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UCC21737-Q1

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適用于 SiC/IGBT、具有主動短路保護功能的汽車級 10A 隔離式單通道柵極驅動器

產品詳情

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active Short Circuit (ASC) protection, Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Over Current Protection, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Split output Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active Short Circuit (ASC) protection, Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Over Current Protection, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Split output Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
SOIC (DW) 16 106.09 mm2 10.3 x 10.3
  • 5.7kVRMS 單通道隔離式柵極驅動器
  • 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性：
    • 器件溫度等級 1：–40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 功能安全質量管理型
  • 高達 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大輸出驅動電壓 (VDD-VEE)
  • ±10A 驅動強度和分離輸出
  • 150V/ns 最小 CMTI
  • 具有 270ns 快速響應時間的過流保護
  • 外部有源米勒鉗位
  • 發(fā)生故障時的 900mA 軟關斷
  • 隔離側的 ASC 輸入，用于在系統(tǒng)故障期間打開電源開關
  • 過流警報 FLT 和通過 RST/EN 重置
  • 針對 RST/EN 的快速啟用/禁用響應
  • 抑制輸入引腳上的 <40ns 噪聲瞬態(tài)和脈沖
  • RDY 上的 12V VDD UVLO 和 –3V VEE UVLO（具有電源正常指示功能）
  • 具有高達 5V 過沖/欠沖瞬態(tài)電壓抗擾度的輸入/輸出
  • 130ns（最大）傳播延遲和 30ns（最大）脈沖/器件間偏移
  • SOIC-16 DW 封裝，爬電距離和間隙 > 8mm
  • 工作結溫范圍：-40°C 至 150°C
  • 5.7kVRMS 單通道隔離式柵極驅動器
  • 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性：
    • 器件溫度等級 1：–40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 功能安全質量管理型
  • 高達 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大輸出驅動電壓 (VDD-VEE)
  • ±10A 驅動強度和分離輸出
  • 150V/ns 最小 CMTI
  • 具有 270ns 快速響應時間的過流保護
  • 外部有源米勒鉗位
  • 發(fā)生故障時的 900mA 軟關斷
  • 隔離側的 ASC 輸入，用于在系統(tǒng)故障期間打開電源開關
  • 過流警報 FLT 和通過 RST/EN 重置
  • 針對 RST/EN 的快速啟用/禁用響應
  • 抑制輸入引腳上的 <40ns 噪聲瞬態(tài)和脈沖
  • RDY 上的 12V VDD UVLO 和 –3V VEE UVLO（具有電源正常指示功能）
  • 具有高達 5V 過沖/欠沖瞬態(tài)電壓抗擾度的輸入/輸出
  • 130ns（最大）傳播延遲和 30ns（最大）脈沖/器件間偏移
  • SOIC-16 DW 封裝，爬電距離和間隙 > 8mm
  • 工作結溫范圍：-40°C 至 150°C

UCC21737-Q1 是一款電隔離單通道柵極驅動器，設計用于直流工作電壓高達 2121V 的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先進的保護功能、出色的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。該器件具有高達 ±10A 的峰值拉電流和灌電流。

輸入側通過 SiO2 電容隔離技術與輸出側相隔離，支持高達 1.5kVRMS 的工作電壓、12.8kVPK 的浪涌抗擾度，隔離層壽命超過 40 年，并提供較低的器件間偏移，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 大于 150V/ns。

UCC21737-Q1 包括先進的保護特性，如快速過流和短路檢測、分流電流檢測支持、故障報告、有源米勒鉗位、輸入和輸出側電源 UVLO（用于優(yōu)化 SiC 和 IGBT 開關行為）和穩(wěn)健性?？梢岳?ASC 功能在系統(tǒng)故障事件期間強制打開電源開關，從而進一步提高驅動器的多功能性并消減系統(tǒng)設計工作量、尺寸和成本。

UCC21737-Q1 是一款電隔離單通道柵極驅動器，設計用于直流工作電壓高達 2121V 的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先進的保護功能、出色的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。該器件具有高達 ±10A 的峰值拉電流和灌電流。

輸入側通過 SiO2 電容隔離技術與輸出側相隔離，支持高達 1.5kVRMS 的工作電壓、12.8kVPK 的浪涌抗擾度，隔離層壽命超過 40 年，并提供較低的器件間偏移，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 大于 150V/ns。

UCC21737-Q1 包括先進的保護特性，如快速過流和短路檢測、分流電流檢測支持、故障報告、有源米勒鉗位、輸入和輸出側電源 UVLO（用于優(yōu)化 SiC 和 IGBT 開關行為）和穩(wěn)健性?？梢岳?ASC 功能在系統(tǒng)故障事件期間強制打開電源開關，從而進一步提高驅動器的多功能性并消減系統(tǒng)設計工作量、尺寸和成本。
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* 數(shù)據表 UCC21737-Q1 適用于 SiC/IGBT 并具有主動保護和高 CMTI 的 10A 拉電流和灌電流增強型隔離式汽車單通道柵極驅動器 數(shù)據表 (Rev. C) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2024年 12月 3日
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證書 UCC217xx/-Q1 CQC Certificate of Product Certification 2023年 6月 7日

設計和開發(fā)

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評估板

UCC21732QDWEVM-025 — 適用于 SiC 和 IGBT 晶體管和電源模塊的驅動和保護評估板

UCC21732QDWEVM-025 是一個緊湊的單通道隔離式柵極驅動器板，可提供采用 150mm x 62mm x 17mm 和 106mm x 62mm x 30mm 封裝的 SiC MOSFET 和 Si IGBT 電源模塊所需的驅動電壓、偏置電壓、保護和診斷功能。此 TI EVM 以 5.7kVrms 增強型隔離驅動器 UCC217XX 為基礎，后者采用 SOIC-16DW 封裝，具有 8.0mm 爬電距離和間隙。該 EVM 包含基于 SN6505B 的隔離式直流/直流變壓器偏置電源。

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在?PSpice for TI 設計和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian

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包含信息：
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  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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