ZHCSQZ6B july 2022 – july 2023 TAS2781
PRODUCTION DATA
在上電序列期間，監(jiān)控 AVDD 引腳 (UVLO) 的電路將使器件保持在復(fù)位狀態(tài)（包括所有配置寄存器），直到電源有效。在 AVDD 有效且 SDZ 引腳被釋放之前，器件不會退出“硬件關(guān)斷”。一旦 SDZ 被釋放，數(shù)字內(nèi)核穩(wěn)壓器將會上電，從而能夠檢測工作模式。如果 AVDD 低于 UVLO 閾值，系統(tǒng)將立即強(qiáng)制器件進(jìn)入復(fù)位狀態(tài)。
如果電源低于 UVLO 閾值（由寄存器位 PVDDH_UV_TH[5:0] 設(shè)置），該器件還監(jiān)控 PVDDH 電源并將模擬內(nèi)核保持在斷電狀態(tài)。如果 TAS2781 處于運(yùn)行狀態(tài)并發(fā)生 UVLO 故障，模擬模塊將立即斷電以保護(hù)器件。這些故障會被鎖存，需要通過硬件或軟件關(guān)斷來清除故障。鎖存寄存器將報(bào)告 UVLO 故障。
當(dāng)退出軟件關(guān)斷模式而進(jìn)入運(yùn)行模式時（例如：MODE[2:0] 位從 010b 到 000b），如果檢測到 PVDDH 欠壓，則器件將重新進(jìn)入軟件關(guān)斷模式，并且將標(biāo)記一個中斷 (IL_PUVLO)。若要退出此故障，用戶需要使用 MODE[2:0] 位清除中斷并在軟件關(guān)斷模式下對器件進(jìn)行編程，然后再嘗試進(jìn)入運(yùn)行模式。
如果檢測到內(nèi)部 PVDDL LDO 欠壓并標(biāo)記 IL_LDO_UV 中斷，則 PWR_MODE2 中可能會發(fā)生類似情況。
如果器件檢測到 TDM 時鐘出現(xiàn)如下任何故障，則會過渡到軟件關(guān)斷模式：
? 無效的 SBCLK 與 FSYNC 之比
? FSYNC 頻率無效
? SBCLK 或 FSYNC 時鐘停止
檢測到 TDM 時鐘錯誤后，器件會盡快過渡到軟件關(guān)斷模式，以限制音頻失真的可能性。一旦修復(fù)了所有 TDM 時鐘錯誤，器件音量就會恢復(fù)到之前的播放狀態(tài)。在 TDM 時鐘錯誤期間，如果將時鐘錯誤中斷屏蔽寄存器位 IM_TDMCE 設(shè)置為低電平，則 IRQZ 引腳將置為低電平。時鐘故障也可用于在實(shí)時狀態(tài)或鎖存故障狀態(tài)寄存器（位 IL_TDMCE 和 IR_TDMCE）中進(jìn)行讀回。
TAS2781 還會監(jiān)控內(nèi)核溫度和 D 類負(fù)載電流，如果其中任何一個超過安全值，就將進(jìn)入軟件關(guān)斷模式。和 TDM 時鐘錯誤一樣，如果相應(yīng)的故障中斷屏蔽寄存器位對于過熱和過流設(shè)置為低電平，則 IRQZ 引腳將置為低電平。與 TDM 時鐘錯誤一樣，也可以在鎖存的故障寄存器中監(jiān)視故障狀態(tài)。
內(nèi)核過熱和 D 類過流錯誤可以是鎖存的（例如，器件將進(jìn)入“軟件關(guān)斷”，直到應(yīng)用了硬件或軟件關(guān)斷序列），也可以將它們編程為在規(guī)定時間后自動重試。此行為可以在 OTE_RETRY 和 OCE_RETRY 寄存器位中進(jìn)行配置（分別針對過熱和過流）。即使在鎖存模式下，D 類在出現(xiàn)過熱或過流錯誤后也不會嘗試重試，直到重試時間段（默認(rèn)值 = 1.5s）結(jié)束。這可以防止以快速方式對器件施加重復(fù)應(yīng)力，從而導(dǎo)致器件損壞。如果器件已通過硬件或軟件關(guān)斷循環(huán)，它將僅在重試時間段后開始運(yùn)行。默認(rèn)情況下，RETRY 功能會被禁用。
狀態(tài)寄存器（和 IRQZ 引腳，如已啟用，以及對于非屏蔽中斷）還指示限制器的行為，包括何時激活限制器、何時 PVDDH 低于拐點(diǎn)、何時應(yīng)用最大衰減、限制器何時處于無限保持狀態(tài)以及限制器何時靜音。
當(dāng)器件在 PWR_MODE2 下運(yùn)行時，PVDDL 引腳由內(nèi)部 LDO 供電。保護(hù)電路會監(jiān)控該模塊，并在發(fā)生欠壓、過壓或 LDO 過載時產(chǎn)生故障。如果觸發(fā)這些故障之一，器件將進(jìn)入軟件關(guān)斷模式。
IRQZ 引腳是一個漏極開路輸出，在未屏蔽的故障條件下置位為低電平，因此必須通過一個電阻器將其上拉至 IOVDD。提供了一個 20kΩ 的內(nèi)部上拉電阻器。可以通過將寄存器 0x04 的 IRQZ_PU 寄存器位設(shè)為高電平來訪問它。
IRQZ 中斷配置可以使用 0x5C 寄存器中的 IRQZ_CFG[1:0] 寄存器位進(jìn)行設(shè)置。IRQZ_POL 寄存器位會設(shè)置中斷極性，而 IRQZ_CLR 寄存器位允許清除所有中斷鎖存寄存器位。
僅當(dāng)器件處于運(yùn)行工作模式時，實(shí)時標(biāo)志寄存器才有效。如果器件因 I2 命令或由于下述任何故障情況而處于軟件關(guān)斷狀態(tài)，則實(shí)時標(biāo)志將被復(fù)位。在這種情況下，鎖存標(biāo)志不會被復(fù)位，用戶可以讀取它們的狀態(tài)。
| 中斷 | 實(shí)時寄存器 | 鎖存寄存器 | 屏蔽寄存器 | 默認(rèn)值（1 = 屏蔽） |
|---|---|---|---|---|
| 溫度超過 105°C | IL_TO105 | IR_TO105 | IM_TO105 | 1 |
| 溫度超過 115°C | IL_TO115 | IR_TO115 | IM_TO115 | 1 |
| 溫度超過 125°C | IL_TO125 | IR_TO125 | IM_TO125 | 1 |
| 溫度超過 135°C | IL_TO135 | IR_TO135 | IM_TO135 | 1 |
| 過熱錯誤 | 器件處于關(guān)斷狀態(tài) | IR_OT | IM_OT | 0 |
| 過流錯誤 | 器件處于關(guān)斷狀態(tài) | IR_OC | IM_OC | 0 |
| TDM 時鐘錯誤 | 器件處于關(guān)斷狀態(tài) | IR_TDMCE | IM_TDMCE | 1 |
| TDM 時鐘錯誤：無效的 SBCLK 比率或 FS 率 | - | IR_TDMCEIR | - | - |
| TDM 時鐘錯誤：FS 發(fā)生動態(tài)更改 | - | IR_TDNCEFC | - | - |
| TDM 時鐘錯誤：SBCLK FS 之比發(fā)生動態(tài)更改 | - | IR_TDMCERC | - | - |
| BOP 運(yùn)行 | IL_BOPA | IR_BOPA | IM_BOPA | 0 |
| BOP 無限保持 | IL_BOPIH | IR_BOPIH | IM_BOPIH | 0 |
| BOP 靜音 | IL_BOPM | IR_BOPM | IM_BOPM | - |
| 檢測到 BOP | IL_BOPD | IR_BOPD | IM_BOPD | 0 |
| BOP 斷電 | - | IR_BOPPD | IM_BOPPD | 1 |
| PVDDH 低于限制器拐點(diǎn) | IL_PBIP | IR_PBIP | IM_PBIP | 1 |
| 限制器運(yùn)行 | IL_LIMA | IR_LIMA | IM_LIMA | 1 |
| 限制器最大衰減 | IL_LIMMA | IR_LIMMA | IM_LIMMA | 1 |
| PVDDH UVLO | 器件處于關(guān)斷狀態(tài) | IR_PUVLO | IM_PUVLO | 0 |
| PVDDL UVLO | 器件處于關(guān)斷狀態(tài) | - | - | - |
| OTP CRC 錯誤 | 器件處于關(guān)斷狀態(tài) | IR_OTPCRC | IM_OTPCRC | 0 |
| PVDDL 增益限制器 | IL_VBATLIM | IR_VBATLIM | IM_VBATLIM | 1 |
| 內(nèi)部 PLL 時鐘錯誤 | 器件處于關(guān)斷狀態(tài) | IR_PLL_CLK | IM_PLL_CLK | 1 |
| 噪聲門運(yùn)行 | IL_NGA | - | - | - |
| PVDDH - PVDDL 低于閾值 | IL_PVBT | IR_PVBT | IM_PVBT | 0 |
| 內(nèi)部 PVDDL LDO 欠壓 | 器件處于關(guān)斷狀態(tài) | IR_LDO_UV | IM_LDO_UV | 0 |
| 熱檢測器閾值 2 | 器件處于關(guān)斷狀態(tài) | IR_TDTH2 | IM_TDTH2 | 0 |
| 熱檢測器閾值 1 | IL_TDTH1 | IR_TDTH1 | IM_TDTH1 | 0 |