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ZHCSQZ6B july 2022 – july 2023 TAS2781

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數據 (封裝 | 引腳)

RYY|30
- MPQF663A

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

訂購信息

zhcsqz6b_oa

8.4.2.9 電源跟蹤限制器

TAS2781 會監控 PVDDH 電源電壓和音頻信號，以便在音頻信號峰值超過可編程閾值時自動降低增益。這有助于防止削波并在電池充電結束的情況下延長播放時間。限制器閾值可配置為以可編程斜率跟蹤低于可編程拐點的 PVDDH。最小閾值會限制 PVDDH 跟蹤造成的閾值降低。

通過將 LIM_EN 位寄存器設置為高電平來啟用限制器。

提供可配置的啟動速率、保持時間和釋放速率來控制限制器的動態響應（第 8.9.22 節和第 8.9.23 節中寄存器的 LIM_ATK[3:0]、LIM_HLD[2:0] 和 LIM_RLS[3:0] 位）。

限制器應用的最大衰減水平可通過第 8.9.20 節中寄存器的 LIM_MAX_AT[3:0] 位進行配置。如果限制器正在啟動并且達到最大衰減，將不會進一步降低增益。

當輸出信號電平大于限制器閾值時，限制器開始降低增益。限制器可配置為以最小閾值跟蹤低于可編程拐點的 PVDDH。圖 8-1 展示了將限制器配置為限制到一個恒定電平，而不管 PVDDH 電平如何。若要實現此行為，請通過 LIM_MAX_TH[31:0] 寄存器位將限制器最大閾值設置為所需水平。將限制器拐點（寄存器位 LIM_INF[31:0]）設置為低于允許的最小 PVDDH 設置值。由寄存器位 LIM_MIN_TH[31:0] 設置的限制器最小閾值不會影響此用例中的限制器行為。

圖 8-1 具有固定閾值的限制器

圖 8-3 具有動態閾值的限制器

圖 8-2 具有拐點的限制器

圖 8-4 具有拐點和最小閾值的限制器

圖 8-2 展示了如何配置限制器以跟蹤低于閾值的 PVDDH，而無需設置最小閾值。將 LIM_MAX_TH[31:0] 寄存器位設置為所需的閾值，并將 LIM_INF[31:0] 寄存器位設置為限制器將開始降低 PVDDH 閾值的所需拐點。LIM_SLP[31:0] 寄存器位可用于通過 PVDDH 更改限制器跟蹤的斜率。PVDDH 電源每下降 1V，默認值 1V/V 就會將閾值降低 1V。如果需要，可以對更激進的跟蹤斜率進行編程。將 LIM_MIN_TH[31:0] 位編程到低于最小 PVDDH 可防止限制器在跟蹤 PVDDH 電源時遇到最小閾值降低的情況。

可以使用其他方式配置具有電源跟蹤斜率的限制器。通過將第 8.9.22 節中寄存器的 LIM_DYHDR 寄存器位設置為 1'b1，可以通過設置 LIM_HDR[4:0] 寄存器位，使用 1V/V 斜率將余量指定為電源電壓的百分比。例如，如果指定 -10% 的余量，則峰值輸出電壓將設置為比 PVDDH 高 10%。在圖 8-3 所示的這個用例中，從高于電源電壓的信號開始限制，并將產生固定削波。如果指定 +10% 的正余量，則峰值輸出電壓將動態設置為比當前 PVDDH 低 10%。在這個用例中，將從低于電源電壓的信號電平開始限制，并會防止發生削波。

若要實現僅跟蹤 PVDDH 達到最小閾值的限制器，請按照前面的示例配置限制器 LIM_MAX_TH[31:0] 和 LIM_SLP[31:0] 寄存器位。然后，還要將 LIM_MIN_TH[31:0] 寄存器位設置為所需的最小閾值。低于此最小閾值的電源電壓將不會繼續降低信號輸出電壓。圖 8-4 展示了這種情況。

通過將寄存器位 LIM_DYHDR 設置為低電平，限制器機制取決于最大和最小閾值、拐點和斜率的設置。默認情況下，該位為高電平，并啟用限制器動態余量。