ZHCSQZ6B july 2022 – july 2023 TAS2781
PRODUCTION DATA
圖 5-1 封裝30 引腳 HR-QFN底視圖| 引腳 | I/O | 說(shuō)明 | |
|---|---|---|---|
| 名稱 | 編號(hào) | ||
| ADDR | 23 | I | 地址檢測(cè)引腳。此引腳處的電阻器值選擇 I2C 地址。請(qǐng)參閱節(jié) 8.3.2。 |
| AVDD | 24 | P | 模擬電源輸入。連接至 1.8 V 電源,并使用電容器去耦至 GND。 |
| BSTN | 30 | P | D 類負(fù)自舉。在 BSTN 和 OUTN 之間連接一個(gè)電容器。 |
| BSTP | 4 | P | D 類正自舉。在 BSTP 和 OUTP 之間連接一個(gè)電容器。 |
| DGND | 25 | P | 器件基板接地。連接至 PCB 接地平面。避免在這個(gè)引腳和 GND 引腳之間使用任何公共路由電感。 |
| DREG | 10 | P | 數(shù)字內(nèi)核穩(wěn)壓器輸出。使用一個(gè)電容器旁路至 GND。不要連接至外部負(fù)載。 |
| FSYNC | 14 | I | 幀同步時(shí)鐘。 |
| GND | 7 | P | 模擬接地。連接至 PCB 接地平面。 |
| ICC | 6 | IO | 芯片間通信引腳用于傳輸增益調(diào)整。不使用時(shí)連接至 GND。 |
| IOVDD | 20 | P | 數(shù)字 IO 電源。連接至 1.8 V 或 3.3 V IO 電源,并使用電容器去耦至 GND。 |
| IRQZ | 21 | O | 開漏、低電平有效、中斷引腳。如果未使用可選內(nèi)部上拉電阻,則使用電阻器上拉至 IOVDD。 |
| MODE | 26 | I | 外部配置定義了運(yùn)行模式。 |
| NC | 16 | - | 連接至 GND。 |
| NC_SCLK | 9 | I | I2C 模式:NC = 連接至 GND, SPI 模式: 時(shí)鐘引腳。 |
| NC_SDO | 8 | O | I2C 模式:NC = 連接至 GND, SPI 模式: 串行數(shù)據(jù)輸出引腳。 |
| NC_V1P8V | 17 | P | NC_V1P8V = 當(dāng)不使用 ICC 和不需要 SPI 接口時(shí),連接到 GND, NC_V1P8V = 當(dāng)使用 ICC 和需要 SPI 接口時(shí),連接至 1.8V 電源, |
| OUTN | 29 | O | D 類負(fù)輸出。 |
| OUTP | 3 | O | D 類正輸出。 |
| PGND | 2 | P | D 類接地。連接至 PCB 接地平面。 |
| PVDDH | 28 | P | D 類電源輸入。使用電容器去耦。 |
| PVDDL | 27 | P | 單節(jié)電池電源輸入。使用電容器去耦。 |
| PWM_CTRL | 11 | O | 用于外部升壓轉(zhuǎn)換器的控制引腳。 |
| SBCLK | 15 | I | TDM 串行位時(shí)鐘。 |
| SCL_nSCS | 18 | I | I2C 模式:時(shí)鐘引腳;使用電阻器上拉至 IOVDD。 SPI 模式:低電平有效芯片選擇引腳。 |
| SDA_SDI | 19 | IO | I2C 模式:數(shù)據(jù)引腳;使用電阻器上拉至 IOVDD。 SPI 模式:串行數(shù)據(jù)輸入引腳。 |
| SDIN | 13 | I | TDM 串行數(shù)據(jù)輸入。 |
| SDOUT | 12 | IO | TDM 串行數(shù)據(jù)輸出。 |
| SDZ | 22 | I | 低電平有效硬件關(guān)斷。 |
| VSNSN | 1 | I | 電壓檢測(cè)負(fù)輸入。連接至 D 類負(fù)輸出或在鐵氧體磁珠濾波器之后。 |
| VSNSP | 5 | I | 電壓檢測(cè)正輸入。連接至 D 類正輸出或在鐵氧體磁珠濾波器之后。 |