主頁(yè) 電源管理 柵極驅(qū)動(dòng)器 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器

UCC21736-Q1

已停產(chǎn)

適用于 IGBT/SiC 且具有主動(dòng)短路的汽車級(jí) 5.7kVrms ±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器

UCC21736-Q1 不再投入量產(chǎn)
此產(chǎn)品不再投入生產(chǎn)。新設(shè)計(jì)應(yīng)考慮替代產(chǎn)品。
功能優(yōu)于所比較器件的普遍直接替代產(chǎn)品
UCC21737-Q1 正在供貨 適用于 SiC/IGBT、具有主動(dòng)短路保護(hù)功能的汽車級(jí) 10A 隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器 Automotive 10-A source and sink reinforced isolated single-channel
功能與比較器件相同，但引腳排列有所不同
UCC21759-Q1 正在供貨 適用于 IGBT/SiC 且具有 DESAT 和內(nèi)部鉗位的汽車級(jí) 3.0kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器 Basic isolation, internal Miller clamp, DESAT protection, has no active short circuit or integrated analog-to-PWM sensor

產(chǎn)品詳情

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000, 8400 Peak output current (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Split output Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 28 Fall time (ns) 24 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000, 8400 Peak output current (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Split output Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 28 Fall time (ns) 24 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm2 10.3 x 10.3
  • 5.7kV RMS 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器
  • 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)
  • 高達(dá) 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大輸出驅(qū)動(dòng)電壓 (VDD-VEE)
  • ±10A 驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和分離輸出
  • 150V/ns 最小 CMTI
  • 具有 200ns 快速響應(yīng)時(shí)間的過(guò)流保護(hù)
  • 外部有源米勒鉗位
  • 發(fā)生故障時(shí)的 900mA 軟關(guān)斷
  • 隔離側(cè)的 ASC 輸入，用于在系統(tǒng)故障期間打開(kāi)電源開(kāi)關(guān)
  • 過(guò)流警報(bào) FLT 和通過(guò) RST/EN 重置
  • 針對(duì) RST/EN 的快速啟用/禁用響應(yīng)
  • 抑制輸入引腳上的 <40ns 噪聲瞬態(tài)和脈沖
  • RDY 上的 12V VDD UVLO 和 3V VEE UVLO（具有電源正常指示功能）
  • 具有高達(dá) 5V 的過(guò)沖/欠沖瞬態(tài)電壓抗擾度的輸入/輸出
  • 130ns（最大）傳播延遲和 30ns（最大）脈沖/器件間偏移
  • SOIC-16 DW 封裝，爬電距離和間隙 > 8mm
  • 工作結(jié)溫范圍：-40°C 至 +150°C
  • 5.7kV RMS 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器
  • 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)
  • 高達(dá) 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大輸出驅(qū)動(dòng)電壓 (VDD-VEE)
  • ±10A 驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和分離輸出
  • 150V/ns 最小 CMTI
  • 具有 200ns 快速響應(yīng)時(shí)間的過(guò)流保護(hù)
  • 外部有源米勒鉗位
  • 發(fā)生故障時(shí)的 900mA 軟關(guān)斷
  • 隔離側(cè)的 ASC 輸入，用于在系統(tǒng)故障期間打開(kāi)電源開(kāi)關(guān)
  • 過(guò)流警報(bào) FLT 和通過(guò) RST/EN 重置
  • 針對(duì) RST/EN 的快速啟用/禁用響應(yīng)
  • 抑制輸入引腳上的 <40ns 噪聲瞬態(tài)和脈沖
  • RDY 上的 12V VDD UVLO 和 3V VEE UVLO（具有電源正常指示功能）
  • 具有高達(dá) 5V 的過(guò)沖/欠沖瞬態(tài)電壓抗擾度的輸入/輸出
  • 130ns（最大）傳播延遲和 30ns（最大）脈沖/器件間偏移
  • SOIC-16 DW 封裝，爬電距離和間隙 > 8mm
  • 工作結(jié)溫范圍：-40°C 至 +150°C

UCC21736-Q1 是一款電隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，用于具有高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有高級(jí)保護(hù)功能 功能、出色的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。UCC21736-Q1 具有高達(dá) ±10A 的峰值拉電流和灌電流。

輸入側(cè)通過(guò) SiO2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)相隔離，支持高達(dá) 1.5kVRMS 的工作電壓、12.8kVPK 的浪涌抗擾度，隔離層壽命超過(guò) 40 年，并提供較低的器件間偏移、大于 150V/ns 的共模噪聲抗擾度 (CMTI)。

UCC21736-Q1 具有高級(jí)保護(hù)功能 功能，如快速過(guò)流和短路檢測(cè)、分流電流檢測(cè)支持、故障報(bào)告、有源米勒鉗位、輸入和輸出側(cè)電源 UVLO（用于優(yōu)化 SiC 和 IGBT 開(kāi)關(guān)行為）和穩(wěn)健性。可以利用 ASC 功能在系統(tǒng)故障事件期間強(qiáng)制打開(kāi)電源開(kāi)關(guān)，從而進(jìn)一步提高驅(qū)動(dòng)器的多功能性并消減系統(tǒng)設(shè)計(jì)工作量、尺寸和成本。

UCC21736-Q1 是一款電隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，用于具有高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有高級(jí)保護(hù)功能 功能、出色的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。UCC21736-Q1 具有高達(dá) ±10A 的峰值拉電流和灌電流。

輸入側(cè)通過(guò) SiO2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)相隔離，支持高達(dá) 1.5kVRMS 的工作電壓、12.8kVPK 的浪涌抗擾度，隔離層壽命超過(guò) 40 年，并提供較低的器件間偏移、大于 150V/ns 的共模噪聲抗擾度 (CMTI)。

UCC21736-Q1 具有高級(jí)保護(hù)功能 功能，如快速過(guò)流和短路檢測(cè)、分流電流檢測(cè)支持、故障報(bào)告、有源米勒鉗位、輸入和輸出側(cè)電源 UVLO（用于優(yōu)化 SiC 和 IGBT 開(kāi)關(guān)行為）和穩(wěn)健性。可以利用 ASC 功能在系統(tǒng)故障事件期間強(qiáng)制打開(kāi)電源開(kāi)關(guān)，從而進(jìn)一步提高驅(qū)動(dòng)器的多功能性并消減系統(tǒng)設(shè)計(jì)工作量、尺寸和成本。
下載

技術(shù)文檔

star =有關(guān)此產(chǎn)品的 TI 精選熱門(mén)文檔
未找到結(jié)果。請(qǐng)清除搜索并重試。
查看全部 1
類型 標(biāo)題 下載最新的英語(yǔ)版本 日期
* 數(shù)據(jù)表 適用于 SiC/IGBT 并具有主動(dòng)保護(hù)和高 CMTI 的 UCC21736-Q1 10A 拉電流和灌電流增強(qiáng)型隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器 數(shù)據(jù)表 PDF | HTML 最新英語(yǔ)版本 (Rev.A) PDF | HTML 2019年 10月 10日

訂購(gòu)和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)