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UCC21732

正在供貨

適用于 IGBT/SiC FET 且具有 2 級(jí)關(guān)斷的 5.7kVrms ±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器

產(chǎn)品詳情

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Over Current Protection, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 800 Rise time (ns) 28 Fall time (ns) 24 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Over Current Protection, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 800 Rise time (ns) 28 Fall time (ns) 24 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm2 10.3 x 10.3
  • 5.7kVRMS 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器
  • 高達(dá) 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大輸出驅(qū)動(dòng)電壓 (VDD-VEE)
  • ±10A 驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和分離輸出
  • 150V/ns 最小 CMTI
  • 具有 270ns 快速響應(yīng)時(shí)間的過流保護(hù)
  • 發(fā)生故障時(shí)的內(nèi)部 2 級(jí)關(guān)斷
  • 具有 PWM 輸出的隔離式模擬傳感器
    • 采用 NTC、PTC 或熱敏二極管的溫度感應(yīng)
    • 高電壓直流鏈路或相電壓
  • 過流警報(bào) FLT 和通過 RST/EN 重置
  • 針對(duì) RST/EN 的快速啟用/禁用響應(yīng)
  • 抑制輸入引腳上的 <40ns 噪聲瞬態(tài)和脈沖
  • RDY 上的 12V VDD UVLO（具有電源正常指示功能）
    • VDD UVLO 12V
  • 具有高達(dá) 5V 的過沖/欠沖瞬態(tài)電壓抗擾度的輸入/輸出
  • 130ns（最大）傳播延遲和 30ns（最大）脈沖/器件間偏移
  • SOIC-16 DW 封裝，爬電距離和間隙 > 8mm
  • 工作結(jié)溫范圍：-40°C 至 +150°C
  • 安全相關(guān)認(rèn)證：
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 要求的 8000VPK VIOTM 和 2121VPK VIORM 增強(qiáng)型隔離
    • 5700VRMS 隔離，符合 UL1577 標(biāo)準(zhǔn)且持續(xù)時(shí)長為 1 分鐘
  • 5.7kVRMS 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器
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    • 5700VRMS 隔離，符合 UL1577 標(biāo)準(zhǔn)且持續(xù)時(shí)長為 1 分鐘

UCC21732 是一款電隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在用于 SiC MOSFET 和 IGBT，工作電壓高達(dá) 2121V（直流），具有先進(jìn)的保護(hù)特性、出色的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。UCC21732 具有高達(dá) ±10A 的峰值拉電流和灌電流。

輸入側(cè)通過 SiO2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)相隔離，支持高達(dá) 1.5kVRMS 的工作電壓、12.8kVPK 的浪涌抗擾度，隔離柵壽命超過 40 年，并提供較低的器件間偏斜，共模噪聲抗擾度 (CMTI) 大于 150V/ns。

UCC21732 包括先進(jìn)的保護(hù)特性，如快速過流和短路檢測(cè)、分流電流檢測(cè)支持、故障報(bào)告、有源米勒鉗位、輸入和輸出側(cè)電源 UVLO（用于優(yōu)化 SiC 和 IGBT 開關(guān)行為）和穩(wěn)健性。可以利用隔離式模擬至 PWM 傳感器更輕松地進(jìn)行溫度或電壓感測(cè)，從而進(jìn)一步提高驅(qū)動(dòng)器的多功能性并簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)工作量、尺寸和成本。

UCC21732 是一款電隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在用于 SiC MOSFET 和 IGBT，工作電壓高達(dá) 2121V（直流），具有先進(jìn)的保護(hù)特性、出色的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。UCC21732 具有高達(dá) ±10A 的峰值拉電流和灌電流。

輸入側(cè)通過 SiO2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)相隔離，支持高達(dá) 1.5kVRMS 的工作電壓、12.8kVPK 的浪涌抗擾度，隔離柵壽命超過 40 年，并提供較低的器件間偏斜，共模噪聲抗擾度 (CMTI) 大于 150V/ns。

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