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UCC21756-Q1

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具有主動保護和隔離式感應功能的汽車類 ±10A 隔離式單通道柵極驅動器

產品詳情

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Desaturation (DESAT) protection, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Integrated analog to PWM sensor, Soft turnoff, Split output Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Desaturation (DESAT) protection, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Integrated analog to PWM sensor, Soft turnoff, Split output Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
SOIC (DW) 16 106.09 mm2 10.3 x 10.3
  • 5.7kV RMS 單通道隔離式柵極驅動器
  • 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性：
    • 器件溫度等級 0：-40°C 至 +150°C 環境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級 3A
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C6
  • 功能安全質量管理型
  • 高達 2121V pk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大輸出驅動電壓 (VDD-VEE)
  • ±10A 驅動強度和分離輸出
  • 150V/ns 最小 CMTI
  • 具有 200ns 快速響應時間和 5V 閾值的 DESAT 保護
  • 4A 內部有源米勒鉗位
  • 發生故障時的 900mA 軟關斷
  • 具有 PWM 輸出的隔離式模擬傳感器
    • 采用 NTC、PTC 或熱敏二極管進行溫度感應
    • 高電壓直流鏈路或相電壓
  • 過流警報 FLT 和通過 RST/EN 重置
  • 針對 RST/EN 的快速啟用/禁用響應
  • 抑制輸入引腳上的 <40ns 噪聲瞬態和脈沖
  • RDY 上的 12V VDD UVLO（具有電源正常指示功能）
  • 具有高達 5V 過沖/欠沖瞬態電壓抗擾度的輸入/輸出
  • 130ns（最大）傳播延遲和 30ns（最大）脈沖/器件間偏移
  • SOIC-16 DW 封裝，爬電距離和間隙 >8mm
  • 工作結溫范圍：-40°C 至 +150°C
  • 5.7kV RMS 單通道隔離式柵極驅動器
  • 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性：
    • 器件溫度等級 0：-40°C 至 +150°C 環境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級 3A
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C6
  • 功能安全質量管理型
  • 高達 2121V pk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大輸出驅動電壓 (VDD-VEE)
  • ±10A 驅動強度和分離輸出
  • 150V/ns 最小 CMTI
  • 具有 200ns 快速響應時間和 5V 閾值的 DESAT 保護
  • 4A 內部有源米勒鉗位
  • 發生故障時的 900mA 軟關斷
  • 具有 PWM 輸出的隔離式模擬傳感器
    • 采用 NTC、PTC 或熱敏二極管進行溫度感應
    • 高電壓直流鏈路或相電壓
  • 過流警報 FLT 和通過 RST/EN 重置
  • 針對 RST/EN 的快速啟用/禁用響應
  • 抑制輸入引腳上的 <40ns 噪聲瞬態和脈沖
  • RDY 上的 12V VDD UVLO（具有電源正常指示功能）
  • 具有高達 5V 過沖/欠沖瞬態電壓抗擾度的輸入/輸出
  • 130ns（最大）傳播延遲和 30ns（最大）脈沖/器件間偏移
  • SOIC-16 DW 封裝，爬電距離和間隙 >8mm
  • 工作結溫范圍：-40°C 至 +150°C

UCC21756-Q1 是一款電隔離單通道柵極驅動器，設計用于直流工作電壓高達 2121V 的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先進的保護功能、出色的動態性能和穩健性。 UCC21756-Q1 具有高達 ±10A 的峰值拉電流和灌電流。

輸入側通過 SiO 2 電容隔離技術與輸出側相隔離，支持高達 1.5kV RMS 的工作電壓、12.8kV PK 的浪涌抗擾度，隔離層壽命超過 40 年，并提供較低的器件間偏移 ，共模噪聲抗擾度 (CMTI) 大于 150V/ns。

UCC21756-Q1 包括先進的保護特性，如快速過流和短路檢測、故障報告、有源米勒鉗位以及輸入和輸出側電源 UVLO（用于優化 SiC 和 IGBT 開關行為和穩健性）?？梢岳酶綦x式模擬至 PWM 傳感器更輕松地進行溫度或電壓檢測，從而進一步提高驅動器的多功能性并較少系統設計工作量、尺寸和成本。

UCC21756-Q1 是一款電隔離單通道柵極驅動器，設計用于直流工作電壓高達 2121V 的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先進的保護功能、出色的動態性能和穩健性。 UCC21756-Q1 具有高達 ±10A 的峰值拉電流和灌電流。

輸入側通過 SiO 2 電容隔離技術與輸出側相隔離，支持高達 1.5kV RMS 的工作電壓、12.8kV PK 的浪涌抗擾度，隔離層壽命超過 40 年，并提供較低的器件間偏移 ，共模噪聲抗擾度 (CMTI) 大于 150V/ns。

UCC21756-Q1 包括先進的保護特性，如快速過流和短路檢測、故障報告、有源米勒鉗位以及輸入和輸出側電源 UVLO（用于優化 SiC 和 IGBT 開關行為和穩健性）?？梢岳酶綦x式模擬至 PWM 傳感器更輕松地進行溫度或電壓檢測，從而進一步提高驅動器的多功能性并較少系統設計工作量、尺寸和成本。
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設計和開發

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評估板

UCC21750QDWEVM-025 — 適用于 SiC 和 IGBT 晶體管和電源模塊的驅動和保護評估板

UCC21750QDWEVM-025 是一個緊湊的單通道隔離式柵極驅動器板，可提供采用 150mm x 62mm x 17mm 和 106mm x 62mm x 30mm 封裝的 SiC MOSFET 和 Si IGBT 電源模塊所需的驅動電壓、偏置電壓，以及基于去飽和功能的保護和診斷。此 TI EVM 以 5.7kVrms 增強型隔離驅動器 UCC21750 為基礎，后者采用 SOIC-16DW 封裝，具有 8.0mm 爬電距離和間隙。該 EVM 包含基于 SN6505B 的隔離式直流/直流變壓器偏置電源。
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模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設計和仿真環境。此功能齊全的設計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用，包括業內超大的模型庫之一，涵蓋我們的模擬和電源產品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設計和仿真環境及其內置的模型庫，您可對復雜的混合信號設計進行仿真。創建完整的終端設備設計和原型解決方案，然后再進行布局和制造，可縮短產品上市時間并降低開發成本。?

在?PSpice for TI 設計和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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SOIC (DW) 16 Ultra Librarian

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包含信息：
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  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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