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ISO5451-Q1

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具有有源保護功能的汽車類 5.7kVrms、2.5A/5A 單通道隔離式柵極驅動器

產品詳情

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 5 Peak output current (source) (typ) (A) 2.5 Peak output current (sink) (typ) (A) 5 Features Active miller clamp, Fault reporting, Power good, Short circuit protection Output VCC/VDD (min) (V) 15 Output VCC/VDD (max) (V) 30 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.076 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 1420 Rise time (ns) 18 Fall time (ns) 20 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 5 Peak output current (source) (typ) (A) 2.5 Peak output current (sink) (typ) (A) 5 Features Active miller clamp, Fault reporting, Power good, Short circuit protection Output VCC/VDD (min) (V) 15 Output VCC/VDD (max) (V) 30 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.076 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 1420 Rise time (ns) 18 Fall time (ns) 20 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm2 10.3 x 10.3
  • 適用于汽車電子 應用
  • 具有符合 AEC-Q100 標準的下列結果：
    • 器件溫度 1 級：-40°C 至 125°C 的環境運行溫度范圍
    • 器件人體模型 (HBM) 分類等級 3A
    • 器件充電器件模型 (CDM) 分類等級 C6

  • 在 VCM = 1500V 時，共模瞬態抗擾度 (CMTI) 的最小值為 50kV/μs，典型值為 100kV/μs
  • 2.5A 峰值拉電流和 5A 峰值灌電流
  • 短暫傳播延遲：76ns（典型值），
    110ns（最大值）
  • 2A 有源米勒鉗位
  • 輸出短路鉗位
  • 在檢測到去飽和故障時通過 FLT 發出故障報警，并通過 RST 復位
  • 具有就緒 (RDY) 引腳指示的輸入和輸出欠壓鎖定 (UVLO)
  • 有源輸出下拉特性，在低電源或輸入懸空的情況下默認輸出低電平
  • 3V 至 5.5V 輸入電源電壓
  • 15V 至 30V 輸出驅動器電源電壓
  • 互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 兼容輸入
  • 抑制短于 20ns 的輸入脈沖和瞬態噪聲
  • 可承受的浪涌隔離電壓達 10000VPK
  • 安全及管理認證：
    • 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 標準的 8000 VPK VIOTM 和 1420 VPK VIORM 增強型隔離
    • 符合 UL 1577 且長達 1 分鐘的 5700VRMS 隔離
    • CSA 組件驗收通知 5A、IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 終端設備標準
    • 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 標準的 TUV 認證
    • GB4943.1-2011 CQC 認證
    • 已通過 UL、VDE、CQC、TUV 認證并規劃進行 CSA 認證

應用

  • 隔離式絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 和金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 驅動器：
    • 混合動力汽車 (HEV) 和電動車 (EV) 電源模塊
    • 工業電機控制驅動
    • 工業電源
    • 太陽能逆變器
    • 感應加熱

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 適用于汽車電子 應用
  • 具有符合 AEC-Q100 標準的下列結果：
    • 器件溫度 1 級：-40°C 至 125°C 的環境運行溫度范圍
    • 器件人體模型 (HBM) 分類等級 3A
    • 器件充電器件模型 (CDM) 分類等級 C6

  • 在 VCM = 1500V 時，共模瞬態抗擾度 (CMTI) 的最小值為 50kV/μs，典型值為 100kV/μs
  • 2.5A 峰值拉電流和 5A 峰值灌電流
  • 短暫傳播延遲：76ns（典型值），
    110ns（最大值）
  • 2A 有源米勒鉗位
  • 輸出短路鉗位
  • 在檢測到去飽和故障時通過 FLT 發出故障報警，并通過 RST 復位
  • 具有就緒 (RDY) 引腳指示的輸入和輸出欠壓鎖定 (UVLO)
  • 有源輸出下拉特性，在低電源或輸入懸空的情況下默認輸出低電平
  • 3V 至 5.5V 輸入電源電壓
  • 15V 至 30V 輸出驅動器電源電壓
  • 互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 兼容輸入
  • 抑制短于 20ns 的輸入脈沖和瞬態噪聲
  • 可承受的浪涌隔離電壓達 10000VPK
  • 安全及管理認證：
    • 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 標準的 8000 VPK VIOTM 和 1420 VPK VIORM 增強型隔離
    • 符合 UL 1577 且長達 1 分鐘的 5700VRMS 隔離
    • CSA 組件驗收通知 5A、IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 終端設備標準
    • 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 標準的 TUV 認證
    • GB4943.1-2011 CQC 認證
    • 已通過 UL、VDE、CQC、TUV 認證并規劃進行 CSA 認證

應用

  • 隔離式絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 和金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 驅動器：
    • 混合動力汽車 (HEV) 和電動車 (EV) 電源模塊
    • 工業電機控制驅動
    • 工業電源
    • 太陽能逆變器
    • 感應加熱

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ISO5451-Q1 是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kVRMS 增強型隔離柵極驅動器，具有 2.5A 的拉電流能力和 5A 的灌電流能力。輸入端由 3V 至 5.5V 的單電源供電運行。輸出端允許的電源范圍為 15V 至 30V。兩個互補 CMOS 輸入控制柵極驅動器的輸出狀態。76ns 的短暫傳播時間保證了對于輸出級的精確控制。

內置的去飽和 (DESAT) 故障檢測功能可識別 IGBT 何時處于過載狀態。當檢測到 DESAT 時，柵極驅動器輸出會被拉低為 VEE2 電勢，從而將 IGBT 立即關斷。

當發生去飽和故障時，器件會通過隔離隔柵發送故障信號，以將輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。FLT 的輸出狀態將被鎖存，可通過 RST 輸入上的低電平有效脈沖復位。

如果在由雙極輸出電源供電的正常運行期間關斷 IGBT，輸出電壓會被硬鉗位為 VEE2。如果輸出電源為單極，那么可采用有源米勒鉗位，這種鉗位會在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流，從而防止 IGBT 在高電壓瞬態條件下發生動態導通。

柵極驅動器是否準備就緒待運行由兩個欠壓鎖定電路控制，這兩個電路會監視輸入端和輸出端的電源。如果任意一端電源不足，RDY 輸出會變為低電平，否則該輸出為高電平。

ISO5451-Q1 采用 16 引腳小外形尺寸集成電路 (SOIC) 封裝。此器件的額定工作環境溫度范圍為 -40°C 至 125°C。

ISO5451-Q1 是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kVRMS 增強型隔離柵極驅動器，具有 2.5A 的拉電流能力和 5A 的灌電流能力。輸入端由 3V 至 5.5V 的單電源供電運行。輸出端允許的電源范圍為 15V 至 30V。兩個互補 CMOS 輸入控制柵極驅動器的輸出狀態。76ns 的短暫傳播時間保證了對于輸出級的精確控制。

內置的去飽和 (DESAT) 故障檢測功能可識別 IGBT 何時處于過載狀態。當檢測到 DESAT 時，柵極驅動器輸出會被拉低為 VEE2 電勢，從而將 IGBT 立即關斷。

當發生去飽和故障時，器件會通過隔離隔柵發送故障信號，以將輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。FLT 的輸出狀態將被鎖存，可通過 RST 輸入上的低電平有效脈沖復位。

如果在由雙極輸出電源供電的正常運行期間關斷 IGBT，輸出電壓會被硬鉗位為 VEE2。如果輸出電源為單極，那么可采用有源米勒鉗位，這種鉗位會在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流，從而防止 IGBT 在高電壓瞬態條件下發生動態導通。

柵極驅動器是否準備就緒待運行由兩個欠壓鎖定電路控制，這兩個電路會監視輸入端和輸出端的電源。如果任意一端電源不足，RDY 輸出會變為低電平，否則該輸出為高電平。

ISO5451-Q1 采用 16 引腳小外形尺寸集成電路 (SOIC) 封裝。此器件的額定工作環境溫度范圍為 -40°C 至 125°C。
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* 數據表 ISO5451-Q1 具有有源安全特性的高 CMTI 2.5A/5A 隔離式 IGBT、MOSFET 柵極 驅動器 數據表 PDF | HTML 最新英語版本 (Rev.A) PDF | HTML 2016年 11月 6日
證書 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. Y) 2025年 9月 22日
證書 UL Certificate of Compliance File E181974 Vol 4 Sec 6 (Rev. R) 2025年 9月 8日
證書 TUV Certificate for Isolation Devices (Rev. L) 2025年 8月 15日
應用手冊 為 IGBT 和 SiC 電源模塊選擇適當的保護方法 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 1月 8日
證書 ISO5x5x CQC Certificate of Product Certification 2023年 11月 7日
用戶指南 用于 Wolfspeed 1200V SiC 平臺的 UCC217xx 和 ISO5x5x 半橋 EVM 用戶指南 PDF | HTML 英語版 2023年 9月 5日
證書 ISO5451 CQC Certificate of Product Certification 2023年 8月 16日
應用簡報 柵極驅動電路中鐵氧體磁珠的使用和優勢 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2022年 11月 14日
證書 CSA Certification (Rev. Q) 2021年 6月 14日
應用簡報 了解峰值源電流和灌電流 (Rev. A) 英語版 (Rev.A) 2020年 4月 29日
應用簡報 適用于柵極驅動器的外部柵極電阻器設計指南 (Rev. A) 英語版 (Rev.A) 2020年 4月 29日
EVM 用戶指南 ISO5851 Evaluation Module User's Guide 2015年 6月 19日
應用手冊 所選封裝材料的熱學和電學性質 2008年 10月 16日

設計和開發

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評估板

ISO5851EVM — ISO5851 評估模塊 (EVM)

該評估模塊采用 ISO5851 增強型隔離式柵極驅動器器件，可讓設計人員通過預填充的 1-nF 負載或采用標準 TO-247 或 TO-220 封裝的用戶安裝型 IGBT 來評估器件的交流和直流性能。

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仿真模型

ISO5451 PSPICE Unencrypted Model

SLLM448.ZIP (3 KB) - PSpice Model
下載
模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設計和仿真環境。此功能齊全的設計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用，包括業內超大的模型庫之一，涵蓋我們的模擬和電源產品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設計和仿真環境及其內置的模型庫，您可對復雜的混合信號設計進行仿真。創建完整的終端設備設計和原型解決方案，然后再進行布局和制造，可縮短產品上市時間并降低開發成本。?

在?PSpice for TI 設計和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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SOIC (DW) 16 Ultra Librarian

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包含信息：
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  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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