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UCC21710

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適用于 IGBT/SiC MOSFET、具有 OC 檢測和內部鉗位的 5.7kVrms ±10A 單通道隔離式柵極驅動器

產品詳情

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Over Current Protection, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 800 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Over Current Protection, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 800 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm2 10.3 x 10.3
  • 5.7kV RMS 單通道隔離式柵極驅動器
  • 驅動高達 2121V pk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大輸出驅動電壓 (VDD-VEE)
  • ±10A 驅動強度和分離輸出
  • 150V/ns 最小 CMTI
  • 4A 內部有源米勒鉗位
  • 故障狀況下 400 mA 軟關斷
  • 具有 PWM 輸出的隔離式模擬傳感器
    • 采用 NTC、PTC 或熱敏二極管的溫度感應
    • 高電壓直流鏈路或相電壓
  • 過流警報 FLT 和通過 RST/EN 重置
  • 針對 RST/EN 的快速啟用/禁用響應
  • 抑制輸入引腳上的 <40 ns 噪聲瞬態和脈沖
  • RDY 上的 12V VDD UVLO（具有電源正常指示功能）
  • 具有高達 5V 的過沖/欠沖瞬態電壓抗擾度的輸入/輸出
  • 130ns（最大）傳播延遲和 30ns（最大）脈沖/器件間偏移
  • SOIC-16 DW 封裝，爬電距離和間隙 > 8mm
  • 工作結溫范圍：-40°C 至 +150°C
  • 安全相關認證：
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 標準的增強型絕緣
    • UL 1577 組件認證計劃
  • 5.7kV RMS 單通道隔離式柵極驅動器
  • 驅動高達 2121V pk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
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    • 采用 NTC、PTC 或熱敏二極管的溫度感應
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  • 130ns（最大）傳播延遲和 30ns（最大）脈沖/器件間偏移
  • SOIC-16 DW 封裝，爬電距離和間隙 > 8mm
  • 工作結溫范圍：-40°C 至 +150°C
  • 安全相關認證：
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 標準的增強型絕緣
    • UL 1577 組件認證計劃

UCC21710 是一款電隔離單通道柵極驅動器，設計用于驅動高達 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先進的集成保護特性、出色的動態性能和穩健性。 UCC21710 具有高達 ±10A 的峰值拉電流和灌電流。

輸入側通過 SiO 2 電容隔離技術與輸出側相隔離，支持高達 1.5kV RMS 的工作電壓、12.8kV PK 的浪涌抗擾度，隔離柵壽命超過 40 年，并提供較低的器件間偏斜 ，共模噪聲抗擾度 (CMTI) 大于 150V/ns。

UCC21710 具有高級保護功能，如快速過流和短路檢測、分流電流檢測支持、故障報告、有源米勒鉗位以及輸入和輸出側電源 UVLO（用于優化 SiC 和 IGBT 開關行為和穩健性）?？梢岳酶綦x式模擬至 PWM 傳感器更輕松地進行溫度或電壓感測，從而進一步提高驅動器的多功能性并簡化系統設計工作量、尺寸和成本。

UCC21710 是一款電隔離單通道柵極驅動器，設計用于驅動高達 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先進的集成保護特性、出色的動態性能和穩健性。 UCC21710 具有高達 ±10A 的峰值拉電流和灌電流。

輸入側通過 SiO 2 電容隔離技術與輸出側相隔離，支持高達 1.5kV RMS 的工作電壓、12.8kV PK 的浪涌抗擾度，隔離柵壽命超過 40 年，并提供較低的器件間偏斜 ，共模噪聲抗擾度 (CMTI) 大于 150V/ns。

UCC21710 具有高級保護功能，如快速過流和短路檢測、分流電流檢測支持、故障報告、有源米勒鉗位以及輸入和輸出側電源 UVLO（用于優化 SiC 和 IGBT 開關行為和穩健性）?？梢岳酶綦x式模擬至 PWM 傳感器更輕松地進行溫度或電壓感測，從而進一步提高驅動器的多功能性并簡化系統設計工作量、尺寸和成本。
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設計和開發

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評估板

UCC21710QDWEVM-025 — 適用于 SiC 和 IGBT 晶體管和電源模塊的驅動和保護評估板

UCC21710QDWEVM-025 是一個緊湊的單通道隔離式柵極驅動器板，可提供采用 150mm x 62mm x 17mm 和 106mm x 62mm x 30mm 封裝的 SiC MOSFET 和 Si IGBT 電源模塊所需的驅動電壓、偏置電壓、保護和診斷功能。此 TI EVM 以 5.7kVrms 增強型隔離驅動器 UCC21710 為基礎，后者采用 SOIC-16DW 封裝，具有 8.0mm 爬電距離和間隙。該 EVM 包含基于 SN6505B 的隔離式直流/直流變壓器偏置電源。
用戶指南: PDF
TI.com 上無現貨
評估板

UCC21710QDWEVM-054 — UCC21710 Wolfspeed? 1200V SiC 平臺評估模塊

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用戶指南: PDF | HTML
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TI.com 上無現貨
仿真模型

UCC21710 PSpice Transient Model

SLUM679.ZIP (89 KB) - PSpice Model
下載
仿真模型

UCC21710 Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM716.ZIP (6 KB) - PSpice Model
下載
設計工具

SLURAZ2 — UCC217xxEVM Design Files

支持的產品和硬件

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產品
隔離式柵極驅動器
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設計指南: PDF
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UCC14xxx-Q1 信息：

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    • 功率輸出 (W)：2
  • (...)
測試報告: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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