主頁 電源管理 柵極驅(qū)動器 隔離式柵極驅(qū)動器

ISO5852S-Q1

正在供貨

具有分離輸出和有源保護(hù)功能的汽車類 5.7kVrms、2.5A/5A 單通道隔離式柵極驅(qū)動器

可提供此產(chǎn)品的更新版本

功能與比較器件相同，但引腳排列有所不同
UCC21750-Q1 正在供貨 適用于 IGBT/SiC 且具有 DESAT 和內(nèi)部鉗位的汽車級 5.7kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動器 Newer generation, integrated Analog-to-PWM sensor

產(chǎn)品詳情

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 5 Peak output current (source) (typ) (A) 2.5 Peak output current (sink) (typ) (A) 5 Features Active miller clamp, Fault reporting, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Soft turnoff, Split output Output VCC/VDD (min) (V) 15 Output VCC/VDD (max) (V) 30 Input supply voltage (min) (V) 2.25 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.076 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 18 Fall time (ns) 20 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 5 Peak output current (source) (typ) (A) 2.5 Peak output current (sink) (typ) (A) 5 Features Active miller clamp, Fault reporting, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Soft turnoff, Split output Output VCC/VDD (min) (V) 15 Output VCC/VDD (max) (V) 30 Input supply voltage (min) (V) 2.25 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.076 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 18 Fall time (ns) 20 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm2 10.3 x 10.3
  • 適用于汽車電子 應(yīng)用
  • 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列結(jié)果：
    • 器件溫度 1 級：-40°C 至 125°C 的環(huán)境運行溫度范圍
    • 器件人體模型 (HBM) 分類等級 3A
    • 器件充電器件模型 (CDM) 分類等級 C6
  • VCM = 1500V 時，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 的最小值為 100kV/μs
  • 分離輸出，可提供 2.5A 峰值拉電流和 5A 峰值灌電流
  • 短暫傳播延遲：76ns（典型值），
    110ns（最大值）
  • 2A 有源米勒鉗位
  • 輸出短路鉗位
  • 短路期間的軟關(guān)斷 (STO)
  • 在檢測到去飽和故障時通過 FLT 發(fā)出故障報警，并通過 RST 復(fù)位
  • 具有就緒 (RDY) 引腳指示的輸入和輸出欠壓鎖定 (UVLO)
  • 有源輸出下拉特性，在低電源或輸入懸空的情況下默認(rèn)輸出低電平
  • 2.25V 至 5.5V 輸入電源電壓
  • 15V 至 30V 輸出驅(qū)動器電源電壓
  • 互補金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 兼容輸入
  • 抑制短于 20ns 的輸入脈沖和瞬態(tài)噪聲
  • 可承受的浪涌隔離電壓達(dá) 12800VPK ”
  • 安全相關(guān)認(rèn)證：
    • 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 標(biāo)準(zhǔn)的 8000 VPK VIOTM 和 2121 VPK VIORM 增強型隔離
    • 符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)且長達(dá) 1 分鐘的 5700 VRMS 隔離
    • CSA 組件驗收通知 5A，IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 終端設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)
    • 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 標(biāo)準(zhǔn)的 TUV 認(rèn)證
    • GB4943.1-2011 CQC 認(rèn)證
    • 已通過 UL、VDE、CQC、TUV 認(rèn)證并規(guī)劃進(jìn)行 CSA 認(rèn)證

應(yīng)用

  • 隔離式絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 驅(qū)動器：
    • 混合動力汽車 (HEV) 和電動車 (EV) 電源模塊
    • 工業(yè)電機控制驅(qū)動
    • 工業(yè)電源
    • 太陽能逆變器
    • 感應(yīng)加熱

All trademarks are the property of their respective owners. All trademarks are the property of their respective owners.

  • 適用于汽車電子 應(yīng)用
  • 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列結(jié)果：
    • 器件溫度 1 級：-40°C 至 125°C 的環(huán)境運行溫度范圍
    • 器件人體模型 (HBM) 分類等級 3A
    • 器件充電器件模型 (CDM) 分類等級 C6
  • VCM = 1500V 時，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 的最小值為 100kV/μs
  • 分離輸出，可提供 2.5A 峰值拉電流和 5A 峰值灌電流
  • 短暫傳播延遲：76ns（典型值），
    110ns（最大值）
  • 2A 有源米勒鉗位
  • 輸出短路鉗位
  • 短路期間的軟關(guān)斷 (STO)
  • 在檢測到去飽和故障時通過 FLT 發(fā)出故障報警，并通過 RST 復(fù)位
  • 具有就緒 (RDY) 引腳指示的輸入和輸出欠壓鎖定 (UVLO)
  • 有源輸出下拉特性，在低電源或輸入懸空的情況下默認(rèn)輸出低電平
  • 2.25V 至 5.5V 輸入電源電壓
  • 15V 至 30V 輸出驅(qū)動器電源電壓
  • 互補金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 兼容輸入
  • 抑制短于 20ns 的輸入脈沖和瞬態(tài)噪聲
  • 可承受的浪涌隔離電壓達(dá) 12800VPK ”
  • 安全相關(guān)認(rèn)證：
    • 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 標(biāo)準(zhǔn)的 8000 VPK VIOTM 和 2121 VPK VIORM 增強型隔離
    • 符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)且長達(dá) 1 分鐘的 5700 VRMS 隔離
    • CSA 組件驗收通知 5A，IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 終端設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)
    • 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 標(biāo)準(zhǔn)的 TUV 認(rèn)證
    • GB4943.1-2011 CQC 認(rèn)證
    • 已通過 UL、VDE、CQC、TUV 認(rèn)證并規(guī)劃進(jìn)行 CSA 認(rèn)證

應(yīng)用

  • 隔離式絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 驅(qū)動器：
    • 混合動力汽車 (HEV) 和電動車 (EV) 電源模塊
    • 工業(yè)電機控制驅(qū)動
    • 工業(yè)電源
    • 太陽能逆變器
    • 感應(yīng)加熱

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ISO5852S-Q1 器件是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kVRMS 增強型隔離柵極驅(qū)動器，具有分離輸出（OUTH 和 OUTL）以及 2.5A 的拉電流能力和 5A 的灌電流能力。輸入端由 2.25V 至 5.5V 的單電源供電運行。輸出端允許的電源范圍為 15V 至 30V。兩個互補 CMOS 輸入控制柵極驅(qū)動器的輸出狀態(tài)。76ns 的短暫傳播時間保證了對于輸出級的精確控制。中的文本由“3V 至 5.5V 單電源”更改為“2.25V 至 5.5V 單電源”中的文本由“IGBT 處于過載狀態(tài)”更改為“IGBT 處于過流狀態(tài)”

內(nèi)置的去飽和 (DESAT) 故障檢測功能可識別 IGBT 何時處于過流狀態(tài)。檢測到 DESAT 時，靜音邏輯會立即阻斷隔離器輸出，并啟動軟關(guān)斷過程以禁用 OUTH 引腳并將 OUTL 引腳拉至低電平持續(xù) 2μs。當(dāng) OUTL 引腳達(dá)到 2V 時（相對于最大負(fù)電源電勢 VEE2），柵極驅(qū)動器會被“硬”拉至 VEE2 電勢，從而立即將 IGBT 關(guān)斷。已將中的文本由“并降低 OUTL 的電壓持續(xù) 2μs 以上”更改為“并將 OUTL 拉至低電平持續(xù) 2μs”

當(dāng)發(fā)生去飽和故障時，器件會通過隔離隔柵發(fā)送故障信號，以將輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。靜音邏輯在軟關(guān)斷期間激活。FLT 的輸出狀態(tài)將被鎖存，并只能在 RDY 引腳變?yōu)楦唠娖胶笸ㄟ^ RST 輸入上的低電平有效脈沖復(fù)位。已更改的第 3 段

如果在由雙極輸出電源供電的正常運行期間關(guān)斷 IGBT，輸出電壓會被硬鉗位為 VEE2。如果輸出電源為單極，那么可采用有源米勒鉗位，這種鉗位會在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流，從而防止 IGBT 在高電壓瞬態(tài)狀態(tài)下發(fā)生動態(tài)導(dǎo)通。

柵極驅(qū)動器是否準(zhǔn)備就緒待運行由兩個欠壓鎖定電路控制，這兩個電路會監(jiān)視輸入端和輸出端的電源。如果任意一端電源不足，RDY 輸出會變?yōu)榈碗娖剑駝t該輸出為高電平。

ISO5852S-Q1 采用 16 引腳小外形尺寸集成電路 (SOIC) 封裝. 此器件的額定工作環(huán)境溫度范圍為 -40°C 至 +125°C。

ISO5852S-Q1 器件是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kVRMS 增強型隔離柵極驅(qū)動器，具有分離輸出（OUTH 和 OUTL）以及 2.5A 的拉電流能力和 5A 的灌電流能力。輸入端由 2.25V 至 5.5V 的單電源供電運行。輸出端允許的電源范圍為 15V 至 30V。兩個互補 CMOS 輸入控制柵極驅(qū)動器的輸出狀態(tài)。76ns 的短暫傳播時間保證了對于輸出級的精確控制。中的文本由“3V 至 5.5V 單電源”更改為“2.25V 至 5.5V 單電源”中的文本由“IGBT 處于過載狀態(tài)”更改為“IGBT 處于過流狀態(tài)”

內(nèi)置的去飽和 (DESAT) 故障檢測功能可識別 IGBT 何時處于過流狀態(tài)。檢測到 DESAT 時，靜音邏輯會立即阻斷隔離器輸出，并啟動軟關(guān)斷過程以禁用 OUTH 引腳并將 OUTL 引腳拉至低電平持續(xù) 2μs。當(dāng) OUTL 引腳達(dá)到 2V 時（相對于最大負(fù)電源電勢 VEE2），柵極驅(qū)動器會被“硬”拉至 VEE2 電勢，從而立即將 IGBT 關(guān)斷。已將中的文本由“并降低 OUTL 的電壓持續(xù) 2μs 以上”更改為“并將 OUTL 拉至低電平持續(xù) 2μs”

當(dāng)發(fā)生去飽和故障時，器件會通過隔離隔柵發(fā)送故障信號，以將輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。靜音邏輯在軟關(guān)斷期間激活。FLT 的輸出狀態(tài)將被鎖存，并只能在 RDY 引腳變?yōu)楦唠娖胶笸ㄟ^ RST 輸入上的低電平有效脈沖復(fù)位。已更改的第 3 段

如果在由雙極輸出電源供電的正常運行期間關(guān)斷 IGBT，輸出電壓會被硬鉗位為 VEE2。如果輸出電源為單極，那么可采用有源米勒鉗位，這種鉗位會在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流，從而防止 IGBT 在高電壓瞬態(tài)狀態(tài)下發(fā)生動態(tài)導(dǎo)通。

柵極驅(qū)動器是否準(zhǔn)備就緒待運行由兩個欠壓鎖定電路控制，這兩個電路會監(jiān)視輸入端和輸出端的電源。如果任意一端電源不足，RDY 輸出會變?yōu)榈碗娖剑駝t該輸出為高電平。

ISO5852S-Q1 采用 16 引腳小外形尺寸集成電路 (SOIC) 封裝. 此器件的額定工作環(huán)境溫度范圍為 -40°C 至 +125°C。
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技術(shù)文檔

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類型 標(biāo)題 下載最新的英語版本 日期
* 數(shù)據(jù)表 ISO5852S-Q1 具有分離輸出和有源安全特性的高 CMTI 2.5A 和 5A 增強型隔離式 IGBT、MOSFET 柵極 驅(qū)動器 數(shù)據(jù)表 PDF | HTML 最新英語版本 (Rev.A) PDF | HTML 2016年 11月 4日
證書 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. Y) 2025年 9月 22日
證書 UL Certificate of Compliance File E181974 Vol 4 Sec 6 (Rev. R) 2025年 9月 8日
證書 TUV Certificate for Isolation Devices (Rev. L) 2025年 8月 15日
應(yīng)用手冊 為 IGBT 和 SiC 電源模塊選擇適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)方法 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 1月 8日
證書 ISO5x5x CQC Certificate of Product Certification 2023年 11月 7日
用戶指南 用于 Wolfspeed 1200V SiC 平臺的 UCC217xx 和 ISO5x5x 半橋 EVM 用戶指南 PDF | HTML 英語版 2023年 9月 5日
證書 ISO5451 CQC Certificate of Product Certification 2023年 8月 16日
應(yīng)用簡報 柵極驅(qū)動電路中鐵氧體磁珠的使用和優(yōu)勢 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2022年 11月 14日
應(yīng)用手冊 比較分析兩種不同的可提高柵極驅(qū)動電流的方法 (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2022年 4月 1日
證書 CSA Certification (Rev. Q) 2021年 6月 14日
應(yīng)用簡報 了解峰值源電流和灌電流 (Rev. A) 英語版 (Rev.A) 2020年 4月 29日
應(yīng)用簡報 適用于柵極驅(qū)動器的外部柵極電阻器設(shè)計指南 (Rev. A) 英語版 (Rev.A) 2020年 4月 29日
應(yīng)用手冊 Isolation Glossary (Rev. A) 2017年 9月 19日
EVM 用戶指南 ISO5852S Evaluation Module User's Guide (Rev. A) 2015年 9月 8日
應(yīng)用手冊 所選封裝材料的熱學(xué)和電學(xué)性質(zhì) 2008年 10月 16日

設(shè)計和開發(fā)

如需其他信息或資源，請點擊以下任一標(biāo)題進(jìn)入詳情頁面查看（如有）。

評估板

ISO5852SEVM — ISO5852SEVM - ISO5852S 評估模塊

該評估模塊采用 ISO5852S 增強型隔離式柵極驅(qū)動器器件，可讓設(shè)計人員通過預(yù)填充的 1-nF 負(fù)載或采用標(biāo)準(zhǔn) TO-247 或 TO-220 封裝的用戶安裝型 IGBT 來評估器件的交流和直流性能。

用戶指南: PDF
TI.com 上無現(xiàn)貨
仿真模型

ISO5852S Unencrypted PSPICE Transient Model

SLLM446.ZIP (4 KB) - PSpice Model
下載
模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設(shè)計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設(shè)計和仿真環(huán)境。此功能齊全的設(shè)計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用，包括業(yè)內(nèi)超大的模型庫之一，涵蓋我們的模擬和電源產(chǎn)品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設(shè)計和仿真環(huán)境及其內(nèi)置的模型庫，您可對復(fù)雜的混合信號設(shè)計進(jìn)行仿真。創(chuàng)建完整的終端設(shè)備設(shè)計和原型解決方案，然后再進(jìn)行布局和制造，可縮短產(chǎn)品上市時間并降低開發(fā)成本。?

在?PSpice for TI 設(shè)計和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
發(fā)送申請
參考設(shè)計

TIDA-020014 — 具有 3 種 IGBT/SiC 偏置電源解決方案的 HEV/EV 牽引逆變器功率級參考設(shè)計

此參考設(shè)計提供了具有三個 12V 汽車電池輸入、4.2W 偏置電源解決方案的牽引逆變器單相功率級，適用于混合動力電動汽車和電動汽車 (HEV/EV) 系統(tǒng)。所有偏置電源解決方案都可接受 12V 汽車電池提供的 4.5V 至 42V 的寬直流輸入范圍，并可產(chǎn)生 +15V、-8V 或 +20V、-4V 的可配置輸出，以及高達(dá) 180mA 的輸出電流。該功率級包括具有 5.7kVRMS 增強型隔離的隔離式柵極驅(qū)動器，并采用了 100mm × 62mm 的外形尺寸設(shè)計，適合安裝在 SiC/IGBT (...)
設(shè)計指南: PDF
原理圖: PDF
參考設(shè)計

TIDA-00794 — 適用于 HEV/EV 牽引逆變器的 IGBT 模塊熱保護(hù)參考設(shè)計

TIDA-00794 參考設(shè)計是一款用于在 HEV/EV 牽引逆變器系統(tǒng)中實現(xiàn) IGBT 熱保護(hù)的溫度傳感解決方案。它通過集成在 IGBT 模塊內(nèi)的 NTC 熱敏電阻來監(jiān)控 IGBT 溫度。一旦 NTC 熱敏電阻的溫度上升到編程閾值以上，它就會為 IGBT 柵極驅(qū)動器提供熱關(guān)斷功能。該設(shè)計包含 IGBT 隔離式柵極驅(qū)動器、高壓隔離、NTC 信號調(diào)節(jié)、負(fù)載電阻器和 MSP430 的 I2C 接口，使設(shè)計系統(tǒng)能夠在高額定功率下獨立運行。
設(shè)計指南: PDF
原理圖: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評估模塊或參考設(shè)計。

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