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UCC21739-Q1

正在供貨

適用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有隔離式模擬檢測的汽車類 3kVrms ±10A 單通道隔離式柵極驅動器

產品詳情

Number of channels 1 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 700, 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 8400 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Over Current Protection, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
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SOIC (DW) 16 106.09 mm2 10.3 x 10.3
  • 3kVRMS 單通道隔離式柵極驅動器
  • 符合面向汽車應用的 AEC-Q100 標準
    • 器件溫度等級 1：–40°C 至 125°C 環境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級 3A
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C3
  • 高達 900Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大輸出驅動電壓 (VDD-VEE)
  • ±10A 驅動強度和分離輸出
  • 150V/ns 最小 CMTI
  • 具有 270ns 快速響應時間的過流保護
  • 外部有源米勒鉗位
  • 發生故障時的內部 2 級關斷
  • 具有 PWM 輸出的隔離式模擬傳感器
    • 采用 NTC、PTC 或熱敏二極管的溫度感應
    • 高電壓直流鏈路或相電壓
  • 過流警報 FLT 和通過 RST/EN 重置
  • 針對 RST/EN 的快速啟用/禁用響應
  • 抑制輸入引腳上的 <40ns 噪聲瞬態和脈沖
  • RDY 上的 12V VDD UVLO（具有電源正常指示功能）
  • 具有高達 5V 的過沖/欠沖瞬態電壓抗擾度的輸入/輸出
  • 130ns（最大）傳播延遲和 30ns（最大）脈沖/器件間偏移
  • SOIC-16 DW 封裝，爬電距離和間隙 > 8mm
  • 工作結溫范圍：-40°C 至 +150°C
  • 安全相關認證：
    • 4242VPK 隔離，符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 標準
  • 3kVRMS 單通道隔離式柵極驅動器
  • 符合面向汽車應用的 AEC-Q100 標準
    • 器件溫度等級 1：–40°C 至 125°C 環境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級 3A
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C3
  • 高達 900Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大輸出驅動電壓 (VDD-VEE)
  • ±10A 驅動強度和分離輸出
  • 150V/ns 最小 CMTI
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  • 過流警報 FLT 和通過 RST/EN 重置
  • 針對 RST/EN 的快速啟用/禁用響應
  • 抑制輸入引腳上的 <40ns 噪聲瞬態和脈沖
  • RDY 上的 12V VDD UVLO（具有電源正常指示功能）
  • 具有高達 5V 的過沖/欠沖瞬態電壓抗擾度的輸入/輸出
  • 130ns（最大）傳播延遲和 30ns（最大）脈沖/器件間偏移
  • SOIC-16 DW 封裝，爬電距離和間隙 > 8mm
  • 工作結溫范圍：-40°C 至 +150°C
  • 安全相關認證：
    • 4242VPK 隔離，符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 標準

UCC21739-Q1 是一款電隔離單通道柵極驅動器，旨在用于 SiC MOSFET 和 IGBT，工作電壓高達 900V（直流），具有先進的保護特性、出色的動態性能和穩健性。UCC21739-Q1 具有高達 ±10A 的峰值拉電流和灌電流。

輸入側通過 SiO2 電容隔離技術與輸出側相隔離，支持高達 636VRMS 的工作電壓、6kVPK 的浪涌抗擾度，隔離柵壽命超過 40 年的基本隔離，并提供較低的器件間偏斜和大于 150V/ns 的共模噪聲抗擾度 (CMTI)。

UCC21739-Q1 具有高級保護功能，如快速過流和短路檢測、分流電流檢測支持、故障報告、有源米勒鉗位以及輸入和輸出側電源 UVLO（用于優化 SiC 和 IGBT 開關行為和穩健性）。可以利用隔離式模擬至 PWM 傳感器更輕松地進行溫度或電壓感測，從而進一步提高驅動器的多功能性并簡化系統設計工作量、尺寸和成本。

UCC21739-Q1 是一款電隔離單通道柵極驅動器，旨在用于 SiC MOSFET 和 IGBT，工作電壓高達 900V（直流），具有先進的保護特性、出色的動態性能和穩健性。UCC21739-Q1 具有高達 ±10A 的峰值拉電流和灌電流。

輸入側通過 SiO2 電容隔離技術與輸出側相隔離，支持高達 636VRMS 的工作電壓、6kVPK 的浪涌抗擾度，隔離柵壽命超過 40 年的基本隔離，并提供較低的器件間偏斜和大于 150V/ns 的共模噪聲抗擾度 (CMTI)。

UCC21739-Q1 具有高級保護功能，如快速過流和短路檢測、分流電流檢測支持、故障報告、有源米勒鉗位以及輸入和輸出側電源 UVLO（用于優化 SiC 和 IGBT 開關行為和穩健性）。可以利用隔離式模擬至 PWM 傳感器更輕松地進行溫度或電壓感測，從而進一步提高驅動器的多功能性并簡化系統設計工作量、尺寸和成本。
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用戶指南: PDF
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SOIC (DW) 16 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
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  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
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  • 鑒定摘要
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