這里討論了可能影響 DESAT 檢測時間的兩個寄生元件:高壓二極管的結電容和 DESAT 節點上的寄生電容。
高壓二極管的結電容會影響 DESAT 檢測時間,因為它會從漏極/集電極耦合 dV/dt,從而導致電流流動。當漏極/集電極上存在負 dV/dt 時,會從 DESAT 引腳拉出電流;當漏極/集電極上存在正 dV/dt 時,則電流會注入 DESAT 引腳。這種電流電話可能增加或減少 DESAT 檢測時間。圖 5-3 展示了較大的高壓二極管結電容如何導致 DESAT 引腳電壓驟降更明顯,從而延長消隱電容器的充電時間。
圖 5-3 結電容仿真結果DESAT 節點上的額外寄生電容也會影響 DESAT 檢測時間。這些寄生電容可能來自 DESAT 上的鉗位二極管(肖特基二極管和/或齊納二極管)或 PCB 布線電容。鉗位二極管的結電容通常約為 5pF,而 PCB 布線寄生電容因系統而異,通常在 5pF 至 20pF 范圍內。計算 DESAT 消隱電容器充電時間時,請考慮額外的電容值。