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ZHCSUA9A March 2024 – February 2024 PCM6140-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RGE|24
- MPQF124G

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RGE|24
- QFND808

訂購(gòu)信息

7.3.3 輸入通道配置

該器件包含四對(duì)模擬輸入引腳（INxP 和 INxM），這些引腳可以配置為差分輸入或單端輸入，用于錄音通道。該器件支持使用高性能多通道 ADC 同時(shí)對(duì)多達(dá)四個(gè)通道進(jìn)行錄音。模擬引腳的輸入源可以來自駐極體電容式模擬麥克風(fēng)、微機(jī)電系統(tǒng) (MEMS) 模擬麥克風(fēng)，或來自系統(tǒng)板的線路輸入（輔助輸入）。此外，如果應(yīng)用使用數(shù)字 PDM 麥克風(fēng)進(jìn)行錄音，則可以在器件中重新配置 INxP 和 INxM 引腳，以便支持高達(dá) 8 個(gè)通道來進(jìn)行數(shù)字麥克風(fēng)錄音。表 7-8 展示了錄音通道的輸入源選擇。

表 7-8 錄音通道的輸入源選擇

P0_R60_D[6:5]：CH1_INSRC[1:0]	輸入通道 1 錄音源選擇
00（默認(rèn)值）	通道 1 的模擬差分輸入（僅當(dāng)禁用 GPI1 和 GPO1 引腳功能時(shí)此設(shè)置才有效）
01	通道 1 的模擬單端輸入（僅當(dāng)禁用 GPI1 和 GPO1 引腳功能時(shí)此設(shè)置才有效）
10	通道 1 的數(shù)字 PDM 輸入（為 PDMDIN1 和 PDMCLK 相應(yīng)地配置 GPIx 和 GPOx 引腳）
11	保留（不使用此設(shè)置）

同樣，輸入通道 2、通道 3 和通道 4 的輸入源選擇設(shè)置可以分別使用 CH2_INSRC[1:0] (P0_R65_D[6:5])、CH3_INSRC[1:0] (P0_R70_D[6:5]) 和 CH4_INSRC[1:0] (P0_R75_D) 寄存器位進(jìn)行配置。

通常，語音或音頻信號(hào)輸入通過電容耦合（交流耦合）連接到器件；但該器件也支持直流耦合輸入選項(xiàng)，以節(jié)省布板空間。可以通過設(shè)置 CH1_DC (P0_R60_D4)、CH2_DC (P0_R65_D4)、CH3_DC (P0_R70_D4) 和 CH4_DC (P0_R75_D4) 寄存器位為每個(gè)通道獨(dú)立完成該配置。對(duì)于單端輸入配置，在直流耦合模式下，INM 引腳可以直接接地（請(qǐng)參閱圖 7-14），但在交流耦合模式下，INM 引腳必須在交流耦合電容器之后接地（請(qǐng)參閱圖 7-15）。為了獲得出色的動(dòng)態(tài)范圍性能，必須在啟用 DRE 的情況下使用差分交流耦合輸入。

圖 7-14 單端直流耦合輸入連接

圖 7-15 單端交流耦合輸入連接

借助該器件，可以根據(jù)輸入源阻抗靈活地從 2.5kΩ（默認(rèn)）、10kΩ 和 20kΩ 中選擇 INxP 或 INxM 上的典型輸入阻抗。當(dāng)輸入阻抗較高時(shí)，對(duì)應(yīng)的噪聲會(huì)稍高或動(dòng)態(tài)范圍較低。表 7-9 列出了錄音通道輸入阻抗的配置寄存器設(shè)置。

表 7-9 錄音通道的輸入阻抗選擇

P0_R60_D[3:2]：CH1_IMP[1:0]	通道 1 輸入阻抗選擇
00（默認(rèn)值）	INxP 或 INxM 上的通道 1 輸入阻抗典型值為 2.5k?
01	INxP 或 INxM 上的通道 1 輸入阻抗典型值為 10k?
10	INxP 或 INxM 上的通道 1 輸入阻抗典型值為 20k?
11	保留（不使用此設(shè)置）

同樣，輸入通道 2、通道 3 和通道 4 的輸入阻抗選擇設(shè)置可以使用 CH2_IMP[1:0] (P0_R65_D[3:2])、CH3_IMP[1:0] (P0_R70_D[3:2]) 和 CH4_IMP[1:0] (P0_R75_D[3:2]) 寄存器位進(jìn)行配置。

在交流耦合模式下，選擇的耦合電容值必須確保由耦合電容器和輸入阻抗形成的高通濾波器不影響信號(hào)內(nèi)容。該耦合電容器必須在上電時(shí)充電至共模電壓，然后才能開始進(jìn)行正確錄音。為了實(shí)現(xiàn)快速充電，該器件提供了可加快耦合電容器充電速度的模式?？焖俪潆姇r(shí)序的默認(rèn)值是針對(duì)容值最高為 1μF 的耦合電容器進(jìn)行設(shè)置的。但是，如果系統(tǒng)中使用容值更大的電容器，則可以通過使用 INCAP_QCHG (P0_R5_D[5:4]) 寄存器位來增加快速充電時(shí)序。為了獲得出色的失真性能，請(qǐng)使用低電壓系數(shù)電容器進(jìn)行交流耦合。直流耦合輸入不支持 2.5kΩ 的輸入阻抗值。