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ISO5852S

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具有分離輸出、STO 和保護功能的 5.7kVrms、2.5A/5A 單通道隔離式柵極驅動器

產品詳情

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 5 Peak output current (source) (typ) (A) 2.5 Peak output current (sink) (typ) (A) 5 Features Active miller clamp, Fault reporting, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Split output Output VCC/VDD (min) (V) 15 Output VCC/VDD (max) (V) 30 Input supply voltage (min) (V) 2.25 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.076 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 18 Fall time (ns) 20 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 5 Peak output current (source) (typ) (A) 2.5 Peak output current (sink) (typ) (A) 5 Features Active miller clamp, Fault reporting, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Split output Output VCC/VDD (min) (V) 15 Output VCC/VDD (max) (V) 30 Input supply voltage (min) (V) 2.25 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.076 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 18 Fall time (ns) 20 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm2 10.3 x 10.3
  • 在 V CM = 1500V 時，共模瞬態抗擾度 (CMTI) 的最小值為 100kV/μs
  • 分離輸出，可提供 2.5A 峰值拉電流和 5A 峰值灌電流
  • 短傳播延遲：76ns（典型值）， 110ns（最大值）
  • 2A 有源米勒鉗位
  • 輸出短路鉗位
  • 短路期間的軟關斷 (STO)
  • 在檢測到去飽和故障時通過 FLT 發出故障報警并通過 RST 復位
  • 具有就緒 (RDY) 引腳指示的輸入和輸出欠壓鎖定 (UVLO)
  • 有源輸出下拉特性，在低電源或輸入懸空的情況下默認輸出低電平
  • 2.25V 至 5.5V 輸入電源電壓
  • 15V 至 30V 輸出驅動器電源電壓
  • 互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 兼容輸入
  • 抑制短于 20ns 的輸入脈沖和瞬態噪聲
  • 工作溫度：–40°C 至 +125°C（環境溫度）
  • 可承受的隔離浪涌電壓 12800V PK
  • 安全相關認證：
    • 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 標準的 8000 V PK V IOTM 和 2121 V PK V IORM 增強型隔離
    • 符合 UL 1577 標準且長達 1 分鐘的 5700 V RMS 隔離
    • CSA 組件驗收通知 5A，IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 終端設備標準
    • 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 標準的 TUV 認證
    • 經 GB4943.1-2011 CQC 認證
  • 在 V CM = 1500V 時，共模瞬態抗擾度 (CMTI) 的最小值為 100kV/μs
  • 分離輸出，可提供 2.5A 峰值拉電流和 5A 峰值灌電流
  • 短傳播延遲：76ns（典型值）， 110ns（最大值）
  • 2A 有源米勒鉗位
  • 輸出短路鉗位
  • 短路期間的軟關斷 (STO)
  • 在檢測到去飽和故障時通過 FLT 發出故障報警并通過 RST 復位
  • 具有就緒 (RDY) 引腳指示的輸入和輸出欠壓鎖定 (UVLO)
  • 有源輸出下拉特性，在低電源或輸入懸空的情況下默認輸出低電平
  • 2.25V 至 5.5V 輸入電源電壓
  • 15V 至 30V 輸出驅動器電源電壓
  • 互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 兼容輸入
  • 抑制短于 20ns 的輸入脈沖和瞬態噪聲
  • 工作溫度：–40°C 至 +125°C（環境溫度）
  • 可承受的隔離浪涌電壓 12800V PK
  • 安全相關認證：
    • 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 標準的 8000 V PK V IOTM 和 2121 V PK V IORM 增強型隔離
    • 符合 UL 1577 標準且長達 1 分鐘的 5700 V RMS 隔離
    • CSA 組件驗收通知 5A，IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 終端設備標準
    • 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 標準的 TUV 認證
    • 經 GB4943.1-2011 CQC 認證

ISO5852S 器件是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kV RMS 增強型隔離柵極驅動器，具有分離輸出（OUTH 和 OUTL）以及 2.5A 的拉電流能力和 5A 的灌電流能力。輸入端可依靠 2.25V 到 5.5V 的單個電源供電運行。輸出側支持的電源電壓范圍為 15V 至 30V。兩路互補 CMOS 輸入控制柵極驅動器輸出狀態。76ns 的短暫傳播時間保證了對于輸出級的精確控制。

內置的去飽和 (DESAT) 故障檢測功能可識別 IGBT 何時處于過流狀態。檢測到 DESAT 時，靜音邏輯會立即阻斷隔離器輸出，并啟動軟關斷過程以禁用 OUTH 引腳并將 OUTL 引腳拉至低電平持續 2µs。當 OUTL 引腳達到 2V 時（相對于最大負電源電勢 V EE2），柵極驅動器會被“硬”拉至 V EE2 電勢，從而立即將 IGBT 關斷。

當發生去飽和故障時，器件會通過隔離隔柵發送故障信號，以將輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。靜音邏輯在軟關斷期間激活。 FLT 的輸出狀態將被鎖存，并只能在 RDY 引腳變為高電平后通過 RST 輸入上的低電平有效脈沖復位。

如果在由雙極輸出電源供電的正常運行期間關斷 IGBT，輸出電壓會被硬鉗位為 V EE2。如果輸出電源為單極，那么可采用有源米勒鉗位，這種鉗位會在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流，從而防止 IGBT 在高電壓瞬態狀態下發生動態導通。

柵極驅動器是否準備就緒待運行由兩個欠壓鎖定電路控制，這兩個電路會監視輸入端和輸出端的電源。如果任意一端電源不足，RDY 輸出會變為低電平，否則該輸出為高電平。

ISO5852S 采用 16 引腳小外形尺寸集成電路 (SOIC) 封裝.此器件的額定工作環境溫度范圍為 -40°C 至 +125°C。

ISO5852S 器件是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kV RMS 增強型隔離柵極驅動器，具有分離輸出（OUTH 和 OUTL）以及 2.5A 的拉電流能力和 5A 的灌電流能力。輸入端可依靠 2.25V 到 5.5V 的單個電源供電運行。輸出側支持的電源電壓范圍為 15V 至 30V。兩路互補 CMOS 輸入控制柵極驅動器輸出狀態。76ns 的短暫傳播時間保證了對于輸出級的精確控制。

內置的去飽和 (DESAT) 故障檢測功能可識別 IGBT 何時處于過流狀態。檢測到 DESAT 時，靜音邏輯會立即阻斷隔離器輸出，并啟動軟關斷過程以禁用 OUTH 引腳并將 OUTL 引腳拉至低電平持續 2µs。當 OUTL 引腳達到 2V 時（相對于最大負電源電勢 V EE2），柵極驅動器會被“硬”拉至 V EE2 電勢，從而立即將 IGBT 關斷。

當發生去飽和故障時，器件會通過隔離隔柵發送故障信號，以將輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。靜音邏輯在軟關斷期間激活。 FLT 的輸出狀態將被鎖存，并只能在 RDY 引腳變為高電平后通過 RST 輸入上的低電平有效脈沖復位。

如果在由雙極輸出電源供電的正常運行期間關斷 IGBT，輸出電壓會被硬鉗位為 V EE2。如果輸出電源為單極，那么可采用有源米勒鉗位，這種鉗位會在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流，從而防止 IGBT 在高電壓瞬態狀態下發生動態導通。

柵極驅動器是否準備就緒待運行由兩個欠壓鎖定電路控制，這兩個電路會監視輸入端和輸出端的電源。如果任意一端電源不足，RDY 輸出會變為低電平，否則該輸出為高電平。

ISO5852S 采用 16 引腳小外形尺寸集成電路 (SOIC) 封裝.此器件的額定工作環境溫度范圍為 -40°C 至 +125°C。
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技術文檔

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類型 標題 下載最新的英語版本 日期
* 數據表 ISO5852S 具有分離輸出和有源保護特性的高 CMTI 2.5A 和 5A 增強型隔離式 IGBT、MOSFET 柵極驅動器 數據表 (Rev. C) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2023年 6月 15日
證書 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. Y) 2025年 9月 22日
證書 UL Certificate of Compliance File E181974 Vol 4 Sec 6 (Rev. R) 2025年 9月 8日
證書 TUV Certificate for Isolation Devices (Rev. L) 2025年 8月 15日
應用手冊 為 IGBT 和 SiC 電源模塊選擇適當的保護方法 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 1月 8日
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用戶指南 用于 Wolfspeed 1200V SiC 平臺的 UCC217xx 和 ISO5x5x 半橋 EVM 用戶指南 PDF | HTML 英語版 2023年 9月 5日
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應用簡報 適用于柵極驅動器的外部柵極電阻器設計指南 (Rev. A) 英語版 (Rev.A) 2020年 4月 29日
功能安全信息 Isolation in AC Motor Drives: Understanding the IEC 61800-5-1 Safety Standard (Rev. A) 2019年 9月 19日
技術文章 Designing highly efficient, powerful and fast EV charging stations PDF | HTML 2019年 8月 6日
模擬設計期刊 推動高性能數字隔離技術 (Rev. A) 2018年 10月 2日
模擬設計期刊 Pushing the envelope with high-performance digital-isolation technology (Rev. A) 2018年 8月 22日
用戶指南 ISO5852SDW Driving and Protecting SiC and IGBT Power Modules 2018年 5月 24日
功能安全信息 Isolation in solar power converters: Understanding the IEC62109-1 safety standar (Rev. A) 2018年 5月 18日
技術文章 Why capacitive isolation: a vital building block for sensors in smart cities PDF | HTML 2018年 1月 16日
應用手冊 Isolation Glossary (Rev. A) 2017年 9月 19日
白皮書 交流電機驅動器中的隔離： 認識 IEC 61800-5-1 安全標準 最新英語版本 (Rev.A) 2017年 8月 7日
技術文章 Understanding isolator failure modes for safe isolation PDF | HTML 2016年 3月 28日
技術文章 7 steps to choose the right isolators for AC motor-drive applications PDF | HTML 2015年 11月 24日
模擬設計期刊 2015 年第 4 季度模擬應用期刊 英語版 2015年 11月 16日
模擬設計期刊 適用于隔離柵極驅動器的共模瞬態抗擾度 英語版 2015年 11月 16日
EVM 用戶指南 ISO5852S Evaluation Module User's Guide (Rev. A) 2015年 9月 8日
白皮書 Understanding electromagnetic compliance tests in digital isolators 2014年 10月 17日
白皮書 High-voltage reinforced isolation: Definitions and test methodologies 2014年 10月 16日
應用手冊 所選封裝材料的熱學和電學性質 2008年 10月 16日
應用手冊 無鉛組件涂層的保存期評估 2004年 5月 24日

設計和開發

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評估板

ISO5852SDWEVM-017 — 適用于 SiC 和 IGBT 電源模塊的驅動和保護評估板

ISO5852SDWEVM-017 是一款緊湊型雙通道隔離式柵極驅動器電路板，可提供采用標準 62mm 封裝的半橋 SiC MOSFET 和 IGBT 電源模塊所需的驅動、偏置電壓、保護和診斷功能。該 TI EVM 以 5.7kVrms 增強型隔離驅動器 IC ISO5852SDW 為基礎，后者采用 SOIC-16DW 封裝，具有 8.0mm 爬電距離和間隙。該 EVM 包含基于 SN6505B 的隔離式偏置電源以及通過放大器 AMC1401 實現的溫度和總線電壓隔離式監控。

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評估板

ISO5852SEVM — ISO5852SEVM - ISO5852S 評估模塊

該評估模塊采用 ISO5852S 增強型隔離式柵極驅動器器件，可讓設計人員通過預填充的 1-nF 負載或采用標準 TO-247 或 TO-220 封裝的用戶安裝型 IGBT 來評估器件的交流和直流性能。

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仿真模型

ISO5852S IBIS Model

SLLM283.ZIP (33 KB) - IBIS Model
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仿真模型

ISO5852S PSpice Transient Model (Rev. A)

SLLM300A.ZIP (232 KB) - PSpice Model
下載
仿真模型

ISO5852S TINA-TI Reference Design

SLLM436.TSC (1537 KB) - TINA-TI Reference Design
下載
仿真模型

ISO5852S TINA-TI SPICE Model

SLLM435.ZIP (31 KB) - TINA-TI Spice Model
下載
仿真模型

ISO5852S Unencrypted PSPICE Transient Model

SLLM446.ZIP (4 KB) - PSpice Model
下載
設計工具

SLLR117 — ISO5852SDWEVM-017 Design Files

支持的產品和硬件

支持的產品和硬件

產品
隔離式柵極驅動器
ISO5852S — 具有分離輸出、STO 和保護功能的 5.7kVrms、2.5A/5A 單通道隔離式柵極驅動器
硬件開發
評估板
ISO5852SDWEVM-017 — 適用于 SiC 和 IGBT 電源模塊的驅動和保護評估板
模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設計和仿真環境。此功能齊全的設計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用，包括業內超大的模型庫之一，涵蓋我們的模擬和電源產品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設計和仿真環境及其內置的模型庫，您可對復雜的混合信號設計進行仿真。創建完整的終端設備設計和原型解決方案，然后再進行布局和制造，可縮短產品上市時間并降低開發成本。?

在?PSpice for TI 設計和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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參考設計

TIDA-00195 — 用于三相逆變器系統的隔離式 IGBT 柵極驅動器評估平臺參考設計

TIDA-00195 參考設計包括一個 22kW 功率級以及 TI 全新的增強型隔離式 IGBT 柵極驅動器 ISO5852S（適用于各種應用中的電機控制）。此設計可對三相逆變器（其中整合了額定電壓為 1200V、額定電流范圍為 50A-200A 的 IGBT 模塊）中的 ISO5852S 進行性能評估。

評估的一些重要功能和性能包括使用 DESAT 檢測的短路保護、軟關斷、在不同逆變器 dv/dt 下的有源米勒鉗位的有效性以及 IGBT 柵極驅動器的源自可調速電氣電力驅動系統 (IEC61800-3) 的系統級 ESD/EFT 性能。Piccolo Launch Pad (...)

用戶指南: PDF
原理圖: PDF
英語版 (Rev.A): PDF
參考設計

TIDA-01599 — 適用于工業驅動器且經過 TüV SüD 評估的安全轉矩關閉 (STO) 參考設計 (IEC 61800-5-2)

此參考設計概述了具有 CMOS 輸入隔離式 IGBT 柵極驅動器的三相逆變器中使用的安全轉矩關閉 (STO) 子系統。該 STO 子系統采用雙通道架構 (1oo2)，硬件容錯能力為 1 (HFT=1)。它是按照失電跳閘概念實現的。當雙路 STO 輸入（STO_1 和 STO_2）變為低電平有效時，將通過負載開關切斷六個隔離式 IGBT 柵極驅動器的初級側和次級側相應電源，從而停止控制電機并為其供電。此 STO 參考設計 (1oo2) 經過 TüV SüD 評估，通常符合 SIL 3 和 PL e/Cat.3.
設計指南: PDF
原理圖: PDF
參考設計

TIDA-00917 — 適用于具備短路保護功能和電流緩沖器的并聯 IGBT 的柵極驅動器參考設計

對于具有較高輸出額定功率的電源轉換設備而言，并聯絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 變得很有必要，因為在這類應用中，單個 IGBT 無法提供所需的負載電流。此參考設計采用一個增強型隔離式 IGBT 柵極控制模塊來驅動半橋配置下的并聯 IGBT。在柵極驅動器（驅動強度不足）和系統層面，并聯 IGBT 都無法保持相等的電流分布以及更快的導通和關斷。此參考設計使用增強型隔離式 IGBT 柵極驅動器，這款器件具有多種集成特性，如去飽和檢測和軟關斷（以便在故障情況下保護 IGBT）。通過外部 BJT 電流增壓級，可在不犧牲軟關斷特性的情況下提高柵極驅動電流 (15A)。此外，該設計展示了在 IGBT (...)
設計指南: PDF
原理圖: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

推薦產品可能包含與 TI 此產品相關的參數、評估模塊或參考設計。

支持和培訓

視頻