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ISO5851

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具有有源保護(hù)功能的 5.7kVrms、2.5A/5A 單通道隔離式柵極驅(qū)動器

產(chǎn)品詳情

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 5 Peak output current (source) (typ) (A) 2.5 Peak output current (sink) (typ) (A) 5 Features Active miller clamp, Fault reporting, Power good, Short circuit protection Output VCC/VDD (min) (V) 15 Output VCC/VDD (max) (V) 30 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.076 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 20 Fall time (ns) 20 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 5 Peak output current (source) (typ) (A) 2.5 Peak output current (sink) (typ) (A) 5 Features Active miller clamp, Fault reporting, Power good, Short circuit protection Output VCC/VDD (min) (V) 15 Output VCC/VDD (max) (V) 30 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.076 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 20 Fall time (ns) 20 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm2 10.3 x 10.3
  • 在 V CM = 1500V 時，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 的最小值為 100kV/μs
  • 2.5A 峰值拉電流和 5A 峰值灌電流
  • 短傳播延遲：76ns（典型值）， 110ns（最大值）
  • 2A 有源米勒鉗位
  • 輸出短路鉗位
  • 在檢測到去飽和故障時通過 FLT 發(fā)出故障報警并通過 RST 復(fù)位
  • 具有就緒 (RDY) 引腳指示的輸入和輸出欠壓鎖定 (UVLO)
  • 有源輸出下拉特性，在低電源或輸入懸空的情況下默認(rèn)輸出低電平
  • 3V 至 5.5V 輸入電源電壓
  • 15V 至 30V 輸出驅(qū)動器電源電壓
  • 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 兼容輸入
  • 抑制短于 20ns 的輸入脈沖和瞬態(tài)噪聲
  • 工作溫度：–40°C 至 +125°C（環(huán)境溫度）
  • 可承受的隔離浪涌電壓 12800V PK
  • 安全相關(guān)認(rèn)證：
    • 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 標(biāo)準(zhǔn)的 8000 V PK V IOTM 和 2121 V PK V IORM 增強(qiáng)型隔離
    • 符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)且長達(dá) 1 分鐘的 5700 V RMS 隔離
    • CSA 組件驗收通知 5A，IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 終端設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)
    • 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 標(biāo)準(zhǔn)的 TUV 認(rèn)證
    • 經(jīng) GB4943.1-2011 CQC 認(rèn)證
  • 在 V CM = 1500V 時，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 的最小值為 100kV/μs
  • 2.5A 峰值拉電流和 5A 峰值灌電流
  • 短傳播延遲：76ns（典型值）， 110ns（最大值）
  • 2A 有源米勒鉗位
  • 輸出短路鉗位
  • 在檢測到去飽和故障時通過 FLT 發(fā)出故障報警并通過 RST 復(fù)位
  • 具有就緒 (RDY) 引腳指示的輸入和輸出欠壓鎖定 (UVLO)
  • 有源輸出下拉特性，在低電源或輸入懸空的情況下默認(rèn)輸出低電平
  • 3V 至 5.5V 輸入電源電壓
  • 15V 至 30V 輸出驅(qū)動器電源電壓
  • 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 兼容輸入
  • 抑制短于 20ns 的輸入脈沖和瞬態(tài)噪聲
  • 工作溫度：–40°C 至 +125°C（環(huán)境溫度）
  • 可承受的隔離浪涌電壓 12800V PK
  • 安全相關(guān)認(rèn)證：
    • 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 標(biāo)準(zhǔn)的 8000 V PK V IOTM 和 2121 V PK V IORM 增強(qiáng)型隔離
    • 符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)且長達(dá) 1 分鐘的 5700 V RMS 隔離
    • CSA 組件驗收通知 5A，IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 終端設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)
    • 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 標(biāo)準(zhǔn)的 TUV 認(rèn)證
    • 經(jīng) GB4943.1-2011 CQC 認(rèn)證

ISO5851 是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kV RMS 增強(qiáng)型隔離柵極驅(qū)動器，具有 2.5A 的拉電流能力和 5A 的灌電流能力。輸入端由 3V 至 5.5V 的單電源供電運行。輸出側(cè)支持的電源電壓范圍為 15V 至 30V。兩路互補(bǔ) CMOS 輸入控制柵極驅(qū)動器輸出狀態(tài)。76ns 的短暫傳播時間保證了對于輸出級的精確控制。

內(nèi)置的去飽和 (DESAT) 故障檢測功能可識別 IGBT 何時處于過載狀態(tài)。當(dāng)檢測到 DESAT 時，柵極驅(qū)動器輸出會被拉低為 V EE2 電勢，從而將 IGBT 立即關(guān)斷。

當(dāng)發(fā)生去飽和故障時，器件會通過隔離隔柵發(fā)送故障信號，以將輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。 FLT 的輸出狀態(tài)將被鎖存，可通過 RST 輸入上的低電平有效脈沖復(fù)位。

如果在由雙極輸出電源供電的正常運行期間關(guān)斷 IGBT，輸出電壓會被硬鉗位為 V EE2。如果輸出電源為單極，那么可采用有源米勒鉗位，這種鉗位會在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流，從而防止 IGBT 在高電壓瞬態(tài)條件下發(fā)生動態(tài)導(dǎo)通。

當(dāng)發(fā)生去飽和故障時，器件會通過隔離隔柵發(fā)送故障信號，以將輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。 FLT 的輸出狀態(tài)將被鎖存，可通過 RST 輸入上的低電平有效脈沖復(fù)位。

如果在由雙極輸出電源供電的正常運行期間關(guān)斷 IGBT，輸出電壓會被硬鉗位為 V EE2。如果輸出電源為單極，那么可采用有源米勒鉗位，這種鉗位會在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流，從而防止 IGBT 在高電壓瞬態(tài)條件下發(fā)生動態(tài)導(dǎo)通。

柵極驅(qū)動器是否準(zhǔn)備就緒待運行由兩個欠壓鎖定電路控制，這兩個電路會監(jiān)視輸入端和輸出端的電源。如果任意一端電源不足，RDY 輸出會變?yōu)榈碗娖剑环駝t，該輸出為高電平。

ISO5851 采用 16 引腳小外形尺寸集成電路 (SOIC) 封裝。此器件的額定工作環(huán)境溫度范圍為 -40°C 至 +125°C。

ISO5851 是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kV RMS 增強(qiáng)型隔離柵極驅(qū)動器，具有 2.5A 的拉電流能力和 5A 的灌電流能力。輸入端由 3V 至 5.5V 的單電源供電運行。輸出側(cè)支持的電源電壓范圍為 15V 至 30V。兩路互補(bǔ) CMOS 輸入控制柵極驅(qū)動器輸出狀態(tài)。76ns 的短暫傳播時間保證了對于輸出級的精確控制。

內(nèi)置的去飽和 (DESAT) 故障檢測功能可識別 IGBT 何時處于過載狀態(tài)。當(dāng)檢測到 DESAT 時，柵極驅(qū)動器輸出會被拉低為 V EE2 電勢，從而將 IGBT 立即關(guān)斷。

當(dāng)發(fā)生去飽和故障時，器件會通過隔離隔柵發(fā)送故障信號，以將輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。 FLT 的輸出狀態(tài)將被鎖存，可通過 RST 輸入上的低電平有效脈沖復(fù)位。

如果在由雙極輸出電源供電的正常運行期間關(guān)斷 IGBT，輸出電壓會被硬鉗位為 V EE2。如果輸出電源為單極，那么可采用有源米勒鉗位，這種鉗位會在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流，從而防止 IGBT 在高電壓瞬態(tài)條件下發(fā)生動態(tài)導(dǎo)通。

當(dāng)發(fā)生去飽和故障時，器件會通過隔離隔柵發(fā)送故障信號，以將輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。 FLT 的輸出狀態(tài)將被鎖存，可通過 RST 輸入上的低電平有效脈沖復(fù)位。

如果在由雙極輸出電源供電的正常運行期間關(guān)斷 IGBT，輸出電壓會被硬鉗位為 V EE2。如果輸出電源為單極，那么可采用有源米勒鉗位，這種鉗位會在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流，從而防止 IGBT 在高電壓瞬態(tài)條件下發(fā)生動態(tài)導(dǎo)通。

柵極驅(qū)動器是否準(zhǔn)備就緒待運行由兩個欠壓鎖定電路控制，這兩個電路會監(jiān)視輸入端和輸出端的電源。如果任意一端電源不足，RDY 輸出會變?yōu)榈碗娖剑环駝t，該輸出為高電平。

ISO5851 采用 16 引腳小外形尺寸集成電路 (SOIC) 封裝。此器件的額定工作環(huán)境溫度范圍為 -40°C 至 +125°C。
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技術(shù)文檔

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類型 標(biāo)題 下載最新的英語版本 日期
* 數(shù)據(jù)表 ISO5851 具有有源保護(hù)特性的高 CMTI 2.5A 和 5A 隔離式 IGBT、MOSFET 柵極驅(qū)動器 數(shù)據(jù)表 (Rev. C) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2023年 6月 15日
證書 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. Y) 2025年 9月 22日
證書 UL Certificate of Compliance File E181974 Vol 4 Sec 6 (Rev. R) 2025年 9月 8日
證書 TUV Certificate for Isolation Devices (Rev. L) 2025年 8月 15日
應(yīng)用手冊 為 IGBT 和 SiC 電源模塊選擇適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)方法 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 1月 8日
應(yīng)用簡報 我的設(shè)計是否需要米勒鉗位？ PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 1月 6日
白皮書 了解隔離器的失效模式 (Rev. B) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2024年 2月 5日
應(yīng)用手冊 數(shù)字隔離器設(shè)計指南 (Rev. G) PDF | HTML 英語版 (Rev.G) PDF | HTML 2023年 9月 20日
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用戶指南 用于 Wolfspeed 1200V SiC 平臺的 UCC217xx 和 ISO5x5x 半橋 EVM 用戶指南 PDF | HTML 英語版 2023年 9月 5日
證書 ISO5451 CQC Certificate of Product Certification 2023年 8月 16日
應(yīng)用簡報 柵極驅(qū)動電路中鐵氧體磁珠的使用和優(yōu)勢 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2022年 11月 14日
證書 CSA Certification (Rev. Q) 2021年 6月 14日
應(yīng)用簡報 了解峰值源電流和灌電流 (Rev. A) 英語版 (Rev.A) 2020年 4月 29日
應(yīng)用簡報 適用于柵極驅(qū)動器的外部柵極電阻器設(shè)計指南 (Rev. A) 英語版 (Rev.A) 2020年 4月 29日
功能安全信息 Isolation in AC Motor Drives: Understanding the IEC 61800-5-1 Safety Standard (Rev. A) 2019年 9月 19日
模擬設(shè)計期刊 推動高性能數(shù)字隔離技術(shù) (Rev. A) 2018年 10月 2日
模擬設(shè)計期刊 Pushing the envelope with high-performance digital-isolation technology (Rev. A) 2018年 8月 22日
功能安全信息 Isolation in solar power converters: Understanding the IEC62109-1 safety standar (Rev. A) 2018年 5月 18日
應(yīng)用手冊 Isolation Glossary (Rev. A) 2017年 9月 19日
白皮書 交流電機(jī)驅(qū)動器中的隔離： 認(rèn)識 IEC 61800-5-1 安全標(biāo)準(zhǔn) 最新英語版本 (Rev.A) 2017年 8月 7日
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EVM 用戶指南 ISO5851 Evaluation Module User's Guide 2015年 6月 19日
白皮書 Understanding electromagnetic compliance tests in digital isolators 2014年 10月 17日
白皮書 High-voltage reinforced isolation: Definitions and test methodologies 2014年 10月 16日
應(yīng)用手冊 所選封裝材料的熱學(xué)和電學(xué)性質(zhì) 2008年 10月 16日
應(yīng)用手冊 無鉛組件涂層的保存期評估 2004年 5月 24日

設(shè)計和開發(fā)

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評估板

ISO5851EVM — ISO5851 評估模塊 (EVM)

該評估模塊采用 ISO5851 增強(qiáng)型隔離式柵極驅(qū)動器器件，可讓設(shè)計人員通過預(yù)填充的 1-nF 負(fù)載或采用標(biāo)準(zhǔn) TO-247 或 TO-220 封裝的用戶安裝型 IGBT 來評估器件的交流和直流性能。

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仿真模型

ISO5851 IBIS Model

SLLM275.ZIP (33 KB) - IBIS Model
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仿真模型

ISO5851 PSpice Transient Model

SLLM291.ZIP (73 KB) - PSpice Model
下載
仿真模型

ISO5851 TINA-TI Transient Reference Design

SLLM336.TSC (594 KB) - TINA-TI Reference Design
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仿真模型

ISO5851 TINA-TI Transient Spice Model

SLLM335.ZIP (21 KB) - TINA-TI Spice Model
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仿真模型

ISO5851 Unencrypted PSPICE Transient Model

SLLM447.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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設(shè)計工具

SLLR118 — ISO5851EVM Design Files

支持的產(chǎn)品和硬件

支持的產(chǎn)品和硬件

產(chǎn)品
隔離式柵極驅(qū)動器
ISO5851 — 具有有源保護(hù)功能的 5.7kVrms、2.5A/5A 單通道隔離式柵極驅(qū)動器
硬件開發(fā)
評估板
ISO5851EVM — ISO5851 評估模塊 (EVM)
模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設(shè)計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設(shè)計和仿真環(huán)境。此功能齊全的設(shè)計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用，包括業(yè)內(nèi)超大的模型庫之一，涵蓋我們的模擬和電源產(chǎn)品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設(shè)計和仿真環(huán)境及其內(nèi)置的模型庫，您可對復(fù)雜的混合信號設(shè)計進(jìn)行仿真。創(chuàng)建完整的終端設(shè)備設(shè)計和原型解決方案，然后再進(jìn)行布局和制造，可縮短產(chǎn)品上市時間并降低開發(fā)成本。?

在?PSpice for TI 設(shè)計和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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參考設(shè)計

TIDA-00446 — 適用于三相逆變器的小外形增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動器參考設(shè)計

TIDA-00446 參考設(shè)計包含六個增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動器以及專用柵極驅(qū)動器電源。此緊湊型參考設(shè)計旨在控制諸如交流驅(qū)動器、不間斷電源 (UPS) 和太陽能逆變器等三相逆變器中的 IGBT。此設(shè)計使用具有 DESAT 功能和內(nèi)置米勒鉗位保護(hù)的增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動器，支持將單極電源電壓用于柵極驅(qū)動器。每個柵極驅(qū)動器的基于開環(huán)推挽式拓?fù)涞碾娫词?PCB 布線具有靈活性。在 TIDA-00446 中使用的推挽式變壓器驅(qū)動器以 420 khz 的頻率運行，這有助于減小隔離變壓器的尺寸，從而實現(xiàn)緊湊的電源解決方案。柵極驅(qū)動器電源可予以禁用，從而促進(jìn)安全扭矩切斷 (STO) 功能。
設(shè)計指南: PDF
原理圖: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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